SiC Sintered Silisyòm Carbide Seramik Bag

Imaj prezante bag seramik SiC Sintered Silicon Carbide

Deskripsyon kout:

Konpozisyon Chimik: Silisyòm Carbide

Dite: ≥110 HS

Dansite: 3.10-3.15 g/cm3

Fòs koube:> 350MPa

Konduktivite tèmik:> 120

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Bag seramik carbure silikon sinterize

Silisyòm carbure sinterize san presyon (SSIC)Li pwodui lè l sèvi avèk poud SiC trè amann ki gen aditif sinterizasyon. Li trete lè l sèvi avèk metòd fòmasyon tipik pou lòt seramik epi li sinterize nan 2,000 a 2,200° C nan yon atmosfè gaz inaktif. Osi byen ke vèsyon grenn amann, ak gwosè grenn < 5 um, vèsyon grenn koryas ak gwosè grenn jiska 1.5 mm disponib.

SSIC distenge pa yon gwo fòs ki rete prèske konstan jiska tanperati ki wo anpil (apeprè 1,600° C), epi li kenbe fòs sa a pandan yon bon bout tan!

Avantaj pwodwi:

Rezistans oksidasyon tanperati ki wo

Ekselan rezistans korozyon

Bon rezistans fwotman

Segondè koyefisyan konduktivite chalè
Oto-lubrisite, dansite ki ba
Segondè dite
Konsepsyon pèsonalize.

Pwopriyete teknik:

Atik yo	Inite	Done
Dite	HS	≥110
To porosite	%	<0.3
Dansite	g/cm3	3.10-3.15
Konpresif	MPa	>2200
Fòs frakti	MPa	>350
Koefisyan ekspansyon	10/°C	4.0
Kontni Sic la	%	≥99
Konduktivite tèmik	W/mk	>120
Modil elastik	GPa	≥400
Tanperati	°C	1380