Bague en céramique frittée en carbure de silicium SiC

Brève description :

Composition chimique : carbure de silicium

Dureté : ≥ 110 HS

Densité : 3,10-3,15 g/cm3

Résistance à la flexion : > 350 MPa

Conductivité thermique : > 120

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Détails du produit

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Bague en céramique en carbure de silicium fritté

Carbure de silicium fritté sans pression (SSIC)Il est fabriqué à partir d'une poudre de SiC très fine contenant des additifs de frittage. Il est mis en œuvre selon des procédés de formage typiques des autres céramiques et fritté entre 2 000 et 2 200 °C sous atmosphère de gaz inerte. Outre des versions à grains fins (< 5 µm), des versions à grains grossiers (jusqu'à 1,5 mm) sont disponibles.

Le SSIC se distingue par une résistance élevée qui reste presque constante jusqu'à des températures très élevées (environ 1 600 °C), maintenant cette résistance sur de longues périodes !

Avantages du produit :

Résistance à l'oxydation à haute température

Excellente résistance à la corrosion

Bonne résistance à l'abrasion

Coefficient de conductivité thermique élevé
Autolubrification, faible densité
Dureté élevée
Conception personnalisée.

Caractéristiques techniques :

Articles	Unité	Données
Dureté	HS	≥110
Taux de porosité	%	<0,3
Densité	g/cm3	3.10-3.15
Compression	MPa	>2200
Résistance à la fracture	MPa	>350
Coefficient de dilatation	10/°C	4.0
Contenu de Sic	%	≥99
Conductivité thermique	W/mk	>120
Module d'élasticité	moyenne générale	≥ 400
Température	°C	1380