Nuntii

Quid est obductio carburi silicii?
ab administratore die XXIII mensis Septembris anni MMII
Obductio carburi silicii, vulgo obductio SiC appellata, ad processum applicationis strati carburi silicii in superficies per methodos ut Depositio Vaporis Chemici (CVD), Depositio Vaporis Physica (PVD), vel aspersio thermalis refertur. Haec obductio ceramica carburi silicii superficiem auget...
Plura lege
Sex commoda carburi silicii sinterizati pressione atmosphaerica et applicationis ceramicae carburi silicii
ab administratore die XXIII mensis Septembris anni MMII
Carburum silicii sub pressione atmosphaerica sinterizatum non iam solum ut abrasivum, sed magis ut materia nova adhibetur, et late in productis technologiae provectae, ut puta in ceramicis e materiis carburi silicii factis, adhibetur. Quae igitur sunt sex commoda sinterizationis carburi silicii sub pressione atmosphaerica et...
Plura lege
Nitridum silicii – ceramica structuralis optimae functionis generalis
ab administratore die XXIII mensis Augusti, anno MMXV
Ceramica specialis ad classem ceramicarum refertur, quae proprietates mechanicas, physicas vel chemicas peculiares habet, cuius materiae primae adhibitae et technologia productionis requisita a ceramicis ordinariis et evolutione valde differunt. Secundum proprietates et usus, ceramica specialis produci potest...
Plura lege
Effectus sinterizationis in proprietates ceramicarum zirconiae
ab administratore die XXIII mensis Augusti, anno MMXV
Zirconium, ut genus materiae ceramicae, magnam firmitatem, magnam duritiem, bonam resistentiam attritioni, resistentiam acidis et alcali, resistentiam altae temperaturae, aliasque proprietates excellentes habet. Praeterquam quod late in agro industriali adhibetur, cum strenuo progressu industriae dentium postitiorum...
Plura lege
Partes semiconductrices – basis graphita SiC obducta
ab administratore die XXIII mensis Augusti anni MMIV
Bases graphitae SiC obductae vulgo adhibentur ad substrata monocrystallina sustentanda et calefacienda in apparatu depositionis vaporis chemici metallo-organici (MOCVD). Stabilitas thermalis, uniformitas thermalis, et alii parametri functionis basis graphitae SiC obductae partes decisivas agunt in qualitate epi...
Plura lege
Cur silicium ut frustum semiconductorium?
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXXI
Semiconductor est materia cuius conductivitas electrica in temperatura ambiente inter conductivitatem conductoris et insulatoris est. Sicut filum cupreum in vita cotidiana, filum aluminii conductor est, et gummi insulator. Ex prospectu conductivitatis: semiconductor ad conductivitatem refertur...
Plura lege
Effectus sinterizationis in proprietates ceramicarum zirconiae
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXIV
Effectus sinterizationis in proprietates ceramicae zirconiae. Ut genus materiae ceramicae, zirconium magnam firmitatem, magnam duritiem, bonam resistentiam attritioni, resistentiam acidis et alcali, resistentiam altae temperaturae et alias proprietates excellentes habet. Praeterquam quod late in agro industriali adhibetur,...
Plura lege
Partes semiconductrices – basis graphita SiC obducta
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXIV
Bases graphitae SiC obductae vulgo adhibentur ad substrata monocrystallina sustentanda et calefacienda in apparatu depositionis vaporis chemici metallo-organici (MOCVD). Stabilitas thermalis, uniformitas thermalis, et alii parametri functionis basis graphitae SiC obductae partes decisivas agunt in qualitate epi...
Plura lege
Materia principalis clavis crescentiae sic perruptivae
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXI
Cum crystallus carburi silicii crescit, "ambitus" interfaciei accretionis inter centrum axialem crystalli et marginem differt, ita ut tensio crystalli in margine crescat, et margine crystalli facile "defectus comprehensivos" propter inf...
Plura lege