Am Siliziumkarbid-Eenkristallwuesstemsprozess ass de physesche Damptransport déi aktuell Mainstream-Industrialiséierungsmethod. Fir d'PVT-Wuesstumsmethod,Siliziumkarbidpulverhuet e groussen Afloss op de Wuesstumsprozess. All Parameteren vunSiliziumkarbidpulverbeaflossen direkt d'Qualitéit vum Eenzelkristallwuesstum an d'elektresch Eegeschaften. An den aktuellen industriellen Uwendungen ass déi üblechSiliziumkarbidpulverDe Syntheseprozess ass déi selbstverbreedend Héichtemperatur-Synthesemethod.
D'Method vun der selbstpropagéierender Héichtemperatur-Synthese benotzt héich Temperaturen, fir de Reaktanten eng initial Hëtzt ze ginn, fir chemesch Reaktiounen unzefänken, an duerno benotzt se hir eege chemesch Reaktiounshëtzt, fir datt déi net reagéiert Substanzen d'chemesch Reaktioun weiderféiere kënnen. Well d'chemesch Reaktioun vu Si a C awer manner Hëtzt fräisetzt, mussen aner Reaktanten derbäigesat ginn, fir d'Reaktioun z'erhalen. Dofir hunn vill Wëssenschaftler op dëser Basis eng verbessert Method vun der selbstpropagéierender Synthese virgeschloen, andeems se en Aktivator aféieren. D'Method vun der selbstpropagéierender Synthese ass relativ einfach ëmzesetzen, a verschidde Syntheseparameter sinn einfach stabil ze kontrolléieren. Groussskaleg Synthese entsprécht den Ufuerderunge vun der Industrialiséierung.
Schon am Joer 1999 huet Bridgeport d'Method vun der selbstverbreetender Héichtemperatursynthese benotzt fir ...SiC-Pulver, awer et huet Ethoxysilan a Phenolharz als Rohmaterialien benotzt, wat deier war. De Gao Pan an anerer hunn héichreine Si-Pulver a C-Pulver als Rohmaterialien benotzt fir d'SyntheseSiC-Pulverduerch Héichtemperaturreaktioun an enger Argonatmosphär. Den Ning Lina huet grousspartikeleg preparéiertSiC-Pulverduerch sekundär Synthese.
Den Induktiounsheizungsuewen mat mëttlerer Frequenz, dee vum Second Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation entwéckelt gouf, vermëscht Siliziumpulver a Kuelestoffpulver gläichméisseg an engem bestëmmte stöchiometresche Verhältnis a leet se an e Graphit-Tigel.Grafit-Tigelgëtt an en Induktiounsheizungsuewen mat mëttlerer Frequenz fir d'Heizung placéiert, an d'Temperaturännerung gëtt benotzt fir d'Siliciumcarbid an der Niddertemperaturphas respektiv an der Héichtemperaturphas ze synthetiséieren an ze transforméieren. Well d'Temperatur vun der β-SiC-Synthesereaktioun an der Niddertemperaturphas méi niddreg ass wéi d'Verflüchtegungstemperatur vum Si, kann d'Synthese vu β-SiC ënner Héichvakuum d'Selbstverbreedung gutt garantéieren. D'Method fir Argon, Waasserstoff an HCl-Gas an d'Synthese vun α-SiC anzeféieren verhënnert d'Zersetzung vunSiC-Pulveran der Héichtemperaturphase, a kann den Stickstoffgehalt am α-SiC-Pulver effektiv reduzéieren.
Shandong Tianyue huet en Syntheseuewen entwéckelt, deen Silangas als Siliziumrohmaterial a Kuelestoffpulver als Kuelestoffrohmaterial benotzt. D'Quantitéit vum agefouerte Rohmaterialgas gouf duerch eng zwee-Schrëtt-Synthesemethod ugepasst, an déi final synthetiséiert Siliziumcarbidpartikelgréisst louch tëscht 50 an 5000 µm.
