ಸುದ್ದಿ

ಅರೆವಾಹಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಫೋಟೋಲಿಥೋಗ್ರಫಿಯ ಸಂಪೂರ್ಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ
ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ 24-07-16 ರಂದು
ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಅರೆವಾಹಕ ಉತ್ಪನ್ನದ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ನೂರಾರು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ. ನಾವು ಸಂಪೂರ್ಣ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಎಂಟು ಹಂತಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸುತ್ತೇವೆ: ವೇಫರ್ ಸಂಸ್ಕರಣೆ-ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ-ಫೋಟೋಲಿಥೋಗ್ರಫಿ-ಎಚ್ಚಣೆ-ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಶೇಖರಣೆ-ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆ-ಪ್ರಸರಣ-ಅಯಾನ್ ಇಂಪ್ಲಾಂಟೇಶನ್. ನಿಮಗೆ ಸಹಾಯ ಮಾಡಲು...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
4 ಬಿಲಿಯನ್! ಪರ್ಡ್ಯೂ ರಿಸರ್ಚ್ ಪಾರ್ಕ್‌ನಲ್ಲಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಅಡ್ವಾನ್ಸ್ಡ್ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಹೂಡಿಕೆಯನ್ನು ಎಸ್‌ಕೆ ಹೈನಿಕ್ಸ್ ಪ್ರಕಟಿಸಿದೆ
ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ 24-07-09 ರಂದು
ವೆಸ್ಟ್ ಲಫಯೆಟ್ಟೆ, ಇಂಡಿಯಾನಾ - ಪರ್ಡ್ಯೂ ರಿಸರ್ಚ್ ಪಾರ್ಕ್‌ನಲ್ಲಿ ಕೃತಕ ಬುದ್ಧಿಮತ್ತೆ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಿಗಾಗಿ ಸುಧಾರಿತ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಉತ್ಪಾದನೆ ಮತ್ತು ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಸೌಲಭ್ಯವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು ಸುಮಾರು $4 ಬಿಲಿಯನ್ ಹೂಡಿಕೆ ಮಾಡುವ ಯೋಜನೆಯನ್ನು SK ಹೈನಿಕ್ಸ್ ಇಂಕ್ ಪ್ರಕಟಿಸಿದೆ. ವೆಸ್ಟ್ ಲಫಯೆಟ್ಟೆಯಲ್ಲಿ US ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪೂರೈಕೆ ಸರಪಳಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಲಿಂಕ್ ಅನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸುವುದು...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
ಲೇಸರ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ರೂಪಾಂತರಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ
ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ 24-07-08 ರಂದು
1. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅವಲೋಕನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಹಂತಗಳು ಸೇರಿವೆ: ಹೊರ ವೃತ್ತವನ್ನು ರುಬ್ಬುವುದು, ಸ್ಲೈಸಿಂಗ್, ಚೇಂಫರಿಂಗ್, ಗ್ರೈಂಡಿಂಗ್, ಪಾಲಿಶ್ ಮಾಡುವುದು, ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸುವುದು, ಇತ್ಯಾದಿ. ಸ್ಲೈಸಿಂಗ್ ಅರೆವಾಹಕ ತಲಾಧಾರದ PR ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಹಂತವಾಗಿದೆ...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
ಮುಖ್ಯವಾಹಿನಿಯ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರದ ವಸ್ತುಗಳು: ಸಿ/ಸಿ ಸಂಯೋಜಿತ ವಸ್ತುಗಳು
ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ 24-07-01 ರಂದು
ಕಾರ್ಬನ್-ಕಾರ್ಬನ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಒಂದು ರೀತಿಯ ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಾಗಿವೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ ಬಲವರ್ಧನೆಯ ವಸ್ತುವಾಗಿ ಮತ್ತು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಇಂಗಾಲವನ್ನು ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ವಸ್ತುವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿ/ಸಿ ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಕಾರ್ಬನ್ ಆಗಿದೆ. ಇದು ಬಹುತೇಕ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಧಾತುರೂಪದ ಇಂಗಾಲದಿಂದ ಕೂಡಿರುವುದರಿಂದ, ಇದು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
SiC ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಮೂರು ಪ್ರಮುಖ ತಂತ್ರಗಳು
ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ 24-07-01 ರಂದು
ಚಿತ್ರ 3 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, SiC ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಒದಗಿಸುವ ಗುರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಮೂರು ಪ್ರಬಲ ತಂತ್ರಗಳಿವೆ: ದ್ರವ ಹಂತದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ (LPE), ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಸಾಗಣೆ (PVT), ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (HTCVD). PVT ಎಂಬುದು SiC ಸಿನ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸುಸ್ಥಾಪಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ಪರಿಚಯ
24-06-28 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
1. ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು Si ಮತ್ತು Ge ನಂತಹ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ವಸ್ತು ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳು...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
23.5 ಬಿಲಿಯನ್ ಮೌಲ್ಯದ, ಸುಝೌನ ಸೂಪರ್ ಯುನಿಕಾರ್ನ್ IPO ಗೆ ಹೋಗುತ್ತಿದೆ
24-06-28 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
9 ವರ್ಷಗಳ ಉದ್ಯಮಶೀಲತೆಯ ನಂತರ, ಇನ್ನೋಸೈನ್ಸ್ ಒಟ್ಟು ಹಣಕಾಸಿನಲ್ಲಿ 6 ಬಿಲಿಯನ್ ಯುವಾನ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನವು ಬೆರಗುಗೊಳಿಸುವ 23.5 ಬಿಲಿಯನ್ ಯುವಾನ್‌ಗಳನ್ನು ತಲುಪಿದೆ. ಹೂಡಿಕೆದಾರರ ಪಟ್ಟಿಯು ಡಜನ್‌ಗಟ್ಟಲೆ ಕಂಪನಿಗಳಷ್ಟು ಉದ್ದವಾಗಿದೆ: ಫುಕುನ್ ವೆಂಚರ್ ಕ್ಯಾಪಿಟಲ್, ಡಾಂಗ್‌ಫ್ಯಾಂಗ್ ಸರ್ಕಾರಿ ಸ್ವಾಮ್ಯದ ಆಸ್ತಿಗಳು, ಸುಝೌ ಝಾನಿ, ವುಜಿಯಾನ್...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ?
24-06-25 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಮೇಲ್ಮೈ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದ್ದು ಅದು ವಸ್ತುಗಳ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವನ್ನು ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ, ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ... ಮುಂತಾದ ವಿವಿಧ ತಯಾರಿ ವಿಧಾನಗಳ ಮೂಲಕ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಜೋಡಿಸಬಹುದು.
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು
ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ GaN ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪರಿಚಯ
24-06-25 ರಂದು ನಿರ್ವಾಹಕರಿಂದ
1. ಮೂರನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು Si ಮತ್ತು Ge ನಂತಹ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ವಸ್ತು ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ತಲೆಮಾರಿನ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳು f...
ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದು