Kí ni a ń lo MOCVD fún?

A maa n lo MOCVD fun idagbasoke fiimu semiconductor tinrin. Awọn fiimu wọnyi ṣe pataki fun awọn ẹrọ itanna ati optoelectronic ti o ti ni ilọsiwaju. Ọja fun imọ-ẹrọ MOCVD fihan idagbasoke to lagbara. Awọn amoye ṣe iṣiro iye ọja rẹ niDọla bilionu 1.1 ni ọdun 2023Wọ́n sọtẹ́lẹ̀ pé owó tí wọ́n ń gbà yóò dé USD 2.8 bilionu ní ọdún 2033, èyí tí ó fi hàn pé ìwọ̀n ìdàgbàsókè ọdọọdún (CAGR) jẹ́ 9.7%. Ìfẹ̀sí pàtàkì yìí fi ipa pàtàkì MOCVD nínú ìdàgbàsókè ìmọ̀ ẹ̀rọ hàn.

Àwọn Ohun Tí A Yàn Pàtàkì

• MOCVDÀwọn fíìmù semiconductor tó tinrin ló ń dàgbà. Àwọn fíìmù wọ̀nyí ṣe pàtàkì fún ọ̀pọ̀lọpọ̀ ẹ̀rọ itanna.
• MOCVD ń ran lọ́wọ́ láti ṣe àwọn ẹ̀rọ tó ti pẹ́. Àwọn wọ̀nyí ní LED, laser diode, àti power electronics.
• MOCVD dára fún agbára tí a lè sọ di tuntun. Ó ń ran àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn àti àwọn sensọ ìmọ́lẹ̀ lọ́wọ́ láti ṣẹ̀dá àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn tí ó dára jù.
• MOCVD n pese iṣakoso to dara. O n kọ awọn fẹlẹfẹlẹ pẹlu deede atomu fun iṣẹ ṣiṣe ẹrọ to dara julọ.
• MOCVD le ṣe ọpọlọpọ awọn ẹrọ ni ẹẹkan. Eyi jẹ ki o dara fun iṣelọpọ iwọn nla.

MOCVD fún Àwọn Ẹ̀rọ Optoelectronic Tó Ti Ní Ìlọsíwájú

Ìtújáde Afẹ́fẹ́ Kẹ́míkà Onírin-Organic (MOCVD)Ó kó ipa pàtàkì nínú ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ optoelectronic tó ti pẹ́. Ìmọ̀ ẹ̀rọ yìí mú kí àwọn fíìmù semiconductor tó tinrin dàgbàsókè, èyí tó ṣe pàtàkì fún iṣẹ́ àwọn diode tó ń tú ìmọ́lẹ̀ jáde, diode lésà, àti infrared emitters òde òní.

MOCVD ninu Iṣelọpọ LED

Ọ̀nà ìfipamọ́ yìí ṣe pàtàkì fún ṣíṣe àwọn Diodes tí ń yọ ìmọ́lẹ̀ jáde (LEDs) tí ó ní agbára gíga. Ó ń mú kí ìdàgbàsókè àwọn ètò ohun èlò pàtàkì bíiGallium Nitride (GaN), Gallium Arsenide (GaAs), àti Indium Phosphide (InP), pẹlúàwọn àdàpọ̀ arsenide/phosphide (As/P)Àwọn ohun èlò wọ̀nyí ni ìpìlẹ̀ fún ìtújáde ìmọ́lẹ̀ tó gbéṣẹ́. Fún àpẹẹrẹ,Àwọn LED 407 nm violet InGaN multi-quantum-wells tó ní agbára gígaWọ́n máa ń ṣe é nípa lílo ọ̀nà yìí. Àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí sábà máa ń ní ìpele GaN current spreading Layer tí kò ní oògùn àti àwọn ìdènà AlGaN pẹ̀lú àkójọpọ̀ aluminiomu gíga. Apẹẹrẹ yìí mú kí iṣẹ́ ìtújáde ìmọ́lẹ̀ sunwọ̀n síi nípa dídín ìṣàn omi abẹ́rẹ́ kù.Àwọn kànga oní-ìwọ̀n-pupọ InGaN/GaN (MQWs)ṣe aṣoju akojọpọ ohun elo deede fun iṣelọpọ LED ti o ni imọlẹ giga. Idagbasoke lilo ilana yii mu ilọsiwaju dara si ni patakiiṣọkan ati ibora ti awọn fiimu tinrin atomiki wọnyi, èyí tí ó ní ipa taara lórí ìṣẹ̀dá ìwọ̀n wafer ti àwọn ohun èlò 2D fún àwọn ẹ̀rọ optoelectronic tí ó ní iṣẹ́ gíga.LED InGaN pupa, tí ó ń jáde ní 625 nm, ṣàṣeyọrí ìṣeéṣe ìta ìta (EQE) tí ó gbajúmọ̀ ti 10.5%nípasẹ̀ ìlànà epitaxial tó díjú tó ní àwọn ìpele superlattice tó pọ̀ àti ìsanpadà ìfúnpá.

