SiC xwedî taybetmendiyên fîzîkî û kîmyewî yên pir baş e, wek xala helandinê ya bilind, hişkbûna bilind, berxwedana korozyonê û berxwedana oksîdasyonê. Bi taybetî di navbera 1800-2000 ℃ de, SiC xwedî berxwedana ablasyonê ya baş e. Ji ber vê yekê, derfetên karanîna wê di warên fezayî, alavên çekan û warên din de berfireh in. Lêbelê, SiC bi xwe nikare wekî...avahiyekîmal,Ji ber vê yekê rêbaza pêçandinê bi gelemperî ji bo karanîna berxwedana wê ya lixwekirinê û berxwedana ablasyonê tê bikar anîn.ce.
Karbîda silîkonê(SIC) materyalê nîvconductor nifşa sêyemîn e.eMateryalê mîconductor piştî nifşa yekem a materyalê nîvconductor a hêmanê (Si, GE) û nifşa duyem a materyalê nîvconductor a pêkhatî (GaAs, gap, InP, hwd.) pêşketiye. Wekî materyalek nîvconductor a gap band fireh, karbîda silicon xwedî taybetmendiyên firehiya gap band a mezin, hêza qada hilweşînê ya bilind, guhêrbariya germî ya bilind, leza drifta têrbûna hilgir a bilind, sabîta dielektrîkê ya piçûk, berxwedana tîrêjê ya bihêz û aramiya kîmyewî ya baş e. Ew dikare ji bo çêkirina cûrbecûr cîhazên frekans û hêza bilind bi berxwedana germahiya bilind were bikar anîn û dikare di rewşên ku cîhazên silicon bêkêr in de were bikar anîn, an jî bandora ku cîhazên silicon di sepanên gelemperî de dijwar e ku werin hilberandin çêbike.
Serlêdana sereke: ji bo birîna têlên silîkona monokrîstalîn a 3-12 înç, silîkona polîkrîstalîn, arsenîda potasyûm, krîstala quartz, û hwd. tê bikar anîn. Materyalên hilberandina endezyariyê ji bo pîşesaziya fotovoltaîk a rojê, pîşesaziya nîvconductor û pîşesaziya krîstala pîezoelektrîkî.Bi kar anîn linîvconductor, çîpa birûskê, hêmana devreyê, sepandina germahiya bilind, detektora ultraviyole, materyalê avahîsaziyê, astronomî, firêna dîskê, kelç, fîltera perçeyên mazotê, pîrometreya fîlamentê, fîlma seramîk, amûra birrînê, hêmana germkirinê, sotemeniya nukleerî, zêr, pola, alavên parastinê, piştgiriya katalîzator û warên din
Dema weşandinê: 17ê Sibatê 2022