SiC සින්ටර් කරන ලද සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් බුෂිං

කෙටි විස්තරය:

රසායනික සංයුතිය: සිලිකන් කාබයිඩ්

දෘඪතාව:≥110 HS

ඝනත්වය:3.10-3.15 g/cm3

නැමීමේ ශක්තිය:> 350MPa

තාප සන්නායකතාවය:>120

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න PDF ලෙස බාගන්න

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

සින්ටර් කරන ලද සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් බුෂිං

පීඩන රහිත සින්ටර් කළ සිලිකන් කාබයිඩ් (SSIC)සින්ටර් කිරීමේ ආකලන අඩංගු ඉතා සියුම් SiC කුඩු භාවිතයෙන් නිෂ්පාදනය කෙරේ. එය අනෙකුත් පිඟන් මැටි සඳහා සාමාන්‍ය සැකසුම් ක්‍රම භාවිතයෙන් සකසන අතර නිෂ්ක්‍රීය වායු වායුගෝලයක් තුළ 2,000 සිට 2,200° C දක්වා සින්ටර් කරනු ලැබේ. ධාන්‍ය ප්‍රමාණය < 5 um සහිත සියුම්-කැට සහිත අනුවාද මෙන්ම, 1.5 mm දක්වා ධාන්‍ය ප්‍රමාණයේ රළු-කැට සහිත අනුවාද ද ඇත.

SSIC ඉතා ඉහළ උෂ්ණත්වයන් (ආසන්න වශයෙන් 1,600° C) දක්වා නියතව පවතින ඉහළ ශක්තියකින් කැපී පෙනෙන අතර, එම ශක්තිය දිගු කාලයක් පුරා පවත්වා ගනී!

නිෂ්පාදන වාසි:

ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය

විශිෂ්ට විඛාදන ප්‍රතිරෝධය

හොඳ සීරීම් ප්‍රතිරෝධය

තාප සන්නායකතාවයේ ඉහළ සංගුණකය
ස්වයං ලිහිසි බව, අඩු ඝනත්වය
ඉහළ දෘඪතාව
අභිරුචි කළ නිර්මාණය.

තාක්ෂණික ගුණාංග:

අයිතම	ඒකකය	දත්ත
දෘඪතාව	HS	≥110 ≥110 ට
සිදුරු අනුපාතය	%	<0.3 <0.3
ඝනත්වය	ග්රෑම්/සෙ.මී.3	3.10-3.15
සම්පීඩක	එම්පීඒ	>2200
අස්ථි ශක්තිය	එම්පීඒ	>350
ප්‍රසාරණ සංගුණකය	10/°C	4.0 (4.0)
Sic හි අන්තර්ගතය	%	≥9
තාප සන්නායකතාවය	බටහිර	>120
ප්‍රත්‍යාස්ථතා මාපාංකය	ජීපීඒ	≥400 ≥400 ට
උෂ්ණත්වය	°C	1380 (ස්පාඤ්ඤය)