MOCVD fún Àwọn Díódì Lésà

Àwọn diode lésà, àwọn ohun pàtàkì nínú ìbánisọ̀rọ̀ opitika àti ìpamọ́ dátà, gbẹ́kẹ̀lé ìmọ̀-ẹ̀rọ yìí gidigidi. Ọ̀nà yìí mú kí àwọn fíìmù epitaxial tó ga jùlọ dàgbà nípa lílo àwọn ètò ohun èlò bíi Gallium Arsenide (GaAs), Gallium Nitride (GaN), àti Indium Phosphide (InP). Àwọn ọ̀nà ìdàgbàsókè ń mú kí ìdàgbàsókèàwọn dióódù lésà onígun gígùn tí a lè rí láti inú àwọn irin alloy III-V bíi InGaPAs àti InGaAlPSíwájú sí i,Àwọn diode laser quantum dot InAs/GaAs tí a gbìn nípasẹ̀ ìmọ̀-ẹ̀rọ yìí máa ń tú ìmọ́lẹ̀ O-band jáde, pàápàá jùlọ ní 1.3 µm. Pípéye ilana ìfipamọ́ náà ṣe àfikún pàtàkì sí ìgbẹ́kẹ̀lé àti ìgbésí ayé àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí. Fún àpẹẹrẹ, ó ti ṣe pàtàkì nínú gbígbìn àwọn fíìmù epitaxial tó ga jùlọ fún àwọn diode laser tí a fi ZnSe ṣe, èyí sì yọrí sí ìdàgbàsókè pàtàkì nínú wọnigbesi aye, de iwọn wakati 500 ni 20°C labẹ iṣẹ igbi ti nlọ lọwọÀwọn olùwádìí tún máa ń lo ọ̀nà yìí láti dàgbàsókèÀwọn lésà kanga kuantum InGaAs-AlGaAs tí a ti gbóná ní agbègbè gbígbòòrò tí ó ń ṣiṣẹ́ ní nǹkan bí 975nm, èyí tí ó ń ran lọ́wọ́ láti lóye àwọn ọ̀nà ìbàjẹ́.

MOCVD nínú àwọn Emitter Infurarẹẹdi

Ọ̀nà ìfipamọ́ yìí tún ṣe pàtàkì fún ṣíṣe àwọn ohun èlò ìtújáde infrared tó ti ní ìlọsíwájú, èyí tí wọ́n ń rí àwọn ohun èlò nínú ìfọ́mọ́ra, àwòrán, àti ìbánisọ̀rọ̀. Ọ̀nà náà gba ààyè fún ìfipamọ́ pàtó ti àwọn ohun èlò tó díjú. Fún àpẹẹrẹ, a ń gbin àwọn lésà àárín infrared nípa lílo ìlànà yìí. Àwọn ẹ̀rọ ìlọ́gbọ́n wọ̀nyí ní àwọn ìbòrí AlAsSb, àwọn agbègbè InAsSb tó ń ṣiṣẹ́, àti àwọn agbègbè oníṣẹ́ ọnà quantum well InAsSb/InAsP oníṣẹ́ ọnà púpọ̀. Wọ́n tún ní àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ GaAsSb/InAs oníṣẹ́ ọnà, èyí tí ó ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí orísun elekitironi inú fún àwọn lésà abẹ́rẹ́ oníṣẹ́ ọnà púpọ̀, AlAsSb sì ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ ìdènà elekitironi. Àwọn ètò wọ̀nyí dúró fúnAwọn ẹrọ akọkọ ti o ni ọpọlọpọ-ipele ti a dagba nipasẹ ọna yii, tí ó ń fi agbára ìmọ̀ ẹ̀rọ náà hàn láti ṣẹ̀dá àwọn èròjà infrared pàtàkì. Agbára láti ṣàkóso ìṣọ̀kan àti ìbòjú àwọn fíìmù tí a ti ṣe àgbékalẹ̀ ṣe pàtàkì fún iṣẹ́ àwọn ẹ̀rọ infrared onípele gíga wọ̀nyí.