1 Kontrollfaktoren vum Pulversyntheseprozess
1.1 Afloss vun der Partikelgréisst vum Pulver op d'Kristallwuesstum
D'Partikelgréisst vum Siliziumcarbidpulver huet e ganz wichtegen Afloss op dat spéidert Eenkristallwuesstum. D'Wuesstum vun engem SiC-Eenkristall mat der PVT-Method gëtt haaptsächlech duerch d'Ännerung vum molare Verhältnis vu Silizium a Kuelestoff an der Gasphaskomponent erreecht, an dat molare Verhältnis vu Silizium a Kuelestoff an der Gasphaskomponent hänkt vun der Partikelgréisst vum Siliziumcarbidpulver of. Den Gesamtdrock an d'Silizium-Kuelestoff-Verhältnis vum Wuesstumssystem huelen zou mat der Ofsenkung vun der Partikelgréisst. Wann d'Partikelgréisst vun 2-3 mm op 0,06 mm erofgeet, klëmmt d'Silizium-Kuelestoff-Verhältnis vun 1,3 op 4,0. Wann d'Partikelen bis zu engem gewësse Grad kleng sinn, klëmmt de Si-Partialdrock, an eng Schicht Si-Film entsteet op der Uewerfläch vum wuessende Kristall, wat e Gas-Flëssegkeet-Festwuesstum ausléist, wat de Polymorphismus, Punktdefekter a Linnendefekter am Kristall beaflosst. Dofir muss d'Partikelgréisst vum héichreine Siliziumcarbidpulver gutt kontrolléiert ginn.
Zousätzlech, wann d'Gréisst vun de SiC-Pulverpartikelen relativ kleng ass, zersetzt sech de Pulver méi séier, wat zu engem exzessive Wuesstum vu SiC-Eenkristaller féiert. Op der enger Säit ginn an der Héichtemperaturëmfeld vum SiC-Eenkristallwuesstum déi zwee Prozesser vun der Synthese an der Zersetzung gläichzäiteg duerchgefouert. Siliziumcarbidpulver zersetzt sech a bildt Kuelestoff an der Gasphas an der Festphas wéi Si, Si2C, SiC2, wat zu enger staarker Karboniséierung vum polykristalline Pulver an der Bildung vu Kuelestoffinschlëss am Kristall féiert; op der anerer Säit, wann d'Zersetzungsquote vum Pulver relativ séier ass, ass d'Kristallstruktur vum gewuessene SiC-Eenkristall ufälleg fir Ännerungen, wat et schwéier mécht, d'Qualitéit vum gewuessene SiC-Eenkristall ze kontrolléieren.
1.2 Effekt vun der Pulverkristallform op de Kristallwuesstum
D'Wuesstum vun engem SiC-Eenkristall mat der PVT-Method ass e Sublimatiouns-Rekristallisatiounsprozess bei héijer Temperatur. D'Kristallform vum SiC-Rohmaterial huet en entscheedenden Afloss op d'Kristallwuesstum. Am Prozess vun der Pulversynthese ginn haaptsächlech déi niddregtemperatureg Synthesephas (β-SiC) mat enger kubescher Struktur vun der Eenheetszell an déi héichtemperatureg Synthesephas (α-SiC) mat enger hexagonaler Struktur vun der Eenheetszell produzéiert. Et gëtt vill Siliziumcarbid-Kristallformen an e schmuele Temperaturkontrollberäich. Zum Beispill transforméiert sech 3C-SiC bei Temperaturen iwwer 1900°C an e hexagonale Siliziumcarbid-Polymorph, also 4H/6H-SiC.
Wärend dem Eenzelkristallwuesstumsprozess, wann β-SiC-Pulver fir d'Kristallwuesstum benotzt gëtt, ass de Silizium-Kuelestoff-Molverhältnis méi grouss wéi 5,5, während wann α-SiC-Pulver fir d'Kristallwuesstum benotzt gëtt, de Silizium-Kuelestoff-Molverhältnis 1,2 ass. Wann d'Temperatur eropgeet, geschitt eng Phaseniwwergank am Tiegel. Zu dësem Zäitpunkt gëtt d'Molverhältnis an der Gasphas méi grouss, wat net fir de Kristallwuesstum gëeegent ass. Zousätzlech ginn aner Gasphas-Onreinheeten, dorënner Kuelestoff, Silizium a Siliziumdioxid, liicht während dem Phaseniwwergank generéiert. D'Präsenz vun dësen Onreinheeten verursaacht datt de Kristall Mikroréier a Lächer bildt. Dofir muss d'Pulverkristallform präzis kontrolléiert ginn.
