SiC proprietates physicas et chemicas excellentes habet, ut punctum liquefactionis altum, duritiem magnam, resistentiam corrosionis et resistentiam oxidationis. Praesertim inter temperaturas 1800-2000°C, SiC bonam resistentiam ablationis habet. Ergo, latas applicationes in aëronautica, apparatu armorum, aliisque campis habet. Attamen, SiC ipsum non potest adhiberi ut...structuralemateria,Ita methodus obductionis plerumque adhibetur ad resistentiam eius attritionis et resistentiam ablationis utendum.ce.
Carburum siliciiMateria semiconductoria (SIC) est tertia generatioeMateria microconductoris post materiam semiconductoriam elementorum primae generationis (Si, GE) et materiam semiconductoriam compositam secundae generationis (GaAs, hiatus, InP, etc.) evoluta est. Ut materia semiconductoria latae hiatus, carburum silicii proprietates habet magnae latitudinis hiatus zonae, magnae firmitatis campi disruptionis, altae conductivitatis thermalis, altae celeritatis fluctuationis saturationis vectorum, parvae constantis dielectricae, validae resistentiae radiationis et bonae stabilitatis chemicae. Adhiberi potest ad fabricanda varia instrumenta altae frequentiae et altae potentiae cum alta resistentia temperaturae, et adhiberi potest in occasionibus ubi instrumenta silicii inepta sunt, vel effectum producere ut instrumenta silicii difficulter producantur in applicationibus generalibus.
Usus principalis: ad secandum filum silicii monocrystallini 3-12 unciarum, silicii polycrystallini, arsenidi kalii, crystalli quartzi, etc. adhibitum. Materiae processus machinales pro industria solari photovoltaica, industria semiconductorum et industria crystalli piezoelectrici.Usus insemiconductor, virga fulminans, elementum circuitus, applicatio altae temperaturae, detector ultraviolaceae, materia structuralis, astronomia, frenum discus, copula, filtrum particularum diesel, pyrometrum filamenti, pellicula ceramica, instrumentum secans, elementum calefaciens, combustibile nucleare, ornamenta, chalybs, apparatus protectorius, subsidium catalysatoris et alia campi
Tempus publicationis: XVII Kalendas Februarias, anno MMXXII