MOCVD nínú Àwọn Ẹ̀rọ Ìṣiṣẹ́ Gíga

Ìtújáde Afẹ́fẹ́ Kẹ́míkà Onírin-Organic (MOCVD)jẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ pàtàkì fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ itanna oníṣẹ́ gíga. Ọ̀nà yìí mú kí ìdàgbàsókè pípéye ti àwọn ìpele semiconductor tó ṣe pàtàkì fún ẹ̀rọ itanna agbára, àwọn transistors onígbà gíga, àti àwọn sensọ̀ tó ti ní ìlọsíwájú.

MOCVD fun Awọn Itanna Agbara

Àwọn ohun èlò oníná mànàmáná nílò láti lò, èyí tó lè mú kí agbára pọ̀ sí i àti otútù tó le gan-an. MOCVD ṣe pàtàkì fún ṣíṣe àwọn ohun èlò bíi Gallium Nitride (GaN) àti Silicon Carbide (SiC), èyí tó ní àwọn ohun èlò tó ní agbára tó pọ̀ jù.agbara ooru to ga julọ ati folti fifọ gigaÀwọn ohun ìní wọ̀nyí ṣe pàtàkì fún àwọn ètò agbára òde òní.Àwọn semikondokito oní-bandgap bí SiC àti GaNWọ́n yẹ fún àwọn àyíká agbára tó ń béèrè fún agbára. Àwọn ẹ̀rọ náà wà lábẹ́ folti gíga, ìṣàn, àti iwọ̀n otútù nínú àwọn ètò wọ̀nyí. Fún àpẹẹrẹ, àwọn diode GaN, tí a ṣe pẹ̀lú àwọn agbègbè ìyípadà tí MOCVD ti gbìn, ti fi àwọn folti ìfọ́ hàn ju bí ó ti yẹ lọ1.3 kVÀwọn ẹ̀rọ méjìlá láti inú wafer kan ṣoṣo fi agbára yìí hàn, wọ́n sì dé ìwọ̀n 90 nínú ọgọ́rùn-ún ti ààlà parallel-plane ti ìmọ̀-ẹ̀rọ.

MOCVD n mu ki idagbasokeÀwọn ìpele epitaxial onípele kan ṣoṣo tó dára gan-an lórí àwọn ohun èlò SiC pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n àbùkù kékeréÈyí ṣe pàtàkì fún àwọn semiconductors power. Ìlànà náà ń pèsè ìṣàkóso pípéye lórí sísanra, ìfojúsùn doping, àti ìbáramu fẹlẹfẹlẹ ti epitaxial layer. Àwọn kókó wọ̀nyí ń mú kí àwọn ohun-ìní iná mànàmáná ṣe pàtàkì fún àwọn ẹ̀rọ itanna tí ó díjú. Jù bẹ́ẹ̀ lọ, MOCVD yẹ fún ìṣẹ̀dá ńlá. Ó ń gba ìdàgbàsókè àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial lórí àwọn substrates kékeré àti ńlá, èyí tí ó ń mú kí àwọn ẹ̀rọ tí ó da lórí SiC jẹ́ èyí tí ó munadoko fún gbígbà gbogbogbòò. Àwọn ohun èlò semiconductors III-nitride, pẹ̀lúGaN, AlGaN, InGaN, AlN, ati InAlN, ni a gbin nipasẹ ọna yii fun awọn ohun elo iṣẹ-ṣiṣe giga ninu awọn ẹrọ itanna agbara, awọn fọtoniki, ati awọn imọ-ẹrọ agbara mimọ. Awọn ohun elo wọnyi ṣe pataki fun awọn ẹrọ bii awọn transistors agbara ti o ni agbara giga (HEMTs), awọn LED ti a le rii ni UV, ati awọn diode lesa.

