Verschidde organesch an anorganesch Substanzen sinn néideg fir un der Hallefleederproduktioun deelzehuelen. Zousätzlech, well de Prozess ëmmer an engem proppere Raum mat mënschlecher Bedeelegung duerchgefouert gëtt, kënnen Hallefleeder...Waffelensinn onvermeidbar duerch verschidden Ongereimtheeten kontaminéiert.
Jee no der Quell an der Natur vun de Kontaminanten kënne se ongeféier a véier Kategorien agedeelt ginn: Partikelen, organesch Matière, Metallionen an Oxiden.
1. Partikelen:
D'Partikelen sinn haaptsächlech e puer Polymeren, Photoresisten an Ätzongereien.
Sou Kontaminanten verloossen sech normalerweis op intermolekulare Kräfte fir op der Uewerfläch vum Wafer ze adsorbéieren, wat d'Bildung vu geometresche Figuren an d'elektresch Parameteren vum Photolithographieprozess vum Apparat beaflosst.
Sou Kontaminanten ginn haaptsächlech ewechgeholl andeems hir Kontaktfläch mat der Uewerfläch graduell reduzéiert gëtt.Waferduerch physikalesch oder chemesch Methoden.
2. Organesch Matière:
D'Quelle vun organeschen Ongereimtheeten si relativ breet, wéi zum Beispill mënschlecht Hautueleg, Bakterien, Maschinnueleg, Staubsaugerfett, Photoresist, Botzmëttel, asw.
Sou Kontaminanten bilden normalerweis en organesche Film op der Uewerfläch vum Wafer, fir ze verhënneren datt d'Botzflëssegkeet d'Uewerfläch vum Wafer erreecht, wat zu enger onvollstänneger Reinigung vun der Waferuewerfläch féiert.
D'Entfernung vun esou Kontaminanten gëtt dacks am éischte Schrëtt vum Botzprozess duerchgefouert, haaptsächlech mat chemesche Methoden wéi Schwefelsäure a Waasserstoffperoxid.
3. Metallionen:
Zu de gängegen Metallverunreinheeten gehéieren Eisen, Koffer, Aluminium, Chrom, Goss, Titan, Natrium, Kalium, Lithium, etc. Déi Haaptquelle sinn verschidden Geschir, Päifen, chemesch Reagenzien a Metallverschmotzung, déi entsteet, wa Metallverbindunge während der Veraarbechtung entstinn.
Dës Zort vun Onreinheet gëtt dacks duerch chemesch Methoden duerch d'Bildung vu Metallionenkomplexe ewechgeholl.
4. Oxid:
Wann HallefleederWaffelenenger Ëmwelt mat Sauerstoff a Waasser ausgesat sinn, bildt sech eng natierlech Oxidschicht op der Uewerfläch. Dësen Oxidfilm behënnert vill Prozesser an der Hallefleederproduktioun an enthält och bestëmmt Metallverunreinheeten. Ënner bestëmmte Konditioune bilden si elektresch Defekter.
D'Entfernung vun dësem Oxidfilm gëtt dacks duerch Aweiung an verdënntem Flusssäure ofgeschloss.
Allgemeng Reinigungssequenz
Ongereimtheeten, déi op der Uewerfläch vum Halbleiter adsorbéiert sinnWaffelenkann an dräi Zorten opgedeelt ginn: molekular, ionesch an atomar.
Dorënner ass d'Adsorptiounskraaft tëscht molekulare Ongereinheeten an der Uewerfläch vum Wafer schwaach, an dës Zort vun Ongereinheetspartikelen ass relativ einfach ze entfernen. Et sinn haaptsächlech ueleg Ongereinheeten mat hydrophoben Eegeschaften, déi eng Maskéierung fir ionesch an atomar Ongereinheeten ubidden kënnen, déi d'Uewerfläch vun den Hallefleederwafer kontaminéieren, wat net zur Entfernung vun dësen zwou Zorte vun Ongereinheeten bäidréit. Dofir sollten, wann d'Hallefleederwafer chemesch gebotzt ginn, d'molekular Ongereinheeten als éischt ewechgeholl ginn.
Dofir ass déi allgemeng Prozedur vum HalbleiterWaferReinigungsprozess ass:
Demolekularisatioun-Deioniséierung-Deatomisatioun-deioniséiert Waasserspülung.
Zousätzlech, fir déi natierlech Oxidschicht op der Uewerfläch vum Wafer ze entfernen, muss e Schratt mat verdënntem Aminosäure-Wäsch bäigefüügt ginn. Dofir ass d'Iddi vun der Reinigung als éischt d'organesch Kontaminatioun op der Uewerfläch ze entfernen; dann d'Oxidschicht opzeléisen; schliisslech Partikelen a Metallkontaminatioun ze entfernen, an d'Uewerfläch gläichzäiteg ze passivéieren.
Allgemeng Reinigungsmethoden
Chemesch Methode ginn dacks fir d'Botzen vu Hallefleiterwafers benotzt.
