Neiegkeeten

Quelle vun der Kontaminatioun a Reinigung vu Hallefleiterwaferen
vum Admin den 24-08-13
Fir un der Hallefleederproduktioun deelzehuelen, sinn e puer organesch an anorganesch Substanzen noutwendeg. Zousätzlech, well de Prozess ëmmer an engem proppere Raum mat mënschlecher Bedeelegung duerchgefouert gëtt, sinn Hallefleederwaferen onvermeidbar duerch verschidden Ongereimtheeten kontaminéiert. Geméiss...
Liest méi
Verschmotzungsquellen a Präventioun an der Hallefleederindustrie
vum Admin den 24-08-13
D'Produktioun vu Hallefleiterkomponenten ëmfaasst haaptsächlech diskret Komponenten, integréiert Schaltungen an hir Verpackungsprozesser. D'Produktioun vu Hallefleiterkomponenten kann an dräi Etappen opgedeelt ginn: Produktioun vu Produktkierpermaterial, Produktwaferherstellung an Apparatmontage. Dorënner...
Liest méi
Firwat brauch een Ausdënnung?
vum Admin den 24-08-08
An der Back-End-Veraarbechtungsphase muss de Wafer (Siliciumwafer mat Schaltungen op der viischter Säit) op der Récksäit verdënnt ginn, ier en duerno geschnidden, geschweesst a verpackt gëtt, fir d'Héicht vun der Montage vum Pak ze reduzéieren, de Volume vum Chippak ze reduzéieren an d'Wärmediffusioun vum Chip ze verbesseren...
Liest méi
Prozess vun der Synthese vu SiC-Eenkristallpulver mat héijer Rengheet
vum Admin den 24-08-08
Am Siliziumkarbid-Eenkristall-Wuesstumsprozess ass de physesche Damptransport déi aktuell Mainstream-Industrialiséierungsmethod. Fir d'PVT-Wuesstumsmethod huet Siliziumkarbidpulver e groussen Afloss op de Wuesstumsprozess. All Parameter vum Siliziumkarbidpulver leeden...
Liest méi
Firwat enthält eng Wafer-Këscht 25 Waferen?
vum Admin den 24-07-30
An der sophistikéierter Welt vun der moderner Technologie sinn Waferen, och bekannt als Siliziumwaferen, déi zentral Komponenten vun der Hallefleederindustrie. Si sinn d'Basis fir d'Produktioun vu verschiddenen elektronesche Komponenten wéi Mikroprozessoren, Speicher, Sensoren, etc., an all Wafer...
Liest méi
Dacks benotzt Sockel fir Dampphase-Epitaxie
vum Admin den 24-07-30
Wärend dem Gasphase-Epitaxieprozess (VPE) ass d'Roll vum Sockel d'Substrat z'ënnerstëtzen an eng gläichméisseg Erhëtzung während dem Wuesstumsprozess ze garantéieren. Verschidde Sockeltypen si fir verschidde Wuesstumsbedingungen a Materialsystemer gëeegent. Hei sinn e puer...
Liest méi
Wéi kann een d'Liewensdauer vun Tantalkarbid-beschichtete Produkter verlängeren?
vum Admin den 24-07-26
Tantalkarbidbeschichtete Produkter sinn e wäit verbreeten Héichtemperaturmaterial, dat sech duerch héich Temperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Verschleißbeständegkeet usw. charakteriséiert. Dofir gi se wäit verbreet an Industrien wéi Loftfaart, Chimie an Energie benotzt. Fir ...
Liest méi
Wat ass den Ënnerscheed tëscht PECVD an LPCVD an Hallefleiter-CVD-Ausrüstung?
vum Admin den 24-07-24
Chemesch Dampfoflagerung (CVD) bezitt sech op de Prozess vun der Oflagerung vun engem feste Film op der Uewerfläch vun engem Siliziumwafer duerch eng chemesch Reaktioun vun engem Gasmëschung. Jee no de verschiddene Reaktiounsbedingungen (Drock, Virleefer) kann et a verschidden Ausrüstung opgedeelt ginn...
Liest méi
Charakteristike vun der Siliziumkarbid-Grafitform
vum Admin den 24-07-18
Siliziumkarbid-Graphitform Eng Siliziumkarbid-Graphitform ass eng Kompositform mat Siliziumkarbid (SiC) als Basis a Graphit als Verstäerkungsmaterial. Dës Form huet eng exzellent Wärmeleitfäegkeet, héich Temperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet a...
Liest méi