MOCVD nínú àwọn Transistors Ìgbohùn-gíga

Àwọn transistors onígbà púpọ̀, tí ó ṣe pàtàkì fún àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ tó ti ní ìlọsíwájú, tún ń jàǹfààní púpọ̀ láti inú MOCVD. Ìlànà náà ń mú kí ìdàgbàsókè àwọn ètò ohun èlò tí ó dá lórí InP rọrùn fún àwọn ẹ̀rọ bíi High Electron Mobility Transistors (HEMTs), Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs), PIN, Mixer, àti Multiplier diodesFún àpẹẹrẹ, àwọn olùwádìí ṣe AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) lórí GaN 4-inch lórí àwọn ohun èlò SiC. Ẹ̀rọ ìfọṣọ epitaxial, tí MOCVD gbìn, ní ìpele i-GaN buffer, ìpele ikanni GaN 0.9 μm tí a fi àìmọ̀ọ́mọ̀ mu, ìpele ìdènà Al0.25Ga0.75N 25 nm, àti ìpele ìbòrí GaN 2 nm. Àwọn ìwọ̀n gbọ̀ngàn ní iwọ̀n otútù yàrá fi ìṣípo elekitironi hàn1500 cm²/V·s, resistance iwe ti 280 Ω/sq, ati iwuwo gbigbe iwe ti 1 × 10¹³/cm².

Ṣíṣe àtúnṣe àwọn ìlànà ìfọ́ ohmic (OEPs) fún àwọn ohun èlò Ka-band tún mú kí iṣẹ́ wọn sunwọ̀n síi. Àpẹẹrẹ ìlà 1 μm OEP fi àwọn àbájáde tó dára ju àwọn ìlànà mìíràn lọ hàn.

Ìṣètò OEP tí a ṣe àtúnṣe yìí, pẹ̀lú àwọn ìpele epitaxial tí a gbìn sí MOCVD, ń mú kí iṣẹ́ ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ rédíò sunwọ̀n síi. Ó ń ṣe èyí nípa dídín ìdènà wíwọlé àti mímú kí agbègbè ìfọwọ́kàn pọ̀ sí i.

MOCVD fún Àwọn Sensọ Tó Ti Ní Ìlọsíwájú

Àwọn sensọ́ tó ti ní ìlọsíwájú gbẹ́kẹ̀lé àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ semiconductor tí a ṣe ní pàtó fún ìfàmọ́ra àti yíyàn tí ó pọ̀ sí i.Àwọn dichalcogenides irin ìyípadà 2D (TMDs) bíi molybdenum disulfide (MoS2)Ó ṣe pàtàkì fún àwọn ẹ̀rọ nano-electronic ìran tó ń bọ̀. Àwọn ohun èlò wọ̀nyí sábà máa ń ní àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìmòye tó ti ní ìlọsíwájú, tí wọ́n ń jàǹfààní láti inú ìdàgbàsókè ipele-sí-láàyè àti ìmọ́tótó gíga tí ọ̀nà náà ń pèsè.

Àwọn ìpele ZnGa2O4 tí a gbìn ní MOCVD wúlò gan-an fún àwọn sensọ gaasi NO. Ìwádìí ti fihàn pé ìtọ́jú ojú ilẹ̀ plasma mú kí iṣẹ́ wọn sunwọ̀n síi. Èyí yọrí sí ìdàgbàsókè ìlọ́po mẹ́jọ nínú ìdáhùn sensọ fún ìfojúsùn gaasi NO 5 ppm, tí ó dé ibi tí ó yẹ kí ó dé, ó sì dé ibi tí ó yẹ kí ó dé.1276.1%Sensọ tí a ti ṣe àtúnṣe yìí tún ṣe àṣeyọrí ìwọ̀n ìwádìí kékeré ti 2.4 ppb, èyí tí ó fi bí ọ̀nà náà ṣe gbéṣẹ́ tó hàn nínú ṣíṣe àwọn sensọ gaasi NO tí ó ní agbára gíga hàn.

