SiC дорои хосиятҳои аълои физикӣ ва химиявӣ, аз қабили нуқтаи баланди обшавӣ, сахтии баланд, муқовимат ба зангзанӣ ва муқовимати оксидшавӣ мебошад. Хусусан дар диапазони 1800-2000 ℃, SiC муқовимати хуби аблятсия дорад. Аз ин рӯ, он имкониятҳои васеъи истифода дар соҳаҳои кайҳонӣ, таҷҳизоти силоҳ ва дигар соҳаҳоро дорад. Аммо, худи SiC-ро ҳамчун ... истифода бурдан мумкин нест.сохторӣмавод,аз ин рӯ, усули пӯшиш одатан барои истифодаи муқовимати фарсудашавӣ ва муқовимати аблятсияи он истифода мешавадce.
Карбиди кремниймаводи нимноқил (SIC) насли сеюм астeМаводи микроноқил пас аз маводи нимноқилҳои элементии насли аввал (Si, GE) ва маводи нимноқилҳои мураккаби насли дуюм (GaAs, gap, InP ва ғайра) таҳия шудааст. Ҳамчун маводи нимноқилҳои гафсии васеъ, карбиди кремний дорои хусусиятҳои паҳнои гафсии калон, қувваи баланди майдони вайроншавӣ, гузаронандагии баланди гармӣ, суръати баланди сершавии интиқолдиҳанда, доимии хурди диэлектрикӣ, муқовимати қавии радиатсия ва устувории хуби кимиёвӣ мебошад. Онро барои истеҳсоли дастгоҳҳои гуногуни басомади баланд ва қувваи баланд бо муқовимати ҳарорати баланд истифода бурдан мумкин аст ва дар ҳолатҳое истифода бурдан мумкин аст, ки дастгоҳҳои кремний ноқис ҳастанд ё таъсири онро ба вуҷуд меоранд, ки истеҳсоли дастгоҳҳои кремний дар барномаҳои умумӣ душвор аст.
Истифодаи асосӣ: барои буридани сим аз кремнийи монокристаллии 3-12 дюйм, кремнийи поликристаллӣ, арсениди калий, булӯри кварс ва ғайра истифода мешавад. Маводҳои коркарди муҳандисӣ барои саноати фотоэлектрикии офтобӣ, саноати нимноқилҳо ва саноати булӯри пьезоэлектрикӣ.Истифода шудааст дарнимноқил, милаи барқ, унсури схема, истифодаи ҳарорати баланд, детектори ултрабунафш, маводи сохторӣ, астрономия, тормози дискӣ, муфта, филтри зарраҳои дизелӣ, пирометри риштаӣ, плёнкаи сафолӣ, асбоби буриш, элементи гармидиҳӣ, сӯзишвории ҳастаӣ, ҷавоҳирот, пӯлод, таҷҳизоти муҳофизатӣ, дастгирии катализатор ва дигар соҳаҳо
Вақти нашр: 17 феврали соли 2022