SOI чист?

SOI ихтисораи … астИзолятори кремний... Дар асл, ин маънои "кремний дар изолятсия"-ро дорад. Дар амал, сохтор чунин аст, ки дар болои лавҳаи кремний як қабати изолятсионии ултра тунук, ба монанди SiO₂, мавҷуд аст ва сипас дар болои ин қабати изолятсионии қабати тунуки кремний ташкил карда мешавад. Ин сохтор қабати фаъоли кремнийро аз зеризаминии кремний ҷудо мекунад. Аммо, дар раванди анъанавии кремний, чип мустақиман дар зеризаминии кремний бидуни истифодаи қабати изолятсионии ташаккул меёбад.

вафли SOIаз се қабати асосии сохторӣ иборат аст: қабати дастгоҳи силиконии монокристаллӣ, қабати изолятсияи диоксиди силикон (оксиди дафншуда ё BOX) ва субстрати силикон. Ин се қабат якҷоя муҳити мустақил ва устувори электрикиро ташкил медиҳанд, ки ҳар як қабат нақши худро мебозад ва ҳамзамон синергияро барои беҳтар кардани самаранокӣ ва эътимоднокии умумӣ кор мекунад.

Қабати болоии дастгоҳи кремнийи монокристаллӣ (одатан ғафсӣ аз 5 нм то 2 мкм) минтақаи аслӣ мебошад, ки дар он транзисторҳо ва дигар дастгоҳҳои фаъол истеҳсол мешаванд. Сохтори ултра тунуки он асоси муҳим барои беҳтар кардани кори дастгоҳ ва имкон додани миқёспазирии пайваста мебошад.

Қабати миёнаи оксиди дафншуда (BOX) изолятсияи барқиро таъмин мекунад. Ин қабати диоксиди кремний, ки одатан аз 5 нм то 2 мкм ғафсӣ дорад, пайвастшавии барқиро байни қабати дастгоҳ ва зеризаминӣ тавассути механизмҳои изолятсияи физикӣ ва химиявӣ самаранок масдуд мекунад.

Табақаи силиконии поёнӣ асосан сахтии сохторӣ ва устувории механикиро таъмин мекунад ва эътимоднокии вафлро ҳангоми истеҳсол ва истифодаи минбаъда таъмин менамояд. Ғафсии он одатан аз 200 мкм то 700 мкм буда, дастгирии кофии механикиро пешниҳод мекунад ва ҳамзамон қобилияти коркард ва талаботи истифодаро ба назар мегирад.

Афзалиятҳои асосии вафлҳои SOI
1. Суръати баландтар

• Бо қабати оксиди дафншуда дар зери дастгоҳҳо, транзисторҳо аз субстрати кремний ҷудо карда шудаанд. Ин иқтидори паразитиро коҳиш медиҳад, гузаришро суръат мебахшад ва SOI-ро барои схемаҳои мантиқии баландсуръат ва RF мувофиқ мегардонад.

2. Истеъмоли камтари нерӯи барқ

• Иқтидори хурдтар маънои талафоти камтари пуркунӣ ва холӣ кардани барқро дорад.
• Роҳҳои камтари ихроҷ боиси кам шудани истеъмоли қувваи барқ ​​дар ҳолати интизорӣ (статикӣ) мегарданд, ки системаро аз ҷиҳати энергия самараноктар мегардонад.

3. Изолятсияи беҳтар

• Ҳар як дастгоҳ дар қабати оксидӣ "нишаста" аст, ки халалҳои электрикиро байни дастгоҳҳо ба таври назаррас коҳиш медиҳад. Ин ҳангоми ҳамгироии схемаҳои аналогӣ + рақамӣ, воҳидҳои идоракунии барқ ​​ва модулҳои RF дар як чип устувориро беҳтар мекунад.

4. Таҳаммулпазирии беҳтаршудаи радиатсия ва ҳарорати баланд

• Эҳтимоли паҳншавии зарядҳои аз радиатсия ба вуҷуд омада камтар аст, ки дастгоҳҳои SOI-ро дар муҳитҳои дорои радиатсияи баланд, ба монанди кайҳонӣ, бехатартар ва боэътимодтар мегардонад.
• Афзоиши ҷараёни шоридан дар ҳарорати баланд камтар шадид аст, ки барои электроникаи автомобилӣ ва барномаҳои идоракунии саноатӣ муфид аст.

5. Барои миқёси минбаъда мусоид

• Бо қабати хеле тунуки силикон дар боло ва қабати оксиди дафншуда дар зери он, таъсири каналҳои кӯтоҳ беҳтар назорат карда мешавад, ки нигоҳ доштани рафтори устувори дастгоҳро бо коҳиш ёфтани гиреҳҳои раванд осонтар мекунад.

Технологияи SOI аллакай дар соҳаҳои гуногун татбиқ шудааст. Дар электроникаи маишӣ, он дар модулҳои пеши RF-и смартфонҳо, ба монанди филтрҳои 5G, истифода мешавад. Дар электроникаи автомобилӣ, он платформаи устувори равандро барои чипҳои радарии дохили мошин фароҳам меорад. Дар бахши кайҳонӣ, он дар таҷҳизоти алоқаи моҳвораии боэътимоди баланд истифода мешавад. Дар дастгоҳҳои тиббӣ, SOI тарҳрезӣ ва татбиқи сенсорҳои тиббии имплантатсияшаванда ва намудҳои гуногуни чипҳои мониторинги камқувватро дастгирӣ мекунад.

Ширкати мо лоиҳаҳои фармоиширо барои пластинаҳои интиқолдиҳандаи кремнийи монокристаллӣ пешниҳод мекунад:

• Ғафсии субстрати кремний: 100 мкм / 300 мкм / 400 мкм / 500 мкм / 625 мкм ва болотар

• Ғафсии SiO₂: аз 100 нм то 10 мкм

• Қабати фаъоли кремний: ≥ 20 нм