Chemesch Vapordepositioun (CVD) ass eng wichteg Dënnschichtdepositiounstechnologie, déi dacks benotzt gëtt fir verschidde funktionell Filmer an Dënnschichtmaterialien ze preparéieren, a gëtt wäit verbreet an der Hallefleederproduktioun an anere Beräicher agesat.
1. Funktionsprinzip vun der CVD
Am CVD-Prozess gëtt e Gasvirleefer (eng oder méi gasfërmeg Virleeferverbindungen) a Kontakt mat der Substratoberfläche bruecht an op eng bestëmmt Temperatur erhëtzt, fir eng chemesch Reaktioun ze verursaachen an sech op der Substratoberfläch ofzesetzen, fir de gewënschte Film oder d'Beschichtungsschicht ze bilden. D'Produkt vun dëser chemescher Reaktioun ass e Feststoff, normalerweis eng Verbindung vum gewënschte Material. Wa mir Silizium op eng Uewerfläch peche wëllen, kënne mir Trichlorsilan (SiHCl3) als Virleefergas benotzen: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl. Silizium bindt sech un all ausgesat Uewerfläch (souwuel intern wéi extern), während Chlor- a Salzsäuregase aus der Kammer ofgeleet ginn.
2. CVD-Klassifikatioun
Thermesch CVD: Duerch d'Erhëtze vum Virleefergas fir en ze zersetzen an op der Substratoberfläche ofzesetzen. Plasma-verstäerkt CVD (PECVD): Plasma gëtt dem thermesche CVD bäigefüügt fir d'Reaktiounsgeschwindegkeet ze erhéijen an den Oflagerungsprozess ze kontrolléieren. Metallorganesch CVD (MOCVD): Mat Hëllef vu metallorganesche Verbindungen als Virleefergase kënnen dënn Filmer aus Metaller a Hallefleeder hiergestallt ginn, déi dacks bei der Fabrikatioun vun Apparater wéi LEDs benotzt ginn.
3. Uwendung
(1) Hallefleiterproduktioun
Silikadfolie: gëtt benotzt fir isoléierend Schichten, Substrater, Isolatiounsschichten, etc. ze preparéieren. Nitridfolie: gëtt benotzt fir Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, etc. ze preparéieren, gëtt an LEDs, Stroumversuergungsapparater, etc. benotzt. Metallfolie: gëtt benotzt fir leitfäeg Schichten, metalliséiert Schichten, etc. ze preparéieren.
(2) Displaytechnologie
ITO-Film: Transparent leetfäeg Oxidfilm, déi dacks a Flachbildschirmer an Touchscreens benotzt gëtt. Kupferfilm: gëtt benotzt fir Verpackungsschichten, leetfäeg Linnen, etc. ze preparéieren, fir d'Leeschtung vun Displaygeräter ze verbesseren.
(3) Aner Felder
Optesch Beschichtungen: dorënner antireflexiv Beschichtungen, optesch Filteren, etc. Antikorrosiounsbeschichtung: gëtt an Autosdeeler, Loftfaartapparater, etc. benotzt.
4. Charakteristike vum CVD-Prozess
Benotzt eng Ëmwelt mat héijer Temperatur fir d'Reaktiounsgeschwindegkeet ze förderen. Normalerweis an engem Vakuumëmfeld duerchgefouert. Kontaminanten op der Uewerfläch vum Deel musse virum Lackéiere ewechgeholl ginn. De Prozess kann Aschränkungen wat d'Substrater ugeet, déi beschichtet kënne ginn, hunn, z.B. Temperaturbeschränkungen oder Reaktivitéitsbeschränkungen. D'CVD-Beschichtung deckt all Beräicher vum Deel of, dorënner Gewënn, Blannlächer an intern Uewerflächen. Kann d'Fäegkeet limitéieren, spezifesch Zilberäicher ze maskéieren. D'Schichtdicke gëtt duerch Prozess- a Materialbedingungen limitéiert. Iwwerleeën Haftung.
5. Virdeeler vun der CVD-Technologie
Uniformitéit: Fäeg fir eng eenheetlech Oflagerung iwwer grouss Substrater ze erreechen.
Kontrolléierbarkeet: D'Oflagerungsquote an d'Filmseigenschaften kënnen ugepasst ginn andeems d'Duerchflussquote an d'Temperatur vum Virleefergas kontrolléiert ginn.
Vielfältegkeet: Gëeegent fir d'Oflagerung vun enger Vielfalt vu Materialien, wéi Metaller, Halbleiter, Oxiden, asw.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 06. Mee 2024