Komponen Dilapisi CVD SiC kanggo Epitaksi Silikon (Si Epi)
Dirancang kanthi presisi kanggo sistem deposisi Silicon Epitaxial wafer tunggal lan batch, susceptor sing dilapisi CVD SiC, cakram satelit, lan komponen medan termal ngasilake keseragaman termal sing luar biasa lan nol outgassing. Lapisan lapisan β-SiC kubik kapadhetan dhuwur ngenkapsulasi substrat grafit kemurnian dhuwur kanthi lengkap, nyegah etsa gas reaktif (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) lan njamin tingkat pengotor logam ultra-rendah (< 5 ppm) sajrone proses Si Epi suhu dhuwur (1000°C - 1200°C).
Emisivitas sing dikontrol njamin konsistensi kekandelan film wafer saka pinggir menyang tengah sing tepat.
Nyedhiyakake perlindungan sing kuat saka bahan kimia pembersih ruang in situ lan kejutan termal.
Mesin CNC presisi supaya pas karo piranti Epi wafer tunggal 200mm/300mm (Applied Materials, ASM) umum.
| Parameter Teknis | Nilai Spesifikasi | Metode Standar / Tes |
|---|---|---|
| Bahan Pelapis | CVD β-SiC (Fase Kubik) | Struktur Kristal Kapadhetan Dhuwur |
| Bahan Substrat | Grafit Isostatik Ultra-Murni | Kapadhetan: 1,82 - 1,88 g/cm³ |
| Kemurnian Kimia | Total Kotoran < 5 ppm | GDMS Diuji |
| Kekandelan Lapisan | 80 μm - 150 μm | Keseragaman ≤ ±5% |
