SiC ਸਿੰਟਰਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਬੁਸ਼ਿੰਗ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ: ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ

ਕਠੋਰਤਾ:≥110 HS

ਘਣਤਾ: 3.10-3.15 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈਮੀ3

ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ:>350MPa

ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ:>120

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਡਾਊਨਲੋਡ ਕਰੋ

ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਸਿੰਟਰਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਬੁਸ਼ਿੰਗ

ਦਬਾਅ ਰਹਿਤ ਸਿੰਟਰਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SSIC)ਇਹ ਬਹੁਤ ਹੀ ਬਰੀਕ SiC ਪਾਊਡਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਐਡਿਟਿਵ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਇਸਨੂੰ ਹੋਰ ਵਸਰਾਵਿਕਾਂ ਲਈ ਆਮ ਬਣਾਉਣ ਦੇ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਅਯੋਗ ਗੈਸ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਵਿੱਚ 2,000 ਤੋਂ 2,200° C 'ਤੇ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਨਾਲ ਹੀ ਬਰੀਕ-ਦਾਣੇ ਵਾਲੇ ਸੰਸਕਰਣ, ਅਨਾਜ ਦੇ ਆਕਾਰ < 5 um ਵਾਲੇ, 1.5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਤੱਕ ਦੇ ਅਨਾਜ ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਾਲੇ ਮੋਟੇ-ਦਾਣੇ ਵਾਲੇ ਸੰਸਕਰਣ ਉਪਲਬਧ ਹਨ।

SSIC ਉੱਚ ਤਾਕਤ ਦੁਆਰਾ ਵੱਖਰਾ ਹੈ ਜੋ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ (ਲਗਭਗ 1,600° C) ਤੱਕ ਲਗਭਗ ਸਥਿਰ ਰਹਿੰਦਾ ਹੈ, ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੱਕ ਉਸ ਤਾਕਤ ਨੂੰ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦਾ ਹੈ!

ਉਤਪਾਦ ਦੇ ਫਾਇਦੇ:

ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ

ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ

ਵਧੀਆ ਘ੍ਰਿਣਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ

ਗਰਮੀ ਚਾਲਕਤਾ ਦਾ ਉੱਚ ਗੁਣਾਂਕ
ਸਵੈ-ਲੁਬਰੀਸਿਟੀ, ਘੱਟ ਘਣਤਾ
ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ
ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਡਿਜ਼ਾਈਨ।

ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:

ਆਈਟਮਾਂ	ਯੂਨਿਟ	ਡੇਟਾ
ਕਠੋਰਤਾ	HS	≥110
ਪੋਰੋਸਿਟੀ ਦਰ	%	<0.3
ਘਣਤਾ	ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈਮੀ3	3.10-3.15
ਸੰਕੁਚਿਤ	ਐਮਪੀਏ	>2200
ਫ੍ਰੈਕਟੁਰਲ ਤਾਕਤ	ਐਮਪੀਏ	>350
ਫੈਲਾਅ ਦਾ ਗੁਣਾਂਕ	10/°C	4.0
Sic ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ	%	≥99
ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ	ਵਾਟ/ਮਾਰਕੀਟ	>120
ਲਚਕੀਲਾ ਮਾਡਿਊਲਸ	ਜੀਪੀਏ	≥400
ਤਾਪਮਾਨ	°C	1380