SiC ní àwọn ànímọ́ ti ara àti kẹ́míkà tó tayọ, bíi ibi yíyọ́ gíga, líle gíga, ìdènà ìbàjẹ́ àti ìdènà oxidation. Pàápàá jùlọ ní ìwọ̀n 1800-2000 ℃, SiC ní ìdènà ìdènà ìdènà tó dára. Nítorí náà, ó ní àwọn àǹfààní ìlò tó gbòòrò ní afẹ́fẹ́, ohun èlò ìjà àti àwọn pápá mìíràn. Síbẹ̀síbẹ̀, a kò le lo SiC fúnrarẹ̀ gẹ́gẹ́ bíeto-ẹda kanohun elo,nitorinaa a maa n lo ọna ti a fi bo lati lo resistance yiya ati resistance ablation rẹce.
Silikoni kabọidi(SIC) ohun elo semikondokito jẹ iran kẹta seOhun èlò miconductor tí a ṣe lẹ́yìn ohun èlò semiconductor ìran àkọ́kọ́ (Si, GE) àti ohun èlò semiconductor ìran kejì (GaAs, gap, InP, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ). Gẹ́gẹ́ bí ohun èlò semiconductor onípele-ìwọ̀n, silicon carbide ní àwọn ànímọ́ bí ìwọ̀n gap band ńlá, agbára pápá ìfọ́ ga, agbára ooru gíga, iyàrá ìfàsẹ́yìn onípele gíga, ìdúró dielectric kékeré, ìdènà ìtànṣán alágbára àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà tó dára. A lè lò ó láti ṣe onírúurú ẹ̀rọ ìgbàlódé gíga àti agbára gíga pẹ̀lú ìdènà otutu gíga, a sì lè lò ó ní àwọn ìgbà tí àwọn ẹ̀rọ silicon kò bá ní agbára tó, Tàbí kí ó mú kí àwọn ẹ̀rọ silicon ṣòro láti ṣe jáde ní gbogbogbòò.
Ohun elo pataki: a lo fun gige waya ti silikoni monocrystalline 3-12 inch, silikoni polycrystalline, arsenide potassium, kristal quartz, ati bẹbẹ lọ. Awọn ohun elo iṣiṣẹ imọ-ẹrọ fun ile-iṣẹ fọtovoltaic oorun, ile-iṣẹ semiconductor ati ile-iṣẹ kristal piezoelectric.Lò nínúsemiconductor, ọ̀pá mànàmáná, ohun èlò àyíká, lílo ìwọ̀n otútù gíga, ohun èlò ìwádìí ultraviolet, ohun èlò ìṣètò, ìràwọ̀, bírékì díìsì, ìdímú, àlẹ̀mọ́ pàtákì díẹ́sẹ́lì, pyrometer filament, fíìmù seramiki, ohun èlò ìgé, ohun èlò ìgbóná, epo átọ́míìkì, ohun ọ̀ṣọ́, irin, ohun èlò ààbò, àtìlẹ́yìn catalyst àti àwọn pápá mìíràn
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Feb-17-2022