SiC ima izvrsna fizikalna i kemijska svojstva, poput visoke točke taljenja, visoke tvrdoće, otpornosti na koroziju i otpornosti na oksidaciju. Posebno u rasponu od 1800-2000 ℃, SiC ima dobru otpornost na ablaciju. Stoga ima široke mogućnosti primjene u zrakoplovstvu, opremi za oružje i drugim područjima. Međutim, sam SiC se ne može koristiti kaostrukturnimaterijal,pa se metoda premazivanja obično koristi kako bi se iskoristila njegova otpornost na habanje i otpornost na ablacijuce.
Silicijev karbid(SIC) poluvodički materijal je treće generacijeeMikrovodički materijal razvijen nakon poluvodičkog materijala prve generacije (Si, GE) i složenog poluvodičkog materijala druge generacije (GaAs, Gap, InP, itd.). Kao poluvodički materijal sa širokim energetskim jazom, silicijev karbid ima karakteristike velike širine energetskog jaza, visoke jakosti probojnog polja, visoke toplinske vodljivosti, visoke brzine zasićenja nosioca, male dielektrične konstante, jake otpornosti na zračenje i dobre kemijske stabilnosti. Može se koristiti za proizvodnju raznih visokofrekventnih i visokosnažnih uređaja s visokom temperaturnom otpornošću i može se koristiti u slučajevima kada silicijski uređaji nisu kompetentni ili stvaraju učinak koji je teško proizvesti u općim primjenama.
Glavna primjena: koristi se za rezanje žicom monokristalnog silicija, polikristalnog silicija, kalijevog arsenida, kvarcnog kristala itd. od 3-12 inča. Materijali za inženjersku obradu za solarnu fotonaponsku industriju, poluvodičku industriju i industriju piezoelektričnih kristala.Koristi se upoluvodič, gromobran, element strujnog kruga, primjena na visokim temperaturama, ultraljubičasti detektor, konstrukcijski materijal, astronomija, disk kočnica, spojka, filter čestica dizelskog motora, pirometar s nitima, keramički film, alat za rezanje, grijaći element, nuklearno gorivo, nakit, čelik, zaštitna oprema, nosač katalizatora i druga područja
Vrijeme objave: 17. veljače 2022.