Nuntii

Processus BCD
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMXVIII
Quid est processus BCD? Processus BCD est technologia processus integrati unius microplaciti, primum a ST anno 1986 introducta. Haec technologia potest machinas bipolares, CMOS et DMOS in eodem microplacito creare. Aspectus eius aream microplaciti magnopere minuit. Dici potest processum BCD plene uti...
Plura lege
BJT, CMOS, DMOS et aliae technologiae processus semiconductorum
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMX
Ad nostram paginam interretialem te salutat, ubi informationes de productis et consultationes invenies. Pagina nostra interretialis est: https://www.vet-china.com/ Dum processus fabricationis semiconductorum pergunt progressus facere, famosa sententia "Lex Moore" appellata per industriam circumfertur. Ea erat...
Plura lege
Processus formationis semiconductorum per fluxum incisurae
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMX
Prima corrosio humida progressionem processuum purgationis vel cineris promovit. Hodie, corrosio sicca plasma utens processus corrosio vulgaris facta est. Plasma ex electronibus, cationibus et radicalibus constat. Energia plasmati applicata electrones extremos...
Plura lege
Investigatio de fornace epitaxiali SiC octo unciarum et processu homoepitaxiali-II
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMIV
2 Resultata experimentalia et disputatio 2.1 Crassitudo et uniformitas strati epitaxialis Crassitudo strati epitaxialis, concentratio dopantis et uniformitas inter indices principales sunt ad iudicandam qualitatem laminarum epitaxialium. Crassitudo accurate moderabilis, concentratio dopantis...
Plura lege
Investigatio de fornace epitaxiali SiC octo unciarum et processu homoepitaxiali - III
ab administratore die XXIV mensis Septembris anni MMIV
Industria SiC hodie a 150 mm (6 unciae) ad 200 mm (8 uncias) transformatur. Ut postulationi magnae magnitudinis et altae qualitatis laminarum homoepitaxialium SiC in industria occurreretur, laminae homoepitaxiales 4H-SiC 150 mm et 200 mm feliciter praeparatae sunt...
Plura lege
Optimizatio structurae pororum carbonis porosorum -II
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno XXVII
Ad nostram paginam interretialem te salutat, ubi de productis et consultationibus frui potes. Pagina nostra interretialis est: https://www.vet-china.com/ Methodus activationis physicae et chemicae Methodus activationis physicae et chemicae ad methodum praeparandi materias porosas per combinationem duarum actionum supradictarum refertur...
Plura lege
Optimizatio structurae pororum carbonis porosorum-III
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno XXVII
Ad nostram paginam interretialem ad informationem de productis et consultationem te salutat. Pagina nostra interretialis: https://www.vet-china.com/ Haec dissertatio mercatum hodiernum carbonis activati analyzat, materias primas carbonis activati profundam analysin peragit, structuram pororum introducit...
Plura lege
Fluxus processus semiconductoris-II
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno XXIII
Ad nostram paginam interretialem te invitamus ad informationes de productis et consultationes. Pagina nostra interretialis: https://www.vet-china.com/ Corrosio Poly et SiO2: Post hoc, Poly et SiO2 superflui corrosi sunt, id est, removentur. Hoc tempore, corrosio directionalis adhibetur. In classificatione...
Plura lege
Fluxus processus semiconductoris
ab administratore die XXIV mensis Augusti, anno XXIII
Intellegere potes etiam si numquam physicam aut mathematicam didicisti, sed paulo nimis simplex est et aptum tironibus. Si plura de CMOS scire vis, contenta huius fasciculi legere debes, quia solum postquam fluxum processus intellexisti (id est...)
Plura lege