Chemesch Reinigung bezitt sech op de Prozess bei deem verschidde chemesch Reagenzien an organesche Léisungsmëttel benotzt ginn, fir Ongereinheeten an Uelegflecken op der Uewerfläch vum Wafer ze reagéieren oder opzeléisen, fir Ongereinheeten ze desorbéieren, an duerno mat enger grousser Quantitéit u reinem waarmem a kalem deioniséiertem Waasser ofzespullen, fir eng propper Uewerfläch ze kréien.
Chemesch Reinigung kann a naass chemesch Reinigung an dréchen chemesch Reinigung opgedeelt ginn, dorënner ass naass chemesch Reinigung nach ëmmer dominant.
Naass chemesch Reinigung
1. Naass chemesch Reinigung:
Naass chemesch Reinigung ëmfaasst haaptsächlech Immersioun an enger Léisung, mechanesch Schrubben, Ultraschallreinigung, Megaschallreinigung, Rotatiounssprëtzen, etc.
2. Léisungstauchung:
Léisungsimmerung ass eng Method fir Uewerflächenkontaminatioun ze entfernen andeems de Wafer an eng chemesch Léisung getippt gëtt. Et ass déi meescht benotzt Method bei der naasser chemescher Reinigung. Verschidde Léisunge kënne benotzt ginn fir verschidden Aarte vu Kontaminanten op der Uewerfläch vum Wafer ze entfernen.
Normalerweis kann dës Method keng Ongereinheeten op der Uewerfläch vum Wafer komplett ewechhuelen, dofir ginn dacks kierperlech Moossnamen wéi Erhëtzen, Ultraschall a Réieren beim Tauchen benotzt.
3. Mechanesch Schrubben:
Mechanesch Schrubben gëtt dacks benotzt fir Partikelen oder organesch Réckstänn op der Uewerfläch vum Wafer ze entfernen. Et kann allgemeng an zwou Methoden opgedeelt ginn:manuell Schrubben a Schrubben mat engem Wischer.
Manuell Schrubbenass déi einfachst Schrubbmethod. Eng Edelstahlbiischt gëtt benotzt fir eng Kugel ze halen, déi an wasserfreien Ethanol oder aner organesche Léisungsmëttel gedränkt ass, an d'Uewerfläch vum Wafer sanft an déiselwecht Richtung ze reiwen, fir Wachsfilm, Stëbs, Reschtklebstoff oder aner fest Partikelen ze entfernen. Dës Method ass einfach fir Kratzer a schwéier Verschmotzung ze verursaachen.
De Wischer benotzt mechanesch Rotatioun fir d'Uewerfläch vum Wafer mat enger mëller Wollbiischt oder enger gemëschter Biischt ze reiwen. Dës Method reduzéiert d'Kratzer um Wafer däitlech. Den Héichdrockwëscher kraazt de Wafer net wéinst dem Manktem u mechanescher Reibung a kann d'Kontaminatioun an der Nut ewechhuelen.
4. Ultraschallreinigung:
Ultraschallreinigung ass eng Reinigungsmethod, déi wäit an der Hallefleederindustrie benotzt gëtt. Seng Virdeeler sinn eng gutt Reinigungswierkung, einfach Operatioun a kënnen och komplex Apparater a Behälter botzen.
Dës Reinigungsmethod funktionéiert ënner der Wierkung vu staarken Ultraschallwellen (déi üblech Ultraschallfrequenz ass 20s40kHz), an et entstinn dënn an dicht Deeler am flëssege Medium. Deen dënnen Deel produzéiert eng bal vakuumfërmeg Kavitéitsblos. Wann d'Kavitéitsblos verschwënnt, gëtt e staarke lokale Drock an hirer Géigend generéiert, wouduerch d'chemesch Bindungen an de Moleküle gebrach ginn, fir d'Onreinheeten op der Waferuewerfläch opzeléisen. D'Ultraschallreinigung ass am effektivsten fir onléislech oder onléislech Fluxreschter ze entfernen.
5. Megaschallreinigung:
Megaschallreinigung huet net nëmmen d'Virdeeler vun der Ultraschallreinigung, mä iwwerwënnt och hir Nodeeler.
Megaschallreinigung ass eng Method fir Waferen ze botzen, andeems den Effekt vun der héichenergetescher (850kHz) Frequenzvibratioun mat der chemescher Reaktioun vu chemesche Botzmëttelen kombinéiert gëtt. Wärend der Reinigung ginn d'Léisungsmoleküle vun der Megaschallwell beschleunegt (déi maximal momentan Geschwindegkeet kann 30cmV erreechen), an déi héichgeschwindeg Flëssegkeetswell beaflosst kontinuéierlech d'Uewerfläch vum Wafer, sou datt d'Verschmotzungen an d'Feinpartikelen, déi un der Uewerfläch vum Wafer befestegt sinn, mat Gewalt ewechgeholl ginn an an d'Botzléisung kommen. D'Zousätzlech vun sauren Tenside zu der Botzléisung kann op der enger Säit den Zweck erreechen, Partikelen an organesch Matière op der Polieroberfläche duerch d'Adsorptioun vun Tenside ze entfernen; op der anerer Säit kann duerch d'Integratioun vun Tenside an enger sauerer Ëmwelt den Zweck erreechen, Metallkontaminatioun op der Uewerfläch vum Polierblat ze entfernen. Dës Method kann gläichzäiteg d'Roll vum mechanesche Wëschen an der chemescher Reinigung spillen.