1.3 Effekt vun Onreinheeten am Pulver op de Kristallwuesstum
Den Unreinheetsgehalt am SiC-Pulver beaflosst déi spontan Keimbildung beim Kristallwuesstum. Wat méi héich den Unreinheetsgehalt ass, wat manner wahrscheinlech ass et, datt de Kristall spontan Keimbildung mécht. Fir SiC sinn déi wichtegst Metallunreinheeten B, Al, V an Ni, déi duerch Veraarbechtungsinstrumenter während der Veraarbechtung vu Siliziumpulver a Kuelestoffpulver agefouert kënne ginn. Dorënner sinn B an Al déi wichtegst Unreinheeten, déi op engem flaache Energieniveau akzeptéieren, am SiC, wat zu enger Ofsenkung vum SiC-Widerstand féiert. Aner Metallunreinheeten féieren op vill Energieniveauen an, wat zu onstabilen elektreschen Eegeschafte vun de SiC-Eenzelkristaller bei héijen Temperaturen féiert an e gréisseren Impakt op déi elektresch Eegeschafte vun héichreine hallefisoléierenden Eenzelkristallsubstrater huet, besonnesch de Widderstand. Dofir muss héichreine Siliziumcarbidpulver sou vill wéi méiglech synthetiséiert ginn.
1.4 Effekt vum Stickstoffgehalt am Pulver op d'Kristallwuesstum
Den Niveau vum Stickstoffgehalt bestëmmt de Widderstand vum Eenkristallsubstrat. Grouss Hiersteller mussen d'Stickstoffdotierungskonzentratioun am synthetesche Material un de Prozess vum reife Kristallwuesstum während der Pulversynthese upassen. Héichreinheets-hallefisoléierend Siliziumcarbid-Eenkristallsubstrater sinn déi villverspriechendst Materialien fir militäresch Kärelektronikkomponenten. Fir héichreinheets-hallefisoléierend Eenkristallsubstrater mat héijem Widderstand an exzellenten elektreschen Eegeschafte wuessen ze loossen, muss den Inhalt vum Haaptongewéi-Stickstoff am Substrat op engem niddregen Niveau kontrolléiert ginn. Leetfäeg Eenkristallsubstrater erfuerderen e Stickstoffgehalt op enger relativ héijer Konzentratioun.
2 Schlësselkontrolltechnologie fir d'Pulversynthese
Wéinst den ënnerschiddlechen Uwendungsëmfeld vu Siliziumcarbidsubstrater huet d'Synthesetechnologie fir Wuesspulver och ënnerschiddlech Prozesser. Fir leitfäeg Eenkristall-Wuesspulver vum N-Typ sinn héich Ongereinheetsreinheeten an Eenphas erfuerderlech; wärend fir halbisoléierend Eenkristall-Wuesspulver eng strikt Kontroll vum Stickstoffgehalt erfuerderlech ass.
2.1 Kontroll vun der Pulverpartikelgréisst
2.1.1 Synthesetemperatur
Ënnert onverännerten Prozessbedingungen goufen SiC-Pulver, déi bei Synthesetemperature vun 1900 ℃, 2000 ℃, 2100 ℃ an 2200 ℃ generéiert goufen, gepréift an analyséiert. Wéi an der Figur 1 gewisen, kann een gesinn, datt d'Partikelgréisst 250~600 μm bei 1900 ℃ ass, an d'Partikelgréisst op 600~850 μm bei 2000 ℃ eropgeet, an d'Partikelgréisst sech däitlech ännert. Wann d'Temperatur weider op 2100 ℃ eropgeet, ass d'Partikelgréisst vum SiC-Pulver 850~2360 μm, an d'Erhéijung tendéiert liicht ze sinn. D'Partikelgréisst vum SiC bei 2200 ℃ ass stabil bei ongeféier 2360 μm. D'Erhéijung vun der Synthesetemperatur vun 1900 ℃ huet e positiven Effekt op d'SiC-Partikelgréisst. Wann d'Synthesetemperatur vun 2100 ℃ weider eropgeet, ännert sech d'Partikelgréisst net méi däitlech. Dofir, wann d'Synthesetemperatur op 2100 ℃ agestallt ass, kann eng méi grouss Partikelgréisst mat engem méi niddrege Energieverbrauch synthetiséiert ginn.
