Neiegkeeten

Wat ass de Planariséierungsmechanismus vum CMP?
vum Admin den 24-11-25
Dual-Damascene ass eng Prozesstechnologie, déi benotzt gëtt fir Metallverbindungen an integréierte Schaltungen ze produzéieren. Et ass eng Weiderentwécklung vum Damaskus-Prozess. Duerch d'Formung vu Lächer a Rillen gläichzäiteg am selwechte Prozessschratt a Fëllung mat Metall, kann déi integréiert Fabrikatioun vu m...
Liest méi
Grafit mat TaC-Beschichtung
vum Admin den 24-11-21
I. Prozessparameteruntersuchung 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar System 2. Oflagerungstemperatur: No der thermodynamescher Formel gëtt berechent, datt wann d'Temperatur méi héich wéi 1273K ass, d'Gibbs-fräi Energie vun der Reaktioun ganz niddreg ass an d'Reaktioun relativ ofgeschloss ass. D'Realitéit...
Liest méi
Siliziumkarbid Kristallwuesstemsprozess an Ausrüstungstechnologie
vum Admin den 24-11-21
1. SiC Kristallwuesstemstechnologie Wee PVT (Sublimatiounsmethod), HTCVD (Héichtemperatur-CVD), LPE (Flëssegkeetsphasemethod) sinn dräi üblech SiC Kristallwuesstemsmethoden; Déi bekanntst Method an der Industrie ass d'PVT-Method, a méi wéi 95% vun de SiC-Eenzelkristaller ginn duerch d'PVT ...
Liest méi
Virbereedung a Leeschtungsverbesserung vu porösen Silizium-Kuelestoff-Kompositmaterialien
vum Admin den 24-11-13
Lithium-Ionen-Batterien entwéckele sech haaptsächlech a Richtung vun héijer Energiedicht. Bei Raumtemperatur legéiere sech negativ Elektrodenmaterialien op Siliziumbasis mat Lithium fir e lithiumräicht Produkt Li3.75Si Phas ze produzéieren, mat enger spezifescher Kapazitéit vu bis zu 3572 mAh/g, wat vill méi héich ass wéi d'Theorie...
Liest méi
Thermesch Oxidatioun vu Single Crystal Silizium
vum Admin den 24-11-13
D'Bildung vu Siliziumdioxid op der Uewerfläch vu Silizium gëtt Oxidatioun genannt, an d'Schafung vu stabilem a staark adhäréierendem Siliziumdioxid huet zur Gebuert vun der Silizium-Integratiounsschaltung fir Planartechnologie gefouert. Och wann et vill Méiglechkeeten gëtt, Siliziumdioxid direkt op der Uewerfläch vu Silizium ze wuessen...
Liest méi
UV-Veraarbechtung fir Fan-Out Wafer-Level Verpackungen
vum Admin den 24-11-05
Fan-out Wafer-Level-Verpackung (FOWLP) ass eng käschtegënschteg Method an der Hallefleederindustrie. Mee déi typesch Niewewierkunge vun dësem Prozess sinn Verzerrung a Chip-Offset. Trotz der kontinuéierlecher Verbesserung vun der Wafer-Level- a Panel-Level-Fan-out-Technologie ginn et dës Problemer am Zesummenhang mam Formen nach ëmmer...
Liest méi
Siliziumkarbidkeramik: den Terminator vu photovoltaesche Quarzkomponenten
vum Admin den 24-11-05
Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun der haiteger Welt gëtt d'net erneierbar Energie ëmmer méi ausgeschöpft, an d'mënschlech Gesellschaft ass ëmmer méi dringend drop aus, erneierbar Energien ze benotzen, déi duerch "Wand, Liicht, Waasser an Atomkraaft" representéiert ginn. Am Verglach mat aneren erneierbaren Energiequellen ass de Mënsch...
Liest méi
Reaktiounssinterung a drocklos Sinterung vu Siliziumcarbid-Keramikvirbereedungsprozess
vum Admin den 24-10-29
Reaktiounssinteren De Reaktiounssinterprozess fir d'Produktioun vu Siliziumcarbid-Keramik ëmfaasst d'Verdichtung vu Keramik, d'Verdichtung vu Flux-Infiltratiounsmëttel duerch d'Sinteren, d'Virbereedung vu Keramikprodukter duerch d'Reaktiounssinteren, d'Virbereedung vu Siliziumcarbid-Holzkeramik an aner Schrëtt. Reaktiounssinteren vu Siliziumcarbid ...
Liest méi
Siliziumkarbidkeramik: Präzisiounskomponenten, déi fir Hallefleederprozesser noutwendeg sinn
vum Admin den 24-10-29
D'Photolithographie-Technologie konzentréiert sech haaptsächlech op d'Benotzung vun optesche Systemer fir Schaltungsmuster op Siliziumwaferen ze beliichten. D'Genauegkeet vun dësem Prozess beaflosst direkt d'Leeschtung an d'Ausbezuelung vun integréierte Schaltungen. Als eng vun den Top-Ausrüstungen fir Chipfabrikatioun enthält d'Lithographiemaschinn bis zu...
Liest méi