Síwájú sí i,awọn nanowires indium oxide ati awọn fiimu tinrin In2O3Tí a gbin nípasẹ̀ ìlànà yìí fi hàn pé a lè yan NO2 dáadáa. Àwọn ohun èlò wọ̀nyí fi hàn pé a kò lè yan NO2 dáadáa, èyí tó fi hàn pé a lè yan èyí tó dára sí i. Ẹ̀rọ ìfọ́mọ́ra ZnGa2O4 (ZGO) tí MOCVD gbìn fi hàn pé a lè yan NO ní 300 °C, ó sì lè yan èyí tó dára jù. Sensọ ZGO fi hàn pé a lè yan NO ní 300 °C.1.88Nígbà tí a fi hàn sí 125 ppb NO. Ó fi hàn pé ó ní ìfàmọ́ra gíga sí NO nígbà tí ó ń ṣe pẹ̀lú CO2, CO, àti SO2 díẹ̀, èyí tí ó fi hàn pé a ti mú kí a yan nǹkan. Sensọ ZGO náà tún fi ìdáhùn tó ga sí NO hàn ní ìfiwéra pẹ̀lú NO2. Àwọn àpẹẹrẹ ìlànà àkọ́kọ́ jẹ́rìí sí i pé ìdáhùn tó lágbára sí sensọ gaasi ZGO sí NO jẹ́ nítorí ìyípadà pàtàkì nínú iṣẹ́ iṣẹ́ lórí ìfàmọ́ra molecule NO lórí ojú fíìmù tín-ín-rín.

MOCVD fún Agbára Àtúnṣe àti Ṣíṣàwárí

Ìfipamọ́ afẹ́fẹ́ kẹ́míkà irin-aládàáni (MOCVD) ṣe alabapin pataki si ilọsiwaju ninu awọn imọ-ẹrọ agbara isọdọtun ati awọn eto wiwa ti o ni ilọsiwaju. Ọna yii ngbanilaaye lati ṣẹda awọn ohun elo iṣẹ ṣiṣe giga ti o ṣe pataki fun awọn sẹẹli oorun ti o munadoko ati awọn ẹrọ iwadii fọto ti o ni imọlara.

MOCVD nínú àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn oní-ìsopọ̀ púpọ̀

MOCVD nipataki fun ṣiṣe awọn paneli oorun ti o lagbaraÓ mú kí a lè ṣẹ̀dá àwọn semiconductors oníṣọ̀kan pẹ̀lú ìwọ̀n ìyípadà agbára tí ó dára síi. Ìmọ̀-ẹ̀rọ yìí ṣe pàtàkì fún mímú agbára púpọ̀ jáde láti inú oòrùn, ní ìbámu pẹ̀lú ìtẹnumọ́ àgbáyé lórí agbára tí ó lè yípadà. Àwọn olùwádìí sábà máa ń ṣe àgbékalẹ̀Àwọn ẹ̀rọ GaInP/GaInAs/Genípa lílo MOCVD fún ìṣẹ̀dá àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn onípele-pupọ tí ó lágbára tí ó sì ń ṣiṣẹ́ dáadáa. Àwọn ètò wọ̀nyí tí ó díjú mú kí oòrùn máa gba gbogbo apá ọ̀tọ̀ọ̀tọ̀ ti oòrùn pọ̀ sí i.

Fún àpẹẹrẹ, sẹ́ẹ̀lì oòrùn III-V ìsopọ̀ márùn-ún, tí a ṣe nípa lílo MOCVD, ṣàṣeyọrí agbára ìyípadà agbára35.1%Ẹ̀rọ 12 cm² yìí ní ìṣètò AlGaInP-AlGaAs-GaAs-InGaAs-InGaAs. Sẹ́ẹ̀lì kékeré kọ̀ọ̀kan ní agbára ìdènà pàtó kan, èyí tí ó fún ni láàyè láti gba ìmọ́lẹ̀ tó dára jùlọ. Agbára ìpele pípé yìí mú kí MOCVD ṣe pàtàkì fún títẹ àwọn ààlà ìyípadà agbára oòrùn.

MOCVD fún Àwọn Olùwádìí Fọ́tò Tó Dára Jùlọ

MOCVD tún kó ipa pàtàkì nínú ṣíṣe àwọn fọ́tò-rí-ẹ̀rọ tó gbéṣẹ́. Àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí yí ìmọ́lẹ̀ padà sí àwọn àmì iná mànàmáná, wíwá àwọn ohun èlò nínú ìbánisọ̀rọ̀, àwòrán, àti ìmòye. Ọ̀nà náà gba ààyè fún ìṣàkóso pípéye lórí ìṣẹ̀dá ohun èlò àti sisanra àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́, èyí tí ó ní ipa lórí iṣẹ́ fọ́tò-rí-ẹ̀rọ náà ní tààrà.