2.1.2 Synthesezäit
Aner Prozessbedingungen bleiwen onverännert, an d'Synthesezäit gëtt op 4 Stonnen, 8 Stonnen an 12 Stonnen festgeluecht. Déi generéiert SiC-Pulverprobenanalyse gëtt an der Figur 2 gewisen. Et stellt sech eraus, datt d'Synthesezäit en signifikanten Afloss op d'Partikelgréisst vum SiC huet. Wann d'Synthesezäit 4 Stonnen ass, ass d'Partikelgréisst haaptsächlech op 200 μm verdeelt; wann d'Synthesezäit 8 Stonnen ass, klëmmt d'synthetesch Partikelgréisst däitlech, haaptsächlech op ongeféier 1.000 μm verdeelt; mat weiderer Erhéijung vun der Synthesezäit klëmmt d'Partikelgréisst weider, haaptsächlech op ongeféier 2.000 μm verdeelt.
2.1.3 Afloss vun der Partikelgréisst vum Rohmaterial
Mat der gradueller Verbesserung vun der Produktiounskette fir Siliziummaterial am Inland gëtt och d'Rengheet vun de Siliziummaterialien weider verbessert. Aktuell ginn d'Siliziummaterialien, déi an der Synthese benotzt ginn, haaptsächlech a granulärt Silizium a pulveriséiert Silizium opgedeelt, wéi an der Figur 3 gewisen.
Verschidde Silizium-Rohmaterialien goufen benotzt fir Siliziumcarbid-Syntheseexperimenter duerchzeféieren. De Verglach vun de synthetesche Produkter gëtt an der Figur 4 gewisen. D'Analyse weist, datt wann Blocksilizium-Rohmaterialien benotzt ginn, eng grouss Quantitéit u Si-Elementer am Produkt präsent ass. Nodeems de Siliziumblock fir d'zweet Kéier zerquetscht gouf, gëtt den Si-Element am synthetesche Produkt däitlech reduzéiert, awer et existéiert ëmmer nach. Schlussendlech gëtt Siliziumpulver fir d'Synthese benotzt, an nëmmen SiC ass am Produkt präsent. Dëst läit dorun, datt am Produktiounsprozess grouss granulärt Silizium als éischt enger Uewerflächensynthesereaktioun muss ënnergoen, a Siliziumcarbid op der Uewerfläch synthetiséiert gëtt, wat verhënnert, datt dat internt Si-Pulver sech weider mam C-Pulver verbënnt. Dofir, wann Blocksilizium als Rohmaterial benotzt gëtt, muss et zerquetscht an dann engem sekundäre Syntheseprozess ënnerworf ginn, fir Siliziumcarbidpulver fir Kristallwuesstum ze kréien.
2.2 Kontroll vun der Pulverkristallform
2.2.1 Afloss vun der Synthesetemperatur
Ënnert onverännerten Prozessbedingungen ass d'Synthesetemperatur 1500℃, 1700℃, 1900℃ an 2100℃, an de generéierte SiC-Pulver gëtt geprobt an analyséiert. Wéi an der Figur 5 gewisen, ass β-SiC äerdgiel, an α-SiC ass méi hell an der Faarf. Duerch d'Observatioun vun der Faarf a Morphologie vum synthetiséierte Pulver kann festgestallt ginn, datt dat synthetiséiert Produkt bei Temperaturen vun 1500℃ an 1700℃ β-SiC ass. Bei 1900℃ gëtt d'Faarf méi hell, an hexagonal Partikelen erschéngen, wat drop hiweist, datt nodeems d'Temperatur op 1900℃ eropgeet, en Phaseniwwergang geschitt, an en Deel vum β-SiC an α-SiC ëmgewandelt gëtt; wann d'Temperatur weider op 2100℃ eropgeet, stellt sech eraus, datt déi synthetiséiert Partikelen transparent sinn, an α-SiC am Fong ëmgewandelt gouf.
2.2.2 Effekt vun der Synthesezäit
Aner Prozessbedingungen bleiwen onverännert, an d'Synthesezäit gëtt op 4 Stonnen, 8 Stonnen an 12 Stonnen festgeluecht. Dat generéiert SiC-Pulver gëtt geprobt an mat engem Diffraktometer (XRD) analyséiert. D'Resultater sinn an der Figur 6 gewisen. D'Synthesezäit huet e gewëssen Afloss op d'Produkt, dat duerch de SiC-Pulver synthetiséiert gëtt. Wann d'Synthesezäit 4 Stonnen an 8 Stonnen ass, ass dat synthetescht Produkt haaptsächlech 6H-SiC; wann d'Synthesezäit 12 Stonnen ass, erschéngt 15R-SiC am Produkt.
