-
Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC epitakzialuewen an homoepitaxialen Prozess-Ⅰ
Aktuell transforméiert sech d'SiC-Industrie vun 150 mm (6 Zoll) op 200 mm (8 Zoll). Fir der dréngender Nofro no groussen, héichqualitativen SiC-Homoepitaxialwaferen an der Industrie gerecht ze ginn, goufen 150 mm an 200 mm 4H-SiC-Homoepitaxialwaferen erfollegräich op Do...Liest méi -
Optimiséierung vun der poröser Kuelestoffporestruktur -Ⅱ
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Physikalesch a chemesch Aktivéierungsmethod D'physikalesch a chemesch Aktivéierungsmethod bezitt sech op d'Method fir poréis Materialien ze preparéieren andeems déi uewe genannten zwou Aktiounsweisen kombinéiert ginn...Liest méi -
Optimiséierung vun der poröser Kuelestoffporestruktur-Ⅰ
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Dëse Pabeier analyséiert den aktuellen Aktivkuelmaart, féiert eng detailléiert Analyse vun de Rohmaterialien vun Aktivkuel duerch, stellt d'Porenstruktur vir...Liest méi -
Hallefleiterprozessfluss-Ⅱ
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Ätzen vu Poly a SiO2: Duerno ginn den iwwerschëssege Poly a SiO2 ewechgeätzt, dat heescht ewechgeholl. Zu dësem Zäitpunkt gëtt direktional Ätzen benotzt. Bei der Klassifikatioun...Liest méi -
Prozessfluss am Hallefleiter
Dir kënnt et verstoen, och wann Dir nach ni Physik oder Mathematik studéiert hutt, awer et ass e bëssen ze einfach a gëeegent fir Ufänger. Wann Dir méi iwwer CMOS wësse wëllt, musst Dir den Inhalt vun dëser Ausgab liesen, well eréischt nodeems Dir de Prozessoflaf verstanen hutt (dat heescht...Liest méi -
Quelle vun der Kontaminatioun a Reinigung vu Hallefleiterwaferen
E puer organesch an anorganesch Substanzen sinn néideg fir un der Hallefleederproduktioun deelzehuelen. Zousätzlech, well de Prozess ëmmer an engem proppere Raum mat mënschlecher Bedeelegung duerchgefouert gëtt, sinn Hallefleederwaferen onvermeidbar duerch verschidden Ongereimtheeten kontaminéiert. Geméiss...Liest méi -
Verschmotzungsquellen a Präventioun an der Hallefleederindustrie
D'Produktioun vu Hallefleiterkomponenten ëmfaasst haaptsächlech diskret Komponenten, integréiert Schaltungen an hir Verpackungsprozesser. D'Produktioun vu Hallefleiter kann an dräi Etappen opgedeelt ginn: Produktioun vu Produktkierpermaterial, Produktwaferherstellung an Apparatmontage. Dorënner...Liest méi -
Firwat brauch een Ausdënnung?
An der Back-End-Veraarbechtungsphase muss de Wafer (Siliciumwafer mat Schaltungen op der viischter Säit) op der Récksäit verdënnt ginn, ier en duerno geschnidden, geschweesst a verpackt gëtt, fir d'Héicht vun der Montage vum Pak ze reduzéieren, de Volume vum Chippak ze reduzéieren an d'Wärmediffusioun vum Chip ze verbesseren...Liest méi -
Prozess vun der Synthese vu SiC-Eenkristallpulver mat héijer Rengheet
Am Siliziumkarbid-Eenkristall-Wuesstumsprozess ass de physesche Damptransport déi aktuell Mainstream-Industrialiséierungsmethod. Fir d'PVT-Wuesstumsmethod huet Siliziumkarbidpulver e groussen Afloss op de Wuesstumsprozess. All Parameter vum Siliziumkarbidpulver leeden...Liest méi