SiC эпитаксиалды бөліктері

SiC эпитаксиалды өсуіне арналған озық CVD жабындары

Төтенше термиялық кернеу (1500°C - 1700°C) жағдайында жұмыс істейтін жоғары қуатты жартылай өткізгіш құрылғылар процестеріне арналған біздің CVD SiC және TaC жабынды планетарлық сусцепторларымыз, спутниктік дискілеріміз және газ дефлекторларымыз тамаша жұмыс істеу үшін жасалған. Бөлшектердің пайда болуын, бетінің деградациясын және реактивті газдың (H₂, SiH₄, C₃H∯) алдын алу үшін жасалған біздің озық жабындарымыз ұзақ пайдалану мерзімін, қоспаларды бақылаудың жоғары деңгейін және пленка қалыңдығының біркелкілігін қамтамасыз етеді.6 дюймдік және 8 дюймдік SiC эпитаксиалды пластиналары.

Өте жоғары температуралық тұрақтылық

Ауыр H₂/силан тотықсыздандыратын орталарда 1700°C дейін термиялық тұрақты.

Градиенттік CTE сәйкестендіруі

Жылдам термиялық циклдар кезінде жабынның қабыршақтануын, микрожарылуларды және шашырауларды жояды.

8 дюймдік вафли шкаласы дайындығы

Келесі буын жоғары өнімді SiC Epi реакторларына (LPE, Aixtron, Nuflare) арналған дәл CNC өңдеу.

Техникалық параметр	Техникалық сипаттаманың мәні	Стандартты / Сынақ әдісі
Қаптау материалының нұсқалары	CVD SiC / Тантал карбиді (TaC)	Жоғары тазалықтағы герметикалық қабат
Негізгі субстрат	Тазартылған изостатикалық графит	Көлемдік қоспа < 5 ppm
Термиялық соққыға төзімділік	Delta T > 500°C тік көтерілу жылдамдығы	Жарылмайды / қабыршақтанбайды
Беттік кедір-бұдырлық (Ra)	≤ 0,4 мкм (айнамен жылтыратылған)	Вафлидің жабысып қалуы мен бөлшектерінің алдын алады