SiC焼結シリコンカーバイドセラミックブッシング

簡単な説明:

化学組成:炭化ケイ素

硬度:110HS以上

密度:3.10~3.15 g/cm³

曲げ強度:>350MPa

熱伝導率:>120


製品詳細

商品タグ

焼結シリコンカーバイドセラミックブッシング

無加圧焼結炭化ケイ素(SSIC)焼結助剤を含む非常に微細なSiC粉末を用いて製造されます。他のセラミックスと同様の成形方法を用いて加工され、不活性ガス雰囲気中で2,000~2,200℃で焼結されます。粒径が5μm未満の微細粒タイプに加え、粒径が最大1.5mmの粗粒タイプも入手可能です。

SSICは、非常に高い温度(約1,600℃)までほぼ一定の強度を維持し、長期間にわたってその強度を保つという特長があります。

 

製品の利点:

高温酸化耐性

優れた耐腐食性

優れた耐摩耗性

高い熱伝導率
自己潤滑性、低密度
高硬度
カスタマイズデザイン。

 

技術的特性:

商品 ユニット データ
硬度 HS 110以上
多孔度率 % <0.3
密度 g/cm3 3.10~3.15
圧縮 MPa 2200以上
破壊強度 MPa >350
膨張係数 10/℃ 4.0
Sicの内容 % 99以上
熱伝導率 W/mk >120
弾性率 GPa 400以上
温度 °C 1380

 

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