Sex commoda carburi silicii sinterizati pressione atmosphaerica et applicationis ceramicae carburi silicii

Carburum silicii sub pressione atmosphaerica sinterizatum non iam solum ut abrasivum, sed magis ut materia nova adhibetur, et late in productis technologiae provectae, ut puta in ceramicis e materiis carburi silicii factis, adhibetur. Quae igitur sunt sex commoda sinterizationis carburi silicii sub pressione atmosphaerica et applicationis ceramicae carburi silicii?

_20230902141659

Sex commoda materiarum carburi silicii sub pressione atmosphaerica sinteratarum:

1. Densitas humilis

Materia carburi silicii densitatem minorem quam metallum habet, ita ut instrumentum levius sit.

2. Resistentia corrosionis

Materia carburi silicii altum punctum liquefactionis, inertiam chemicam, resistentiam ictuum thermalium habet; carburum silicii in abrasiviis, furnis ceramicis, et laminis carburi silicii adhibetur; et in industria liquefactionis cum cylindro verticali, furno distillationis, lateribus, cellulis electrolyticis aluminii, tungsteno, fornacibus parvis, aliisque productis ceramicis carburi silicii adhiberi potest.

3, alta temperatura, coefficiens expansionis thermalis reducitur

Materia carburi silicii sub altis temperaturis fabricatur. In quibusdam ambitu temperaturae altae, materiae requiruntur quae robur et praecisionem processus, qualem ceramica carburi silicii consequi potest, requiruntur. Temperatura alta carburi silicii est circiter 800°F, temperatura autem chalybis est tantum 250°F. Computatione approximata, coefficiens expansionis thermalis medius carburi silicii in intervallo 25 ~ 1400°F est 4.10⁻⁶/°C. Coefficiens expansionis thermalis carburi silicii mensuratus est, et eventus ostendunt quantitatem multo minorem esse quam aliarum materiarum abrasivarum et altarum temperaturarum. Carburum silicii sinterizatum sub pressione atmosphaerica.

4, alta conductivitas thermalis

Alta est conductivitas thermalis materiarum carburi silicii, quae est alia proprietas physica carburi silicii magni momenti. Conductivitas thermalis carburi silicii multo maior est quam aliarum materiarum refractariarum et abrasivarum, fere quater maior quam corundum. Carburum silicii habet coefficientem expansionis thermalis humilem et conductivitatem thermalem magnam, ita materia laminaris minori tensioni thermali subiicietur durante calefactione et refrigeratione. Quam ob rem componentes SiC praecipue resistunt ictui.

5, alta vis mechanica, bona rigiditas

Robur mechanicum materiae carburi silicii altum est, quo fit ut materia deformari non possit. Carburum silicii robur mechanicum maius quam corundum habet.

6, alta duritia et resistentia attritionis

Duritia materiarum carburi silicii altissima est, et duritia Moss Gap est 9.2~9.6, secunda tantum post adamantum et carburum tungstenum. Comparata cum materiis chalybis metallicis, praebet duritiam magnam, coefficiens frictionis humile, frictionem relative humilem, asperitatem superficialem parvam, et bonam resistentiam attritionis sine lubricatione. Praeterea, resistit substantiis externis, tolerantiam superficialem emendans. Carburum silicii sinterizatum sub pressione atmosphaerica.

Applicatio ceramicae carburi silicii sinterizatae sub pressione atmosphaerica

1, productio materiae carburi silicii ceramicae specialis

Materia carburi silicii est materia magnae duritiae et pretii humilis, quae producta carburi silicii, ut sigilla carburi silicii, manicas carburi silicii, laminas carburi silicii globulis resistentes, perfiles carburi silicii, et cetera, producere potest, quae sigillis mechanicis et variis antliis adhiberi possunt. Carburum silicii sinterizatum sub pressione atmosphaerica.

2, productio materiae zirconiae ceramicae specialis

Ceramica zirconia magnam conductivitatem ionicam, bonam stabilitatem chemicam et stabilitatem structuralem habet, et materia electrolytica late investigata et adhibita facta est. Melioratione processus fabricationis pelliculae electrolyticae zirconia fundatae, reductione temperaturae operandi et sumptus fabricationis harum materiarum, et conatu ad industrializationem perficiendam, etiam magna directio investigationis futurae est.


Tempus publicationis: II Non. Sept. MMXXIII
Colloquium WhatsApp Interretiale!