Wat ass den Ënnerscheed tëscht PECVD an LPCVD an Hallefleiter-CVD-Ausrüstung?

Chemesch Dampfdepositioun (CVD) bezitt sech op de Prozess vun der Oflagerung vun engem festen Film op der Uewerfläch vun engem SiliziumWaferduerch eng chemesch Reaktioun vun engem Gasmëschung. Jee no de verschiddene Reaktiounsbedingungen (Drock, Virleefer) kann et a verschidden Ausrüstungsmodeller opgedeelt ginn.

Hallefleiter-CVD-Ausrüstung (1)

Fir wéi eng Prozesser ginn dës zwee Apparater benotzt?

PECVD(Plasma Enhanced) Ausrüstung ass déi meescht verbreet an am meeschte benotzt, a gëtt an OX, Nitrid, Metal Gate, amorphem Kuelestoff, etc. benotzt; LPCVD (Low Power) gëtt normalerweis an Nitrid, Poly, TEOS benotzt.
Wat ass de Prinzip?
PECVD - e Prozess, deen d'Plasmaenergie an d'CVD perfekt kombinéiert. D'PECVD-Technologie benotzt Niddregtemperaturplasma, fir eng Glüh-Entladung un der Kathod vun der Prozesskammer (dh. Proufeschacht) ënner niddregem Drock ze induzéieren. Dës Glüh-Entladung oder aner Heizvorrichtung kann d'Temperatur vun der Prouf op e virbestëmmten Niveau erhéijen an dann eng kontrolléiert Quantitéit u Prozessgas aféieren. Dëst Gas ënnergeet enger Serie vu chemeschen a Plasma-Reaktiounen a bildt schliisslech e feste Film op der Uewerfläch vun der Prouf.

Hallefleiter-CVD-Ausrüstung (1)

LPCVD - Nidderdrockchemesch Vapordepositioun (LPCVD) ass entwéckelt fir den Operatiounsdrock vum Reaktiounsgas am Reaktor op ongeféier 133 Pa oder manner ze reduzéieren.

Wat sinn d'Charakteristike vun all eenzel?

PECVD - E Prozess, deen Plasmaenergie a CVD perfekt kombinéiert: 1) Niddregtemperaturbetrieb (Vermeidung vu Schied un der Ausrüstung duerch héich Temperaturen); 2) Schnellt Filmwuesstum; 3) Net pickeg wat d'Materialien ugeet, OX, Nitrid, Metallgate, amorph Kuelestoff kënnen all wuessen; 4) Et gëtt en In-situ-Iwwerwaachungssystem, dat d'Rezept iwwer Ionenparameter, Gasduerchflussrate, Temperatur a Filmdicke upasse kann.
LPCVD - Dënn Schichten, déi mat LPCVD ofgesat ginn, hunn eng besser Stufenofdeckung, eng gutt Zesummesetzungs- a Strukturkontroll, eng héich Oflagerungsquote an -leistung. Zousätzlech brauch LPCVD kee Trägergas, sou datt et d'Quell vun der Partikelverschmotzung däitlech reduzéiert a wäit verbreet an der Hallefleederindustrie mat héijer Wäertzousetzung fir Dënnschichtoflagerung benotzt gëtt.

Hallefleiter-CVD-Ausrüstung (3)

 

Wëllkomm all Clienten aus der ganzer Welt fir eis fir eng weider Diskussioun ze besichen!

https://www.vet-china.com/

https://www.vet-china.com/cvd-coating/

https://www.vet-china.com/silicon-carbide-sic-ceramic/


Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 24. Juli 2024
WhatsApp Online Chat!