Neiegkeeten

  • Wat ass Wafer-Dicing?

    Wat ass Wafer-Dicing?

    E Wafer muss dräi Ännerunge maachen, fir e richtege Hallefleiterchip ze ginn: als éischt gëtt de blockfërmegen Ingot a Wafere geschnidden; am zweete Prozess ginn Transistoren op der viischter Säit vum Wafer duerch de virege Prozess gravéiert; schliisslech gëtt d'Verpakung duerchgefouert, dat heescht duerch de Schneidprozess...
    Liest méi
  • Uwendung vu Siliziumkarbidkeramik am Halbleiterberäich

    Uwendung vu Siliziumkarbidkeramik am Halbleiterberäich

    Dat bevorzugt Material fir Präzisiounsdeeler vu Photolithographiemaschinnen Am Hallefleederberäich gi Siliziumcarbid-Keramikmaterialien haaptsächlech a Schlësselausrüstung fir d'Fabrikatioun vun integréierte Schaltungen benotzt, wéi z. B. Siliziumcarbid-Aarbechtsdëscher, Führungsschinnen, Reflektoren, Keramik-Saugfutter, Äerm, ...
    Liest méi
  • Wat sinn déi sechs Systemer vun engem Eenkristalluewen

    Wat sinn déi sechs Systemer vun engem Eenkristalluewen

    En Eenzelkristalluewen ass en Apparat, deen e Graphitheizung benotzt fir polykristallin Siliziummaterialien an enger Inertgasëmfeld (Argon) ze schmëlzen an d'Czochralski-Method benotzt fir net-verréckelt Eenzelkristaller ze wuessen. E besteet haaptsächlech aus de folgende Systemer: Mechanesch...
    Liest méi
  • Firwat brauche mir Graphit am thermesche Feld vun engem Eenkristalluewen?

    Firwat brauche mir Graphit am thermesche Feld vun engem Eenkristalluewen?

    Den thermesche System vum vertikale Eenkristalluewen gëtt och thermescht Feld genannt. D'Funktioun vum Graphit-Thermofeldsystem bezitt sech op dat ganzt System fir Siliziummaterialien ze schmëlzen an den Eenkristallwuesstum op enger bestëmmter Temperatur ze halen. Einfach ausgedréckt, et ass e komplette Graphit...
    Liest méi
  • Verschidde Prozesser fir d'Schneiden vu Wafers fir Kraafthalbleiter

    Verschidde Prozesser fir d'Schneiden vu Wafers fir Kraafthalbleiter

    Waferschneiden ass ee vun de wichtege Glieder an der Produktioun vu Kraafthallefleeder. Dëse Schrëtt ass entwéckelt fir individuell integréiert Schaltungen oder Chips präzis vun Hallefleederwaferen ze trennen. De Schlëssel zum Waferschneiden ass et, eenzel Chips ze trennen, wärend séchergestallt gëtt, datt déi delikat Struktur...
    Liest méi
  • BCD-Prozess

    BCD-Prozess

    Wat ass de BCD-Prozess? De BCD-Prozess ass eng integréiert Prozesstechnologie mat engem eenzege Chip, déi fir d'éischt vun ST am Joer 1986 agefouert gouf. Dës Technologie kann bipolar, CMOS- an DMOS-Geräter um selwechte Chip erstellen. Säin Optrëtt reduzéiert d'Fläch vum Chip staark. Et kann ee soen, datt de BCD-Prozess déi voll...
    Liest méi
  • BJT, CMOS, DMOS an aner Halbleiterprozesstechnologien

    BJT, CMOS, DMOS an aner Halbleiterprozesstechnologien

    Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatiounen a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Wärend d'Produktiounsprozesser fir Hallefleeder weider Duerchbréch maachen, zirkuléiert eng berühmt Ausso mam Numm "Moore's Law" an der Industrie. Et gouf p...
    Liest méi
  • Flow-Etching vum Halbleiter-Musterprozess

    Flow-Etching vum Halbleiter-Musterprozess

    Déi fréi Naassätzung huet d'Entwécklung vu Reinigungs- oder Äschungsprozesser gefördert. Hautdesdaags ass d'Dréchenätzung mat Plasma zum Mainstream-Ätzprozess ginn. Plasma besteet aus Elektronen, Kationen a Radikaler. D'Energie, déi op de Plasma applizéiert gëtt, verursaacht, datt déi baussenzeg Elektronen vum ...
    Liest méi
  • Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC epitakzialuewen an homoepitaxialen Prozess-II

    Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC epitakzialuewen an homoepitaxialen Prozess-II

    2 Experimentell Resultater an Diskussioun 2.1 Epitaktesch Schichtdicke an Uniformitéit Epitaktesch Schichtdicke, Dotierungskonzentratioun an Uniformitéit sinn ee vun den Haaptindikatoren fir d'Qualitéit vun epitaktischen Waferen ze beuerteelen. Genee kontrolléierbar Dicke, Dotierungskonzentratioun...
    Liest méi
WhatsApp Online Chat!