Net-Uniformitéit vum Ionenbombardement
DréchenÄtzungass normalerweis e Prozess, deen physikalesch a chemesch Effekter kombinéiert, bei deem Ionenbombardement eng wichteg physikalesch Ätzmethod ass. Wärend demÄtzprozess, kënnen den Afallswénkel an d'Energieverdeelung vun Ionen ongläichméisseg sinn.
Wann den Ionenafallwénkel op verschiddene Positiounen op der Säitewand ënnerschiddlech ass, wäert den Ätzeffekt vun den Ionen op der Säitewand och ënnerschiddlech sinn. A Beräicher mat gréisseren Ionenafallwénkelen ass den Ätzeffekt vun den Ionen op der Säitewand méi staark, wat dozou féiert, datt d'Säitewand an dësem Beräich méi geätzt gëtt, wouduerch d'Säitewand sech béit. Zousätzlech wäert déi ongläichméisseg Verdeelung vun der Ionenenergie och ähnlech Effekter produzéieren. Ionen mat méi héijer Energie kënnen Materialien méi effektiv ewechhuelen, wat zu ongläiche ... féiert.ÄtzungGrad vun der Säitewand op verschiddene Positiounen, wat dann dozou féiert, datt d'Säitewand sech biegt.
Den Afloss vum Photoresist
Photoresist spillt d'Roll vun enger Mask beim Dréchenätzung a schützt Beräicher, déi net geätzt musse ginn. Wéi och ëmmer, de Photoresist gëtt och vum Plasmabombardement a chemesche Reaktiounen während dem Ätzprozess beaflosst, a seng Leeschtung ka sech änneren.
Wann d'Déckt vum Photoresist ongläichméisseg ass, de Verbrauchsquote während dem Ätzprozess net konsequent ass oder d'Adhäsioun tëscht dem Photoresist an dem Substrat op verschiddene Plazen ënnerschiddlech ass, kann dat zu engem ongläiche Schutz vun de Säitewänn während dem Ätzprozess féieren. Zum Beispill kënnen Beräicher mat méi dënnem Photoresist oder enger méi schwaacher Adhäsioun et méi einfach maachen, datt d'Ënnerlagmaterial méi einfach geätzt gëtt, wouduerch d'Säitewänn op dëse Plazen sech béien.
Ënnerscheeder an den Eegeschafte vum Substratmaterial
Dat geätzt Substratmaterial selwer kann ënnerschiddlech Eegeschafte hunn, wéi zum Beispill ënnerschiddlech Kristallorientéierungen an Dotierungskonzentratiounen a verschiddene Regiounen. Dës Ënnerscheeder beaflossen d'Ätzegeschwindegkeet an d'Ätzeselektivitéit.
Zum Beispill ass a kristallinem Silizium d'Arrangement vun de Siliziumatome an de verschiddene Kristallorientéierungen ënnerschiddlech, an hir Reaktivitéit an Ätzgeschwindegkeet mam Ätzgas wäerten och ënnerschiddlech sinn. Wärend dem Ätzprozess wäerten déi ënnerschiddlech Ätzgeschwindegkeeten, déi duerch d'Ënnerscheeder an de Materialeegeschafte verursaacht ginn, d'Ätzdéift vun de Säitewänn op verschiddene Plazen onkonsequent maachen, wat schlussendlech zu enger Béiung vun de Säitewänn féiert.
Ausrüstungsbezunnen Faktoren
D'Leeschtung an den Zoustand vun der Ätzausrüstung hunn och e wichtegen Afloss op d'Ätzresultater. Zum Beispill kënne Problemer wéi eng ongläichméisseg Plasmaverdeelung an der Reaktiounskammer an ongläichméissegen Elektrodenverschleiss zu enger ongläichméisseger Verdeelung vu Parameteren wéi Ionendichte an Energie op der Waferuewerfläch beim Ätzen féieren.
Zousätzlech kënnen eng ongläichméisseg Temperaturkontroll vun der Ausrüstung a liicht Schwankungen am Gasfloss och d'Uniformitéit vum Ätzen beaflossen, wat zu enger Biegung vun der Säitewand féiert.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 03. Dezember 2024