SiC pasižymi puikiomis fizinėmis ir cheminėmis savybėmis, tokiomis kaip aukšta lydymosi temperatūra, didelis kietumas, atsparumas korozijai ir oksidacijai. Ypač 1800–2000 ℃ diapazone SiC pasižymi geru atsparumu abliacijai. Todėl jis turi plačias taikymo galimybes aviacijos ir kosmoso, ginklų įrangos ir kitose srityse. Tačiau pats SiC negali būti naudojamas kaipstruktūrinismedžiaga,todėl dengimo metodas paprastai naudojamas siekiant išnaudoti jo atsparumą dilimui ir abliacijaice.
Silicio karbidas(SIC) puslaidininkinė medžiaga yra trečios kartoseMilaidinė medžiaga, sukurta po pirmosios kartos elementariosios puslaidininkinės medžiagos (Si, GE) ir antrosios kartos sudėtinės puslaidininkinės medžiagos (GaAs, tarpas, InP ir kt.). Kaip plačiajuostė puslaidininkinė medžiaga, silicio karbidas pasižymi dideliu draudžiamosios juostos pločiu, dideliu pramušimo lauko stipriu, dideliu šilumos laidumu, dideliu krūvininkų prisotinimo dreifo greičiu, maža dielektrine konstanta, dideliu atsparumu spinduliuotei ir geru cheminiu stabilumu. Ji gali būti naudojama gaminant įvairius aukšto dažnio ir didelės galios įtaisus, atsparius aukštai temperatūrai, ir gali būti naudojama tais atvejais, kai silicio įtaisai yra nekompetentingi arba sukelia efektą, dėl kurio silicio įtaisus sunku pagaminti bendrose srityse.
Pagrindinė paskirtis: naudojama 3–12 colių monokristalinio silicio, polikristalinio silicio, kalio arsenido, kvarco kristalo ir kt. vielos pjovimui. Inžinerinės apdorojimo medžiagos saulės fotovoltinių elementų pramonei, puslaidininkių pramonei ir pjezoelektrinių kristalų pramonei.Naudojamaspuslaidininkis, žaibolaidžiai, grandinės elementai, aukštos temperatūros pritaikymas, ultravioletinių spindulių detektoriai, konstrukcinės medžiagos, astronomija, diskiniai stabdžiai, sankaba, dyzelino kietųjų dalelių filtrai, kaitinimo pirometrai, keraminės plėvelės, pjovimo įrankiai, kaitinimo elementai, branduolinis kuras, papuošalai, plienas, apsauginė įranga, katalizatoriaus atramos ir kitos sritys
Įrašo laikas: 2022 m. vasario 17 d.