SiC Sinterlenmiş Silisyum Karbür Seramik Burç

Basınçsız sinterlenmiş silisyum karbür (SSIC)Sinterleme katkı maddeleri içeren çok ince SiC tozu kullanılarak üretilir. Diğer seramikler için tipik olan şekillendirme yöntemleri kullanılarak işlenir ve inert gaz atmosferinde 2.000 ila 2.200°C'de sinterlenir. 5 µm'den küçük tane boyutuna sahip ince taneli versiyonlarının yanı sıra, 1,5 mm'ye kadar tane boyutuna sahip iri taneli versiyonları da mevcuttur.

SSIC, çok yüksek sıcaklıklara (yaklaşık 1600°C) kadar neredeyse sabit kalan yüksek mukavemetiyle öne çıkar ve bu mukavemeti uzun süreler boyunca korur!

Ürün avantajları:

Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci

Mükemmel korozyon direnci

İyi aşınma direnci

Yüksek ısı iletkenlik katsayısı
Kendinden yağlamalı, düşük yoğunluklu
Yüksek sertlik
Özel tasarım.

Teknik özellikler: