Neiegkeeten

Wat sinn déi technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?
vum Admin den 24-05-22
Déi éischt Generatioun vu Hallefleedermaterialien gëtt duerch traditionellt Silizium (Si) a Germanium (Ge) vertrueden, déi d'Basis fir d'Fabrikatioun vun integréierte Schaltungen bilden. Si gi wäit verbreet an Nidderspannungs-, Nidderfrequenz- a Low-Power-Transistoren an Detektoren agesat. Méi wéi 90% vun den Hallefleederprodukter...
Liest méi
Wéi gëtt SiC-Mikropulver hiergestallt?
vum Admin den 24-05-13
SiC-Eenzelkristall ass e Grupp IV-IV-Verbund-Hallefleitermaterial, dat aus zwee Elementer, Si a C, an engem stöchiometresche Verhältnis vun 1:1 besteet. Seng Häert ass nëmmen no Diamanten déi zweetgréisst. D'Method fir d'Kuelestoffreduktioun vu Siliziumoxid fir SiC ze preparéieren baséiert haaptsächlech op der folgender chemescher Reaktiounsformel...
Liest méi
Wéi hëllefen epitaktesch Schichten Hallefleederkomponenten?
vum Admin den 24-05-13
Den Urspronk vum Numm epitaktische Wafer Loosst eis als éischt e klengt Konzept populariséieren: Wafervirbereedung ëmfaasst zwou Haaptverbindungen: Substratvirbereedung an epitaktische Prozess. De Substrat ass e Wafer aus Hallefleiter-Eenkristallmaterial. De Substrat kann direkt an d'Waferherstellung agoen...
Liest méi
Aféierung an d'Technologie vun der Dënnschichtoflagerung (CVD)
vum Admin den 24-05-06
Chemesch Dampfoflagerung (CVD) ass eng wichteg Dënnschichtoflagerungstechnologie, déi dacks benotzt gëtt fir verschidde funktionell Filmer an Dënnschichtmaterialien ze preparéieren, a gëtt wäit verbreet an der Hallefleederproduktioun an anere Beräicher benotzt. 1. Funktionsprinzip vu CVD Am CVD-Prozess gëtt e Gasvirleefer (een oder...)
Liest méi
De Geheimnis vum "schwaarze Gold" hannert der photovoltaescher Hallefleiterindustrie: de Wonsch an d'Ofhängegkeet vu isostateschem Graphit
vum Admin den 24-05-06
Isostatesche Graphit ass e ganz wichtegt Material a Photovoltaik a Hallefleeder. Mat dem schnelle Opstig vun inlännesche Firmen aus dem isostatesche Graphit ass de Monopol vun auslännesche Firmen a China gebrach ginn. Mat kontinuéierlecher onofhängeger Fuerschung an Entwécklung a mat technologeschen Duerchbréch, ...
Liest méi
Enthüllung vun den essentiellen Charakteristike vu Grafitbooter an der Fabrikatioun vu Hallefleiterkeramik
vum Admin den 24-04-22
Grafitbooter, och bekannt als Graphitbooter, spille eng entscheedend Roll an de komplizéierte Prozesser vun der Fabrikatioun vu Hallefleederkeramik. Dës spezialiséiert Gefässer déngen als zouverlässeg Träger fir Hallefleederwaferen während Héichtemperaturbehandlungen a garantéieren eng präzis a kontrolléiert Veraarbechtung. Mat ...
Liest méi
Déi intern Struktur vun der Uewenröhrenausrüstung gëtt am Detail erkläert
vum Admin den 24-04-22
Wéi uewe gewisen, ass eng typesch Déi éischt Hallschent: ▪ Heizelement (Heizspiral): ronderëm den Uewenröhrchen placéiert, normalerweis aus Widerstandsdrot gemaach, benotzt fir d'Innere vum Uewenröhrchen ze hëtzen. ▪ Quarzröhrchen: De Kär vun engem waarmen Oxidatiounsuewen, aus héichreinem Quarz gemaach, deen héijen Temperaturen aushält...
Liest méi
Auswierkunge vu SiC-Substrat an epitaktischen Materialien op d'Charakteristike vu MOSFET-Geräter
vum Admin den 24-04-16
Dräieckeg Defekt Dräieckeg Defekter sinn déi fatalst morphologesch Defekter an SiC-Epitaxialschichten. Eng grouss Zuel vun Literaturberichter huet gewisen, datt d'Bildung vun dräieckege Defekter mat der 3C-Kristallform zesummenhänkt. Wéinst verschiddene Wuesstumsmechanismen ass d'Morphologie vu ville...
Liest méi
Wuesstem vu SiC Siliziumcarbid Eenzelkristall
vum Admin den 24-04-16
Zënter senger Entdeckung huet Siliziumkarbid vill Opmierksamkeet op sech gezunn. Siliziumkarbid besteet aus hallwe Si-Atomer an hallwe C-Atomer, déi duerch kovalent Bindungen duerch Elektronepaar verbonne sinn, déi sp3-Hybridorbitaler deelen. An der Basisstruktureenheet vu sengem Eenzelkristall sinn véier Si-Atomer e...
Liest méi