SiC-ს აქვს შესანიშნავი ფიზიკური და ქიმიური თვისებები, როგორიცაა მაღალი დნობის ტემპერატურა, მაღალი სიმტკიცე, კოროზიისადმი მდგრადობა და დაჟანგვისადმი მდგრადობა. განსაკუთრებით 1800-2000 ℃ დიაპაზონში, SiC-ს აქვს კარგი აბლაციისადმი მდგრადობა. ამიტომ, მას ფართო გამოყენების პერსპექტივები აქვს აერონავტიკაში, იარაღის აღჭურვილობასა და სხვა სფეროებში. თუმცა, თავად SiC არ შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც...სტრუქტურულიმასალა,ამიტომ, საფარის მეთოდი ჩვეულებრივ გამოიყენება მისი ცვეთისა და აბლაციისადმი მდგრადობის გამოსაყენებლად.ცე.
სილიციუმის კარბიდი(SIC) ნახევარგამტარული მასალა მესამე თაობისაა.eმიკროგამტარი მასალა, რომელიც შემუშავდა პირველი თაობის ელემენტარული ნახევარგამტარული მასალის (Si, GE) და მეორე თაობის ნაერთი ნახევარგამტარული მასალის (GaAs, უფსკრული, InP და ა.შ.) შემდეგ. ფართო ზოლური უფსკრულის მქონე ნახევარგამტარული მასალის სახით, სილიციუმის კარბიდს ახასიათებს დიდი ზოლური უფსკრულის სიგანე, მაღალი დაშლის ველის სიძლიერე, მაღალი თბოგამტარობა, მატარებლების გაჯერების მაღალი დრიფტის სიჩქარე, მცირე დიელექტრიკული მუდმივა, ძლიერი რადიაციული წინააღმდეგობა და კარგი ქიმიური სტაბილურობა. მისი გამოყენება შესაძლებელია სხვადასხვა მაღალი სიხშირის და მაღალი სიმძლავრის მოწყობილობების დასამზადებლად მაღალი ტემპერატურისადმი გამძლეობით და შეიძლება გამოყენებულ იქნას იმ შემთხვევებში, როდესაც სილიციუმის მოწყობილობები არაკომპეტენტურია, ან ქმნის ეფექტს, რომლის დროსაც სილიციუმის მოწყობილობების წარმოება რთულია ზოგადი გამოყენებისას.
ძირითადი გამოყენება: გამოიყენება 3-12 ინჩიანი მონოკრისტალური სილიციუმის, პოლიკრისტალური სილიციუმის, კალიუმის არსენიდის, კვარცის კრისტალის და ა.შ. მავთულის ჭრისთვის. საინჟინრო დამუშავების მასალები მზის ფოტოელექტრული მრეწველობის, ნახევარგამტარული მრეწველობისა და პიეზოელექტრული კრისტალების მრეწველობისთვის.გამოყენებულინახევარგამტარი, ელვისებური ღერო, წრედის ელემენტი, მაღალი ტემპერატურის გამოყენება, ულტრაიისფერი დეტექტორი, სტრუქტურული მასალა, ასტრონომია, დისკური მუხრუჭი, გადაბმულობა, დიზელის ნაწილაკების ფილტრი, ძაფის პირომეტრი, კერამიკული ფირი, საჭრელი ხელსაწყო, გამათბობელი ელემენტი, ბირთვული საწვავი, სამკაულები, ფოლადი, დამცავი აღჭურვილობა, კატალიზატორის საყრდენი და სხვა სფეროები
გამოქვეყნების დრო: 2022 წლის 17 თებერვალი