2.2.3 Afloss vum Rohstoffverhältnis
Aner Prozesser bleiwen onverännert, d'Quantitéit vu Silizium-Kuelestoff-Substanzen gëtt analyséiert, an d'Verhältnisser sinn 1,00, 1,05, 1,10 respektiv 1,15 fir Syntheseexperimenter. D'Resultater sinn an der Figur 7 gewisen.
Aus dem XRD-Spektrum kann een erkennen, datt wann de Silizium-Kuelestoff-Verhältnis méi grouss wéi 1,05 ass, en Iwwerschoss u Si am Produkt optrieden, a wann de Silizium-Kuelestoff-Verhältnis manner wéi 1,05 ass, en Iwwerschoss u C optrieden. Wann de Silizium-Kuelestoff-Verhältnis 1,05 ass, gëtt de fräie Kuelestoff am synthetesche Produkt praktesch eliminéiert, a kee fräit Silizium optrieden. Dofir soll de Quantitéitsverhältnis vum Silizium-Kuelestoff-Verhältnis 1,05 sinn, fir héichreine SiC ze synthetiséieren.
2.3 Kontroll vum niddrege Stickstoffgehalt am Pulver
2.3.1 Synthetesch Rohmaterialien
D'Rohmaterialien, déi an dësem Experiment benotzt goufen, sinn héichreine Kuelestoffpulver a héichreine Siliziumpulver mat engem Duerchmiesser vun 20 μm. Wéinst hirer klenger Partikelgréisst a grousser spezifescher Uewerfläch kënne si einfach N2 aus der Loft absorbéieren. Bei der Synthese vum Pulver gëtt en an d'Kristallform vum Pulver bruecht. Fir d'Wuesstum vun N-Typ Kristaller féiert déi ongläichméisseg Dotierung vun N2 am Pulver zu engem ongläiche Widderstand vum Kristall a souguer zu Verännerungen an der Kristallform. Den Stickstoffgehalt vum synthetiséierte Pulver nodeems de Waasserstoff agefouert gouf, ass däitlech niddreg. Dëst läit dorun, datt de Volume vun de Waasserstoffmoleküle kleng ass. Wann den N2, deen am Kuelestoffpulver a Siliziumpulver adsorbéiert ass, erhëtzt a vun der Uewerfläch ofgebaut gëtt, diffundéiert H2 mat sengem klenge Volumen komplett an d'Lück tëscht de Pulveren, wouduerch d'Positioun vum N2 ersat gëtt, an N2 entkommt aus dem Tiegel wärend dem Vakuumprozess, wouduerch den Zweck erreecht gëtt, den Stickstoffgehalt ze entfernen.
2.3.2 Syntheseprozess
Wärend der Synthese vu Siliziumcarbidpulver, well de Radius vun de Kuelestoffatome an de Stéckstoffatome gläich ass, ersetzt Stéckstoff d'Kuelestoffvakanzen am Siliziumcarbid, wouduerch den Stickstoffgehalt eropgeet. Dëse experimentelle Prozess benotzt d'Method vun der Aféierung vun H2, an H2 reagéiert mat Kuelestoff- an Siliziumelementer am Synthese-Dichel fir C2H2-, C2H- a SiH-Gaser ze generéieren. Den Kuelestoffelementgehalt klëmmt duerch d'Gasphastransmissioun, wouduerch d'Kuelestoffvakanzen reduzéiert ginn. Den Zweck vun der Entfernung vu Stéckstoff gëtt erreecht.
2.3.3 Kontroll vum Prozess-Hannergrondstickstoffgehalt
Grafit-Dichelen mat grousser Porositéit kënnen als zousätzlech C-Quellen benotzt ginn, fir Si-Damp an de Gasphas-Komponenten z'absorbéieren, Si an de Gasphas-Komponenten ze reduzéieren an doduerch C/Si ze erhéijen. Gläichzäiteg kënne Graphit-Dichelen och mat der Si-Atmosphär reagéieren, fir Si2C, SiC2 a SiC ze generéieren, wat gläichwäerteg mat der Si-Atmosphär ass, déi d'C-Quell aus dem Graphit-Dichel an d'Wuesstumsatmosphär bréngt, wouduerch de C-Verhältnis an och de Kuelestoff-Silizium-Verhältnis erhéicht ginn. Dofir kann de Kuelestoff-Silizium-Verhältnis duerch d'Benotzung vu Graphit-Dichelen mat grousser Porositéit erhéicht ginn, wouduerch d'Kuelestoffvakanz reduzéiert gëtt an den Zweck vun der Entfernung vu Stéckstoff erreecht gëtt.
