炭化ケイ素コーティンググラファイトディスクは、物理蒸着または化学蒸着とスプレー法によってグラファイト表面に炭化ケイ素保護層を形成するものです。形成された炭化ケイ素保護層はグラファイトマトリックスにしっかりと結合し、グラファイト基材の表面を緻密で空隙のない状態にし、グラファイトマトリックスに耐酸化性、耐酸性、耐アルカリ性、耐侵食性、耐腐食性などの特殊な特性を与えます。現在、GaNコーティングは炭化ケイ素のエピタキシャル成長における最良のコアコンポーネントの1つです。
炭化ケイ素半導体は、新開発のワイドバンドギャップ半導体のコア材料です。そのデバイスは、耐高温性、耐電圧性、高周波性、高出力性、耐放射線性などの特性を備えています。高速スイッチング速度と高効率という利点があり、製品の消費電力を大幅に削減し、エネルギー変換効率を向上させ、製品の体積を削減できます。主に5G通信、国防、軍事産業で使用されています。航空宇宙に代表されるRF分野と、新エネルギー車や「新インフラ」に代表されるパワーエレクトロニクス分野は、民生分野と軍事分野の両方で明確かつ相当な市場展望を持っています。
炭化ケイ素基板は、新開発のワイドバンドギャップ半導体のコア材料です。炭化ケイ素基板は主にマイクロ波エレクトロニクス、パワーエレクトロニクスなどの分野で使用されています。シリコンカーバイド基板は、ワイドバンドギャップ半導体産業チェーンの最前線に位置し、最先端かつ基礎的なコアキー材料です。シリコンカーバイド基板は、半絶縁性と導電性の2種類に分けられます。半絶縁性シリコンカーバイド基板は、高抵抗率（抵抗率 ≥ 10⁵ Ω・cm）を有します。半絶縁性基板と異種窒化ガリウムエピタキシャルシートを組み合わせることで、RFデバイスの材料として使用でき、主に5G通信、国防、軍事産業などの分野で使用されています。一方、導電性シリコンカーバイド基板は低抵抗率（抵抗率範囲は15～30 mΩ・cm）を有します。導電性シリコンカーバイド基板とシリコンカーバイドの均質エピタキシャル層は、パワーデバイスの材料として使用でき、主な応用分野は電気自動車、電力システムなどです。
投稿日時：2022年2月21日