SOI no fanafohezana nySilicon-on-InsulatorRaha ara-bakiteny, midika hoe "silikônina eo amin'ny fitaovana manasaraka hafanana" izy io. Amin'ny fampiharana, ny rafitra dia misy sosona manify dia manify, toy ny SiO₂, eo ambonin'ny takelaka silikônina, ary avy eo dia misy sosona silikônina manify miforona eo ambonin'io sosona manasaraka hafanana io. Io rafitra io dia manasaraka ny sosona silikônina mavitrika amin'ny substrate silikônina. Amin'ny dingana silikônina nentim-paharazana anefa, ny puce dia miforona mivantana eo amin'ny substrate silikônina tsy mampiasa sosona manasaraka hafanana.
Sofa SOIdia misy sosona ara-drafitra telo lehibe: sosona fitaovana silisiôma kristaly tokana, sosona manasaraka silisiôma dioksida (ny oksida milevina, na BOX), ary substrate silisiôma. Ireo sosona telo ireo miaraka dia mamorona tontolo elektrika mahaleo tena sy marin-toerana, miaraka amin'ny sosona tsirairay izay mitana ny anjara asany manokana sady miara-miasa mba hanatsarana ny fahombiazana sy ny fahatokisana amin'ny ankapobeny.
Ny sosona ambony indrindra amin'ny fitaovana silisiôma kristaly tokana (matetika eo amin'ny 5 nm ka hatramin'ny 2 μm ny hateviny) no faritra fototra izay anamboarana transistors sy fitaovana mavitrika hafa. Ny rafitra manify dia fototra tena ilaina amin'ny fanatsarana ny fahombiazan'ny fitaovana sy ny fahafahana manatsara hatrany.
Ny sosona oksida nalevina afovoany (BOX) dia manome fitokana-monina elektrika. Ity sosona silikônina dioksida ity, izay matetika 5 nm ka hatramin'ny 2 μm ny hateviny, dia manakana tsara ny fifandraisana elektrika eo amin'ny sosona fitaovana sy ny fototra ambaniny amin'ny alàlan'ny rafitra fitokana-monina ara-batana sy simika.
Ny sosona silikônina ambany indrindra dia manome ny hamafin'ny rafitra sy ny fahamarinan-toerana mekanika, izay miantoka ny fahatokisana ny wafer mandritra ny famokarana sy ny fampiasana manaraka. Ny hateviny dia amin'ny ankapobeny eo anelanelan'ny 200 μm sy 700 μm, izay manome fanohanana mekanika ampy sady mandinika ny fepetra takian'ny fanodinana sy ny fampiharana.
Tombony lehibe amin'ny SOI Wafers
1. Hafainganam-pandeha ambony kokoa
- Noho ny sosona oksida nalevina teo ambanin'ireo fitaovana, dia tafasaraka amin'ny substrate silikônina ireo transistors. Izany dia mampihena ny capacitance parasitika, manafaingana ny fifindrana, ary mahatonga ny SOI ho mety tsara amin'ny lojika haingam-pandeha sy ny fizaran-tany RF.
2. Fanjifana herinaratra ambany kokoa
- Ny capacitance kely kokoa dia midika fatiantoka amin'ny famandrihana sy ny famoahana herinaratra ambany kokoa.
- Ny fihenan'ny lalan'ny fivoahan'ny rano dia mitarika ho amin'ny fihenan'ny fanjifana herinaratra statika (miandry), ka mahatonga ny rafitra hitsitsy herinaratra kokoa.
3. Fitokana-monina tsara kokoa
- "Mipetraka" eo ambonin'ny sosona oksida ny fitaovana tsirairay, izay mampihena be ny fitsabahana elektrika eo amin'ireo fitaovana. Izany dia manatsara ny fahamarinan-toerana rehefa mampiditra faritra analog + nomerika, singa fitantanana herinaratra, ary môdely RF ao anaty puce iray ihany.
4. Fanatsarana ny fandeferana amin'ny taratra sy ny mari-pana avo lenta
- Tsy dia azo inoana loatra fa hiparitaka manerana ny substrate ny fiampangana taratra ateraky ny taratra, ka mahatonga ny fitaovana SOI ho azo antoka kokoa sy azo ianteherana kokoa amin'ny tontolo iainana be taratra toy ny fiaramanidina.
- Tsy dia mahery vaika loatra ny fitomboan'ny fikorianan'ny herinaratra amin'ny mari-pana avo, izay mahasoa ho an'ny fitaovana elektronika fiara sy ny fampiharana fanaraha-maso indostrialy.
5. Tsara ho an'ny fanitarana bebe kokoa
- Noho ny sosona silikônina manify dia manify eo ambony sy ny sosona oksida nalevina ao ambany, dia voafehy tsara kokoa ny fiantraikan'ny fantsona fohy, ka manamora kokoa ny fitazonana ny fiasan'ny fitaovana ho marin-toerana rehefa mihena hatrany ny fototry ny fizotran'ny asa.
Efa nampiharina tamin'ny sehatra maro ny teknolojia SOI. Amin'ny fitaovana elektronika ho an'ny mpanjifa, ampiasaina amin'ny môdio RF front-end amin'ny finday avo lenta izy io, toy ny sivana 5G. Amin'ny fitaovana elektronika fiara, manome sehatra fiasa marin-toerana ho an'ny puce radar ao anaty fiara izy io. Amin'ny sehatry ny aerospace, ampiasaina amin'ny fitaovana fifandraisana amin'ny zanabolana azo itokisana avo lenta izy io. Amin'ny fitaovana ara-pitsaboana, ny SOI dia manohana ny famolavolana sy ny fampiharana sensor ara-pitsaboana azo ampidirina sy karazana puce fanaraha-maso ambany hery isan-karazany.
Manolotra tetikasa manokana ho an'ny wafer mpitondra silikônina kristaly tokana ny orinasanay:
-
Hatevin'ny substrate silisiôma: 100 μm / 300 μm / 400 μm / 500 μm / 625 μm sy ambony
-
Hatevin'ny SiO₂: manomboka amin'ny 100 nm ka hatramin'ny 10 μm
-
Sosona silikônina mavitrika: ≥ 20 nm
Fotoana fandefasana: 09 Desambra 2025