Obductio SiC per depositionem chemicam vaporis (CVD), transformationem praecursoris, pulverizationem plasmatis, etc. praeparari potest. Obductio per depositionem chemicam vaporis praeparata uniformis et compacta est, et bonam designabilitatem habet. Adhibito methyltrichlosilano (CHzSiCl3, MTS) ut fonte silicii, obductio SiC per methodum CVD praeparata est methodus relative maturior ad hanc obductionem applicationis.
Obductio SiC et graphitus bonam compatibilitatem chemicam habent, differentia coefficientis expansionis thermalis inter eos parva est, usus obductionis SiC efficaciter resistentiam attritionis et resistentiam oxidationis materiae graphitae augere potest. Inter haec, proportio stoichiometrica, temperatura reactionis, gas dilutionis, gas impuritatis, aliaeque condiciones magnam vim in reactionem habent.
Tempus publicationis: XIV Septembris, MMXXII