SiC har utmärkta fysikaliska och kemiska egenskaper, såsom hög smältpunkt, hög hårdhet, korrosionsbeständighet och oxidationsbeständighet. Speciellt i intervallet 1800-2000 ℃ har SiC god ablationsbeständighet. Därför har det breda tillämpningsmöjligheter inom flyg- och rymdteknik, vapenutrustning och andra områden. SiC i sig kan dock inte användas som...en strukturellmaterial,så beläggningsmetoden används vanligtvis för att utnyttja dess slitstyrka och ablationsmotståndskraftce.
Kiselkarbid(SIC) halvledarmaterial är tredje generationenseKiselkarbidmaterial utvecklades efter den första generationens elementära halvledarmaterial (Si, GE) och den andra generationens sammansatta halvledarmaterial (GaAs, gap, InP, etc.). Som ett halvledarmaterial med brett bandgap har kiselkarbid egenskaper som stor bandgapbredd, hög genombrottsfältstyrka, hög värmeledningsförmåga, hög bärvågsmättnadsdrifthastighet, liten dielektricitetskonstant, stark strålningsbeständighet och god kemisk stabilitet. Det kan användas för att tillverka olika högfrekventa och högeffektskomponenter med hög temperaturbeständighet och kan användas i tillfällen där kiselkomponenter är inkompetenta, eller producera effekten att kiselkomponenter är svåra att producera i allmänna tillämpningar.
Huvudsaklig användning: Används för trådskärning av 3-12 tums monokristallint kisel, polykristallint kisel, kaliumarsenid, kvartskristall etc. Tekniska bearbetningsmaterial för solcellsindustrin, halvledarindustrin och piezoelektrisk kristallindustrin.Används ihalvledare, åskledare, kretselement, högtemperaturapplikationer, ultraviolett detektor, konstruktionsmaterial, astronomi, skivbroms, koppling, dieselpartikelfilter, filamentpyrometer, keramisk film, skärverktyg, värmeelement, kärnbränsle, smycken, stål, skyddsutrustning, katalysatorstöd och andra områden
Publiceringstid: 17 februari 2022