MOCVD ń mú kí ìdàgbàsókè àwọn àwòrán PIN InGaAs rọrùn lórí àwọn ohun èlò InP. Àwọn onímọ̀ ẹ̀rọ lè mú kí ìmọ̀lára ìwòran InGaAs fún àwọn ìgbì omi láàrín ìwọ̀n gígùn (0.4 μm-3.6 μm). Ìmúdàgbàsókè yìí wáyé nípa ṣíṣàkóso ìṣètò ohun èlò dáadáa, bíi In0.53Ga0.47As, èyí tí ó ní bandgap ti 0.74 eV tí ó sì bo àwọn ìgbì ìjùmọ̀sọ̀rọ̀ pàtàkì. MOCVD gba ààyè fún ìfipamọ́ pípéye ti àwọn fẹlẹfẹlẹ onírúurú, pẹ̀lú InP irú p- àti n-n, àti ọ̀pọ̀lọpọ̀ fẹlẹfẹlẹ InGaAs pẹ̀lú àwọn sisanra pàtó (fún àpẹẹrẹ, fẹlẹfẹlẹ gbigba InGaAs tí kò ní 2.2 μm). Àwọn fẹlẹfẹlẹ wọ̀nyí ṣe pàtàkì fún ṣíṣàlàyé ìdáhùn ìwòran photodetector.

Pẹlupẹlu, MOCVD n mu ki idagbasokeÀwọn fíìmù 2O3 (In1-xAlx) pẹ̀lú bandgap tó ṣeé túnṣelórí àwọn ohun èlò MgO. Ìyípadà bandgap, tí ìṣètò kẹ́míkà àti ìwọ̀n otútù ìdàgbàsókè ní ipa lórí, ń jẹ́ kí iṣẹ́ àwọn photodetectors tí ó ní ìmọ̀lára sí àwọn spectral space pàtó kan. Pípé yìí tún nà sí iyára ìdáhùn pẹ̀lú. Àwọn photodetectors tí wọ́n ń lo àwọn fíìmù Ga2O3 tí a gbìn ní MOCVD ti fi iyára ìdáhùn hàn.ó dara ju 0.1 aaya lọNí pàtàkì, àwọn fọ́tòdáìdì ìdènà Schottky tí a gbé ka orí Ga2O3 lórí mica fi ìdáhùn kíákíá yìí hàn, èyí tí ó fi agbára ìmọ̀-ẹ̀rọ náà hàn fún wíwá ìyára gíga.

Ipese ati Iyatọ ti MOCVD

Ìfipamọ́ Eérú Kẹ́míkà Onírin-Organic ní àwọn àǹfààní àrà ọ̀tọ̀ nínú iṣẹ́ ìṣẹ̀dá semiconductor. Pípéye àti ìlò rẹ̀ ló mú kí ó ṣe pàtàkì fún ṣíṣẹ̀dá àwọn ẹ̀rọ itanna àti optoelectronic tó ti pẹ́. Ìmọ̀ ẹ̀rọ yìí gbà láàyè fúnIṣakoso to tayọ lori awọn ohun-ini ohun elo ati awọn ẹya fẹlẹfẹlẹ.

Ipa ti MOCVD ninu Lilo Ohun elo Ni Apapo

Ọna ìforúkọsílẹ̀ yìí fi hànawọn ohun elo ti o yanilenu le ṣepọÓ ń kó ọ̀pọ̀lọpọ̀ ohun èlò sínú rẹ̀. Àwọn wọ̀nyí níÀwọn ohun èlò II-VI, àwọn ohun èlò III-V, àti àwọn ohun èlò ìṣẹ̀dá tí ó mọ́ tónítóní tí ó ń ṣe àwọn fíìmù tín-ín-rín. Ó tún ń ṣe àwọn ohun èlò kéékèèké/nánostructures, 0D, 1D, àti 2D nanomaterials. Ní pàtàkì, ó tayọ pẹ̀lúÀwọn semikondokito III-V, tí ó ní àwọn èròjà irin bíi gallium àti indium, àti àwọn èròjà ẹgbẹ́ V bíi arsenic àti phosphorus.Àwọn ẹ̀yà ara GaAs tí ó yàtọ̀ síraàtiAwọn ohun elo ti o da lori GaN fun awọn LED ati awọn ẹrọ itannajẹ́ àwọn ohun èlò tí ó wọ́pọ̀.

