Siliziumkarbid beschichtetD'Grafitscheif ass dofir geduecht, eng Siliziumkarbid-Schutzschicht op der Uewerfläch vum Graphit duerch physikalesch oder chemesch Gasoflagerung a Sprëtzen virzebereeden. Déi virbereet Siliziumkarbid-Schutzschicht kann fest un d'Graphitmatrix gebonne ginn, wouduerch d'Uewerfläch vun der Graphitbasis dicht a fräi vu Lächer gëtt, wat der Graphitmatrix speziell Eegeschafte gëtt, dorënner Oxidatiounsbeständegkeet, Säure- a Alkalibeständegkeet, Erosiounsbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, etc. Am Moment ass d'Gan-Beschichtung eng vun de beschte Kärkomponenten fir den epitaktischen Wuesstum vu Siliziumkarbid.
Siliziumkarbid-Hallefleeder ass de Kärmaterial vum nei entwéckelte Breetbandlücke-Hallefleeder. Seng Komponenten hunn d'Charakteristike vun héijer Temperaturbeständegkeet, héijer Spannungsbeständegkeet, héijer Frequenz, héijer Leeschtung a Stralungsbeständegkeet. Et huet d'Virdeeler vun enger schneller Schaltgeschwindegkeet an héijer Effizienz. Et kann de Stroumverbrauch vum Produkt staark reduzéieren, d'Energiekonversiounseffizienz verbesseren an de Produktvolumen reduzéieren. Et gëtt haaptsächlech an der 5g-Kommunikatioun, der nationaler Verteidegung an der Militärindustrie benotzt. Den HF-Beräich, deen duerch d'Loft- a Raumfaart vertrueden ass, an de Beräich vun der Energieelektronik, deen duerch nei Energiefahrzeuge an "nei Infrastruktur" vertrueden ass, hunn kloer a bedeitend Maartaussichten am zivilen a militäresche Beräich.
Siliziumkarbid-Substrat ass de Kärmaterial vum nei entwéckelte Breetbandlücke-Hallefleeder. Siliziumkarbid-Substrat gëtt haaptsächlech an der Mikrowellenelektronik, der Leeschtungselektronik an anere Beräicher benotzt.Et ass um Virdergrond vun der Halbleiterindustriekette mat breeder Bandlück a stellt dat modernst a Basis-Kärmaterial duer. Siliziumcarbid-Substrater kënnen an zwou Zorten opgedeelt ginn: hallefisoléierend a leedende. Dorënner huet dat hallefisoléierend Siliziumcarbid-Substrat en héije Widderstand (Widderstand ≥ 105 Ω·cm). Dat hallefisoléierend Substrat a Kombinatioun mat enger heterogener Galliumnitrid-Epitaxialfolie kann als Material fir HF-Geräter benotzt ginn, wat haaptsächlech an der 5g-Kommunikatioun, der nationaler Verteidegung an der Militärindustrie an den uewe genannten Szenen agesat gëtt; dat anert ass e leedende Siliziumcarbid-Substrat mat engem niddrege Widderstand (de Widderstandsberäich ass 15 ~ 30m Ω·cm). Déi homogen Epitaxie vum leedende Siliziumcarbid-Substrat a Siliziumcarbid kann als Material fir Stroumgeräter benotzt ginn. Déi wichtegst Uwendungsszenarie sinn Elektroautoen, Stroumsystemer an aner Beräicher.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 21. Februar 2022