SiC Sintered Silicon Carbide Ceramic Bushing

Maikling Paglalarawan:

Komposisyong Kemikal: Silikon Carbide

Katigasan: ≥110 HS

Densidad: 3.10-3.15 g/cm3

Lakas ng Pagbaluktot:>350MPa

Kondaktibiti ng init:>120

Magpadala ng email sa amin I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Sintered Silicon Carbide Ceramic Bushing

Walang presyon na sintered silicon carbide (SSIC)ay ginawa gamit ang napakapinong SiC powder na naglalaman ng mga sintering additives. Pinoproseso ito gamit ang mga paraan ng paghubog na tipikal para sa iba pang mga seramiko at sinintero sa 2,000 hanggang 2,200° C sa isang inert gas na atmospera. Bukod sa mga pinong-grained na bersyon, na may laki ng butil na < 5 um, mayroon ding mga coarse-grained na bersyon na may laki ng butil na hanggang 1.5 mm.

Ang SSIC ay nakikilala sa pamamagitan ng mataas na tibay na nananatiling halos pare-pareho hanggang sa napakataas na temperatura (humigit-kumulang 1,600° C), na nagpapanatili ng lakas na iyon sa mahabang panahon!

Mga kalamangan ng produkto:

Mataas na temperaturang resistensya sa oksihenasyon

Napakahusay na resistensya sa kalawang

Magandang resistensya sa pagkagalos

Mataas na koepisyent ng kondaktibiti ng init
Self-lubricity, mababang density
Mataas na katigasan
Pasadyang disenyo.

Mga teknikal na katangian:

Mga Aytem	Yunit	Datos
Katigasan	HS	≥110
Antas ng Porosidad	%	<0.3
Densidad	g/cm3	3.10-3.15
Kompresibo	MPa	>2200
Lakas ng Bali	MPa	>350
Koepisyent ng pagpapalawak	10/°C	4.0
Nilalaman ng Sic	%	≥99
Kondaktibiti ng init	W/mk	>120
Elastikong Modulus	GPa	≥400
Temperatura	°C	1380