Chemesch Dampfdepositioun(CVD)ass déi am meeschte verbreet Technologie an der Hallefleederindustrie fir d'Oflagerung vun enger Vielfalt vu Materialien, dorënner eng breet Palette vun Isolatiounsmaterialien, déi meescht Metallmaterialien a Metalllegierungsmaterialien.
CVD ass eng traditionell Technologie fir d'Virbereedung vun Dënnschichtmaterialien. Säi Prinzip besteet doran, gasfërmeg Virgänger ze benotzen, fir verschidde Komponenten am Virgänger duerch chemesch Reaktiounen tëscht Atomer a Molekülen ze zersetzen, an dann en dënne Film um Substrat ze bilden. Déi grondleeënd Charakteristike vun der CVD sinn: chemesch Ännerungen (chemesch Reaktiounen oder thermesch Zersetzung); all Materialien am Film kommen aus externen Quellen; d'Reaktanten mussen un der Reaktioun a Form vun enger Gasphas deelhuelen.
Nidderdrockchemesch Vapordepositioun (LPCVD), plasmaverstäerkt chemesch Vapordepositioun (PECVD) an héichdichteg Plasmachemesch Vapordepositioun (HDP-CVD) sinn dräi üblech CVD-Technologien, déi bedeitend Ënnerscheeder an der Materialdepositioun, den Ausrüstungsufuerderungen, de Prozessbedingungen, etc. hunn. Déi folgend ass eng einfach Erklärung a Verglach vun dësen dräi Technologien.
1. LPCVD (Nidderdrock-CVD)
Prinzip: E CVD-Prozess ënner Nidderdrockbedingungen. Säi Prinzip ass et, de Reaktiounsgas ënner Vakuum oder Nidderdrock an d'Reaktiounskammer ze injizéieren, de Gas bei héijer Temperatur ze zersetzen oder ze reagéieren, an e feste Film ze bilden, deen op der Substratoberfläche ofgesat gëtt. Well den niddregen Drock d'Gaskollisioun an d'Turbulenz reduzéiert, ginn d'Uniformitéit an d'Qualitéit vum Film verbessert. LPCVD gëtt wäit verbreet a Siliziumdioxid (LTO TEOS), Siliziumnitrid (Si3N4), Polysilizium (POLY), Phosphosilikatglas (BSG), Borphosphosilikatglas (BPSG), dotiertem Polysilizium, Graphen, Kuelestoffnanoröhrchen an aner Filmer benotzt.
Fonctiounen:
▪ Prozesstemperatur: normalerweis tëscht 500~900°C, d'Prozesstemperatur ass relativ héich;
▪ Gasdrockberäich: Nidderdrockëmfeld vun 0,1~10 Torr;
▪ Filmqualitéit: héich Qualitéit, gutt Uniformitéit, gutt Dicht a wéineg Mängel;
▪ Oflagerungsquote: lues Oflagerungsquote;
▪ Uniformitéit: gëeegent fir grouss Substrater, gläichméisseg Oflagerung;
Virdeeler an Nodeeler:
▪ Kann ganz eenheetlech a dicht Filmer ofsetzen;
▪ Funktionéiert gutt op grousse Substrater, gëeegent fir Masseproduktioun;
▪ Niddreg Käschten;
▪ Héich Temperatur, net gëeegent fir hëtzemfindlech Materialien;
▪ D'Oflagerungsquote ass lues an d'Produktioun ass relativ niddreg.
2. PECVD (Plasmaverstäerkt CVD)
Prinzip: Plasma gëtt benotzt fir Gasphasreaktiounen bei méi niddregen Temperaturen z'aktivéieren, d'Moleküle am Reaktiounsgas ze ioniséieren an ze zersetzen, an dann dënn Schichten op der Substratoberfläche ofzesetzen. D'Energie vum Plasma kann d'Temperatur, déi fir d'Reaktioun erfuerderlech ass, staark reduzéieren an huet e breet Spektrum vun Uwendungen. Verschidde Metallschichten, anorganesch Schichten an organesch Schichte kënne virbereet ginn.
Fonctiounen:
▪ Prozesstemperatur: normalerweis tëscht 200~400°C, d'Temperatur ass relativ niddreg;
▪ Gasdrockberäich: normalerweis Honnerte vu mTorr bis zu e puer Torr;
▪ Filmqualitéit: obwuel d'Filmuniformitéit gutt ass, sinn d'Dicht an d'Qualitéit vum Film net sou gutt wéi LPCVD wéinst Defekter, déi duerch Plasma agefouert kënne ginn;
▪ Oflagerungsquote: héich Quote, héich Produktiounseffizienz;
▪ Uniformitéit: liicht mannerwäerteg wéi LPCVD op grousse Substrater;
Virdeeler an Nodeeler:
▪ Dënn Schichten kënnen bei méi niddregen Temperaturen ofgesat ginn, wat fir hëtzeempfindlech Materialien gëeegent ass;
▪ Schnell Oflagerungsgeschwindegkeet, gëeegent fir effizient Produktioun;
▪ Flexibele Prozess, Filmeegeschafte kënnen duerch Upassung vu Plasmaparameter kontrolléiert ginn;
▪ Plasma kann Filmdefekter wéi Lächer oder Net-Uniformitéit verursaachen;
▪ Am Verglach mat LPCVD sinn d'Filmedicht an d'Qualitéit liicht méi schlecht.
3. HDP-CVD (Héichdicht-Plasma-CVD)
Prinzip: Eng speziell PECVD-Technologie. HDP-CVD (och bekannt als ICP-CVD) kann eng méi héich Plasmadicht a Qualitéit produzéieren ewéi traditionell PECVD-Ausrüstung bei méi niddregen Oflagerungstemperaturen. Zousätzlech bitt HDP-CVD eng bal onofhängeg Ionenflux- a Energiekontroll, wat d'Fëllungskapazitéite fir Trench- oder Lächer bei usprochsvollen Filmoflagerungen, wéi z. B. antireflexbeschichtungen, Oflagerung vu Materialien mat gerénger dielektrescher Konstant, etc., verbessert.
Fonctiounen:
▪ Prozesstemperatur: Raumtemperatur bis 300 ℃, d'Prozesstemperatur ass ganz niddreg;
▪ Gasdrockberäich: tëscht 1 an 100 mTorr, méi niddereg wéi PECVD;
▪ Filmqualitéit: héich Plasmadicht, héich Filmqualitéit, gutt Uniformitéit;
▪ Oflagerungsquote: D'Oflagerungsquote läit tëscht LPCVD a PECVD, liicht méi héich wéi LPCVD;
▪ Uniformitéit: wéinst dem Plasma mat héijer Dicht ass d'Filmuformitéit exzellent, gëeegent fir komplex geformte Substratoberflächen;
Virdeeler an Nodeeler:
▪ Fäeg fir héichqualitativ Folien bei méi niddregen Temperaturen ofzesetzen, ganz gëeegent fir hëtzeempfindlech Materialien;
▪ Excellent Filmuniformitéit, Dicht a Gläichméissegkeet vun der Uewerfläch;
▪ Eng méi héich Plasmadicht verbessert d'Oflagerungsuniformitéit an d'Film-Eegeschafte;
▪ Komplizéiert Ausrüstung a méi héich Käschten;
▪ D'Oflagerungsgeschwindegkeet ass lues, an eng méi héich Plasmaenergie kann e klenge Schued verursaachen.
Wëllkomm all Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 03. Dezember 2024