D'Bildung vu Siliziumdioxid op der Uewerfläch vu Silizium gëtt Oxidatioun genannt, an d'Schafung vu stabilem a staark adhäriven Siliziumdioxid huet zur Gebuert vun der Planartechnologie vu Silizium-Integratiounsschaltungen gefouert. Obwuel et vill Méiglechkeeten gëtt, Siliziumdioxid direkt op der Uewerfläch vu Silizium ze wuessen, gëtt dat normalerweis duerch thermesch Oxidatioun gemaach, dat heescht, datt de Silizium enger oxidéierender Ëmwelt mat héijer Temperatur (Sauerstoff, Waasser) ausgesat gëtt. Thermesch Oxidatiounsmethoden kënnen d'Schichtdicke an d'Charakteristike vun der Silizium/Siliziumdioxid-Grenzfläche während der Virbereedung vu Siliziumdioxid-Schichten kontrolléieren. Aner Technike fir de Siliziumdioxid ze wuessen sinn Plasmaanodiséierung a Naassanodiséierung, awer keng vun dësen Technike gouf wäit verbreet a VLSI-Prozesser benotzt.
Silizium weist d'Tendenz, stabilt Siliziumdioxid ze bilden. Wann frësch gespaltent Silizium engem oxidéierenden Ëmfeld (wéi Sauerstoff, Waasser) ausgesat gëtt, bildt et eng ganz dënn Oxidschicht (<20 Å), och bei Raumtemperatur. Wann Silizium engem oxidéierenden Ëmfeld bei héijer Temperatur ausgesat gëtt, gëtt eng méi déck Oxidschicht mat enger méi schneller Geschwindegkeet generéiert. De Basismechanismus vun der Siliziumdioxidbildung aus Silizium ass gutt verstanen. Deal a Grove hunn e mathematescht Modell entwéckelt, dat d'Wuesstumsdynamik vun Oxidfilmer, déi méi déck wéi 300 Å sinn, genee beschreift. Si hunn proposéiert, datt d'Oxidatioun op déi folgend Manéier duerchgefouert gëtt, dat heescht, den Oxidatiounsmëttel (Waassermoleküle a Sauerstoffmoleküle) diffundéiert duerch déi existent Oxidschicht op d'Si/SiO2-Grenzfläche, wou den Oxidatiounsmëttel mat Silizium reagéiert fir Siliziumdioxid ze bilden. Déi Haaptreaktioun fir Siliziumdioxid ze bilden gëtt wéi follegt beschriwwen:
D'Oxidatiounsreaktioun geschitt op der Si/SiO2-Grenzfläche, sou datt wann d'Oxidschicht wiisst, Silizium kontinuéierlech verbraucht gëtt an d'Grenzfläche graduell Silizium iwwerfällt. Jee no der entspriechender Dicht a Molekulargewiicht vu Silizium a Siliziumdioxid kann een feststellen, datt de verbrauchte Silizium fir d'Déckt vun der leschter Oxidschicht 44% ass. Op dës Manéier, wann d'Oxidschicht ëm 10.000 Å wiisst, ginn 4400 Å Silizium verbraucht. Dës Relatioun ass wichteg fir d'Berechnung vun der Héicht vun de Stufen, déi um ... geformt ginn.SiliziumwaferD'Schrëtt sinn d'Resultat vun ënnerschiddlechen Oxidatiounsraten op verschiddene Plazen op der Uewerfläch vum Siliziumwafer.
Mir liwweren och héichreine Graphit- a Siliziumcarbidprodukter, déi wäit verbreet an der Waferveraarbechtung wéi Oxidatioun, Diffusioun an Glühung benotzt ginn.
Wëllkomm all Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!
https://www.vet-china.com/
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 13. November 2024