3 Analyse an Design vum Syntheseprozess fir Eenkristallpulver
3.1 Prinzip an Design vum Syntheseprozess
Duerch déi uewe genannte ëmfaassend Studie iwwer d'Kontroll vun der Partikelgréisst, der Kristallform an dem Stickstoffgehalt vun der Pulversynthese gëtt e Syntheseprozess virgeschloen. Héichreine C-Pulver a Si-Pulver ginn ausgewielt, an dës ginn gläichméisseg gemëscht an an e Graphit-Tigel gelueden no engem Silizium-Kuelestoff-Verhältnes vun 1,05. D'Prozessschrëtt sinn haaptsächlech a véier Etappen opgedeelt:
1) Denitrifikatiounsprozess bei niddreger Temperatur, ënner Vakuum op 5×10⁻⁴ Pa, duerno Waasserstoff agefouert, den Drock an der Kammer op ongeféier 80 kPa bruecht, 15 Minutte laang erhalen a véiermol widderholl. Dëse Prozess kann Stéckstoffelementer op der Uewerfläch vu Kuelestoffpulver a Siliziumpulver ewechhuelen.
2) Héichtemperatur-Denitrifikatiounsprozess, Vakuum op 5×10⁻⁴ Pa, dann Erhëtzen op 950 ℃, an dann Waasserstoff aféieren, den Drock an der Kammer op ongeféier 80 kPa bréngen, 15 Minutte laang halen a véiermol widderhuelen. Dëse Prozess kann Stickstoffelementer op der Uewerfläch vum Kuelestoffpulver a Siliziumpulver ewechhuelen an de Stickstoff am Hëtztfeld dreiwen.
3) Synthese vum Niddertemperaturphasenprozess, evakuéieren op 5×10⁻⁴ Pa, dann op 1350℃ erhëtzen, 12 Stonnen daueren, dann Waasserstoff aféieren, fir den Drock an der Kammer op ongeféier 80 kPa ze bréngen, 1 Stonn daueren. Dëse Prozess kann den Stickstoff ewechhuelen, deen während dem Syntheseprozess verflüchtegt gouf.
4) Synthese vum Héichtemperaturphaseprozess, Fëllung mat engem bestëmmte Gasvolumenstroumverhältnis aus héichreinegem Waasserstoff an Argon-Gemëschgas, Erhëtzung vum Kammerdrock op ongeféier 80 kPa, Erhëtzung vun der Temperatur op 2100 ℃, Erhëtzung fir 10 Stonnen. Dëse Prozess schléisst d'Transformatioun vum Siliziumcarbidpulver vu β-SiC an α-SiC of a schléisst de Wuesstum vun de Kristallpartikelen of.
Schlussendlech, waart bis d'Kammertemperatur op Raumtemperatur ofgekillt ass, fëllt op Atmosphärendrock an huelt de Pulver eraus.
3.2 Noveraarbechtung vum Pulver
Nodeems de Pulver duerch den uewe genannten Prozess synthetiséiert gouf, muss en nobearbecht ginn, fir fräie Kuelestoff, Silizium an aner Metallverunreinheeten ze entfernen an d'Partikelgréisst ze kontrolléieren. Als éischt gëtt de synthetiséierte Pulver an eng Kugelmille fir ze zerbriechen geluecht, an de zerbriechene Siliziumcarbidpulver gëtt an e Muffeluewen geluecht an duerch Sauerstoff op 450°C erhëtzt. De fräie Kuelestoff am Pulver gëtt duerch Hëtzt oxidéiert fir Kuelendioxidgas ze generéieren, deen aus der Kammer entkommt, wouduerch d'Entfernung vu fräiem Kuelestoff erreecht gëtt. Duerno gëtt eng sauer Botzflëssegkeet virbereet an an eng Siliziumcarbidpartikelreinigungsmaschinn geluecht fir ze botzen, fir Kuelestoff, Silizium an iwwereg Metallverunreinheeten ze entfernen, déi während dem Syntheseprozess entstane sinn. Duerno gëtt déi iwwereg Säure a purem Waasser gewäsch an gedréchent. De gedréchente Pulver gëtt an engem Vibratiounssieb fir d'Auswiel vun der Partikelgréisst fir de Kristallwuesstum geséchert.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 08.08.2024