Ọ̀nà yìí jẹ́ ọ̀nà tó wọ́pọ̀ gan-an. Ó máa ń kó àwọn semiconductors, nitrides, àti oxides sínú rẹ̀ nípasẹ̀ onírúurú kemistri precursor. Ó sábà máa ń jẹ́ ohun tí a fẹ́ràn jù fún àwọn ohun èlò phosphide (P). Fún àwọn ohun èlò tí a fi arsenide ṣe, ọ̀nà yìí àti MBE ní agbára kan náà. Síbẹ̀síbẹ̀,MBE ni ọna ti a fẹ julọ fun idagbasoke ohun elo antimonide (Sb)àti fún àwọn ètò tó ti ní ìlọsíwájú bíi àwọn àmì ìyẹ́nkù.

MOCVD fún Ìṣàkóso Fẹ́ẹ̀tì Pípé

Ilana naa jẹ ki idagbasoke awọn heterostructures ti o ni idiju pẹluìṣe deedee ipele atomiki. Àwọn onímọ̀ ẹ̀rọ ń ṣẹ̀dá àwọn ìyípadà tó múná dóko láàárín àwọn ìpele. Èyí ń ṣẹlẹ̀ nípa yíyí àwọn gáàsì tó ń ṣàn sínú reactor náà. Ìṣàkóso yìí ṣe pàtàkì fún ṣíṣe àtúnṣe àwọn ohun-ìní ẹ̀rọ itanna àti opitika ti àwọn ẹ̀rọ semiconductor onípele púpọ̀. A kà ìlànà náà sí 'ìṣètò ìpele atomu'. Àwọn ìpele kristali tó tinrin púpọ̀, tí a fi atomu kọ́ átọ̀mù. Ọ̀nà ìṣàkóso gíga yìí ń mú kí ìdàgbàsókè epitaxial rọrùn. Àwọn átọ̀mù ṣètò ara wọn ní ọ̀nà tó ga, wọ́n ń ṣàfarawé ìṣètò kristali tó wà lábẹ́ wafer. Èyí ń rí i dájú pé ìtẹ̀síwájú ìṣètò kristali náà wà ní ìpele kan sí òmíràn.

Ìwọ̀n Ìṣẹ̀dá MOCVD fún Ìṣẹ̀dá

Eto yii tun n pese iwọn ti o pọju fun iṣelọpọ iwọn didun giga. Awọn reactors ile-iṣẹ gba ọpọlọpọàwọn àkàrà kéékèèkéÀwọn ohun tí ń ṣe àtúnṣe ayé, fún àpẹẹrẹ, múàwọn wafers tó tó 200 mm (tó tó 8 inches)Èyí ń ṣètìlẹ́yìn fún iṣẹ́-ṣíṣe tí ó ní owó díẹ̀ àti iye owó gíga. Ìran karùn-ún GaN Planetary Reactor mú àwọn epiwafer mẹ́jọ tí ó ní ìwọ̀n 6-inch jáde ní ìṣiṣẹ́ kan ṣoṣo.

• Àwọn wáfárì oní-4-inchni a nlo ni gbogbogbo fun iwọntunwọnsi iye owo ati iwọn didun ninu iṣelọpọ iwọn didun giga.
• Àwọn wafer oníwọ̀n 6-inch ń gba ìfàmọ́ra fún iṣẹ́-ṣíṣe oníwọ̀n gíga, láìka àwọn ìpèníjà ìmọ̀-ẹ̀rọ sí.

MOCVD ṣe pàtàkì fún ṣíṣe onírúurú ẹ̀rọ itanna àti optoelectronic òde òní. Àwọn agbára àrà ọ̀tọ̀ rẹ̀ nínú ṣíṣe kedere àti lílo ohun èlò ló ń mú kí ìṣẹ̀dá tuntun wáyé ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ilé iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga. Ìmọ̀-ẹ̀rọ yìí ń jẹ́ kí àwọn ètò semiconductor tó díjú pẹ̀lú ìṣàkóso tó tayọ wà. MOCVD ń tẹ̀síwájú gẹ́gẹ́ bí ìmọ̀-ẹ̀rọ pàtàkì, ó ń mú kí ìlọsíwájú bá ìmọ́lẹ̀, ìbánisọ̀rọ̀, kọ̀ǹpútà, àti agbára tó ń sọ di tuntun. Ó ń tẹ̀síwájú láti máa gbé ààlà ohun tó ṣeé ṣe nínú ìmọ̀-ẹ̀rọ ohun èlò tó ti pẹ́.