Neiegkeeten

Firwat ass Silizium sou haart awer sou brécheg?
vum Admin den 24-12-10
Silizium ass en Atomkristall, deem seng Atomer duerch kovalent Bindungen matenee verbonne sinn a sou eng raimlech Netzwierkstruktur bilden. An dëser Struktur sinn déi kovalent Bindungen tëscht den Atomer ganz direktional an hunn eng héich Bindungsenergie, wouduerch Silizium eng héich Häert weist, wann et sech géint extern Kräfte widdersetzt...
Liest méi
Firwat béien sech d'Säitewänn beim Dréchenätzung?
vum Admin den 24-12-03
Net-Uniformitéit vum Ionenbombardement Dréchent Ätzen ass normalerweis e Prozess, deen physikalesch a chemesch Effekter kombinéiert, bei deem Ionenbombardement eng wichteg physikalesch Ätzmethod ass. Wärend dem Ätzprozess kënnen den Afallwénkel an d'Energieverdeelung vun den Ionen ongläichméisseg sinn. Wann den Ionenafall...
Liest méi
Aféierung an dräi üblech CVD-Technologien
vum Admin den 24-12-03
Chemesch Dampfoflagerung (CVD) ass déi am meeschte verbreet Technologie an der Hallefleederindustrie fir d'Oflagerung vun enger Vielfalt vu Materialien, dorënner eng breet Palette vun Isolatiounsmaterialien, déi meescht Metallmaterialien a Metalllegierungsmaterialien. CVD ass eng traditionell Dënnschichtvirbereedungstechnologie. Seng Prinzipien...
Liest méi
Kann Diamant aner Hallefleederkomponenten mat héijer Leeschtung ersetzen?
vum Admin den 24-11-25
Als Grondstee vun modernen elektroneschen Apparater maachen Hallefleedermaterialien ongehéiert Verännerungen duerch. Haut weist Diamant lues a lues säi grousst Potenzial als Hallefleedermaterial vun der véierter Generatioun mat senge exzellenten elektreschen an thermesche Eegeschaften a Stabilitéit ënner extremen Bedéngungen...
Liest méi
Wat ass de Planariséierungsmechanismus vum CMP?
vum Admin den 24-11-25
Dual-Damascene ass eng Prozesstechnologie, déi benotzt gëtt fir Metallverbindungen an integréierte Schaltungen ze produzéieren. Et ass eng Weiderentwécklung vum Damaskus-Prozess. Duerch d'Formung vu Lächer a Rillen gläichzäiteg am selwechte Prozessschratt a Fëllung mat Metall, kann déi integréiert Fabrikatioun vu m...
Liest méi
Grafit mat TaC-Beschichtung
vum Admin den 24-11-21
I. Prozessparameteruntersuchung 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar System 2. Oflagerungstemperatur: No der thermodynamescher Formel gëtt berechent, datt wann d'Temperatur méi héich wéi 1273K ass, d'Gibbs-fräi Energie vun der Reaktioun ganz niddreg ass an d'Reaktioun relativ ofgeschloss ass. D'Realitéit...
Liest méi
Siliziumkarbid Kristallwuesstemsprozess an Ausrüstungstechnologie
vum Admin den 24-11-21
1. SiC Kristallwuesstemstechnologie Wee PVT (Sublimatiounsmethod), HTCVD (Héichtemperatur-CVD), LPE (Flëssegkeetsphasemethod) sinn dräi üblech SiC Kristallwuesstemsmethoden; Déi bekanntst Method an der Industrie ass d'PVT-Method, a méi wéi 95% vun de SiC-Eenzelkristaller ginn duerch d'PVT ...
Liest méi
Virbereedung a Leeschtungsverbesserung vu porösen Silizium-Kuelestoff-Kompositmaterialien
vum Admin den 24-11-13
Lithium-Ionen-Batterien entwéckele sech haaptsächlech a Richtung vun héijer Energiedicht. Bei Raumtemperatur legéiere sech negativ Elektrodenmaterialien op Siliziumbasis mat Lithium fir e lithiumräicht Produkt Li3.75Si Phas ze produzéieren, mat enger spezifescher Kapazitéit vu bis zu 3572 mAh/g, wat vill méi héich ass wéi d'Theorie...
Liest méi
Thermesch Oxidatioun vu Single Crystal Silizium
vum Admin den 24-11-13
D'Bildung vu Siliziumdioxid op der Uewerfläch vu Silizium gëtt Oxidatioun genannt, an d'Schafung vu stabilem a staark adhäréierendem Siliziumdioxid huet zur Gebuert vun der Silizium-Integratiounsschaltung fir Planartechnologie gefouert. Och wann et vill Méiglechkeeten gëtt, Siliziumdioxid direkt op der Uewerfläch vu Silizium ze wuessen...
Liest méi