Momentan ass d'Megaschallreinigungsmethod zu enger effektiver Method fir d'Botzen vu Polierblecher ginn.
6. Rotatiounssprëtzmethod:
D'Rotatiounssprëtzmethod ass eng Method, déi mechanesch Methoden benotzt fir de Wafer mat héijer Geschwindegkeet ze rotéieren, a kontinuéierlech Flëssegkeet (héichrein deioniséiert Waasser oder aner Botzflëssegkeet) op d'Uewerfläch vum Wafer während dem Rotatiounsprozess sprëtzt fir Ongereinheeten op der Uewerfläch vum Wafer ze entfernen.
Dës Method benotzt d'Kontaminatioun op der Uewerfläch vum Wafer, fir sech an der gesprëtzter Flëssegkeet opzeléisen (oder chemesch domat reagéieren, fir sech opzeléisen), a benotzt den Zentrifugaleffekt vun der Héichgeschwindegkeetsrotatioun, fir datt d'Flëssegkeet, déi Ongereinheeten enthält, sech mat der Zäit vun der Uewerfläch vum Wafer trennt.
D'Rotatiounssprëtzmethod huet d'Virdeeler vun der chemescher Reinigung, der Fluidmechanikreinigung an dem Héichdrockreinigung. Gläichzäiteg kann dës Method och mam Trocknungsprozess kombinéiert ginn. No enger Period vun der deioniséierter Waassersprëtzreinigung gëtt d'Waassersprëtzung gestoppt an e Sprëtzgas gëtt benotzt. Gläichzäiteg kann d'Rotatiounsgeschwindegkeet erhéicht ginn, fir d'Zentrifugalkraaft ze erhéijen an d'Uewerfläch vum Wafer séier ze dehydratiséieren.
7.Dréchechemesch Reinigung
Chemesch Reinigung bezitt sech op eng Reinigungstechnologie, déi keng Léisunge benotzt.
Zu den aktuell benotzten chemesche Reinigungstechnologien gehéieren: Plasma-Reinigungstechnologie, Gasphasen-Reinigungstechnologie, Stralenreinigungstechnologie, etc.
D'Virdeeler vun der chemescher Reinigung sinn e einfache Prozess a keng Ëmweltverschmotzung, awer d'Käschte si héich an den Ëmfang vun der Notzung ass fir de Moment net grouss.
1. Plasma-Reinigungstechnologie:
Plasmareinegung gëtt dacks beim Prozess vun der Entfernung vum Photoresist benotzt. Eng kleng Quantitéit Sauerstoff gëtt an de Plasma-Reaktiounssystem agefouert. Ënnert der Wierkung vun engem staarken elektresche Feld generéiert de Sauerstoff Plasma, deen de Photoresist séier an e flüchtege Gaszoustand oxidéiert an extrahéiert gëtt.
Dës Botztechnologie huet d'Virdeeler vun einfacher Operatioun, héijer Effizienz, propperer Uewerfläch, keng Kratzer a garantéiert d'Produktqualitéit beim Entgummungsprozess. Ausserdeem benotzt se keng Säuren, Alkalien an organesch Léisungsmëttel, an et gëtt keng Problemer wéi Offallentsuergung an Ëmweltverschmotzung. Dofir gëtt se ëmmer méi vun de Leit geschätzt. Si kann awer keng Kuelestoff an aner netflüchteg Metall- oder Metalloxidverunreinheeten ewechhuelen.
2. Gasphasreinigungstechnologie:
Gasphasereinigung bezitt sech op eng Reinigungsmethod, déi den Gasphas-Äquivalent vun der entspriechender Substanz am flëssege Prozess benotzt, fir mat der kontaminéierter Substanz op der Uewerfläch vum Wafer ze interagéieren, fir den Zweck vun der Entfernung vun Ongereinheeten z'erreechen.
Zum Beispill, am CMOS-Prozess benotzt d'Waferreinigung d'Interaktioun tëscht Gasphas-HF a Waasserdamp fir Oxiden ze entfernen. Normalerweis muss den HF-Prozess mat Waasser vun engem Partikelentfernungsprozess begleet ginn, während d'Benotzung vun der Gasphas-HF-Reinigungstechnologie keen uschléissende Partikelentfernungsprozess erfuerdert.
Déi wichtegst Virdeeler am Verglach mam wässeregen HF-Prozess sinn e vill méi klenge HF-Chemikalienverbrauch an eng méi héich Reinigungseffizienz.
Wëllkomm all Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 13. August 2024