Ìkẹ́kọ̀ọ́ Ọ̀ràn: Àwọn Ẹ̀yà Gíráfítì Tó Gíga Jùlọ fún Àwọn Pápá Ìgbóná Monocrystalline 32 Inch nínú Ìdàgbàsókè N-Irú Silicon

Ìṣáájú: Ìpèníjà Pápá Ìgbóná 32-Inch nínú Ìdàgbàsókè Sílíkọ́nì N-Irú Tó Dára Jùlọ

Bí ilé iṣẹ́ fọ́tòvoltaics ṣe ń yára yípadà láti oríṣi P-type PERC sí oríṣi N-type TOPCon àti Heterojunction (HJT), ìbéèrè fún àwọn wafers silicon mímọ́ tó ga jù ti pọ̀ sí i. Àwọn ohun èlò silicon onírú N nílò ìgbésí ayé àwọn ohun èlò onírú N tó ga gan-an (nígbà gbogbo >300 μs) àti ìbàjẹ́ ìyípadà irin tó fẹ́rẹ̀ẹ́ jẹ́ òdo.

Láti mú kí iṣẹ́ náà pọ̀ sí i, àwọn olùṣelọpọ wafer silicon ń mú kí ìwọ̀n crucible pọ̀ sí 32 inches àti jù bẹ́ẹ̀ lọ. Síbẹ̀síbẹ̀, ṣíṣiṣẹ́ ní iwọ̀n otútù tí ó ju 1,450°C lọ nínú pápá ooru 32-inch ń fa àwọn ìpèníjà onímọ̀ ẹ̀rọ líle:

1. Ìbàjẹ́ àti Àìdọ́gba Ooru:Àwọn ìyípadà ooru ńláńlá máa ń fa ìbàjẹ́ àti ìfọ́ nínú àwọn ohun èlò ìgbóná graphite àti àwọn ìpele ìpele.
2. Ìbàjẹ́ Irin Aláìyípadà:Àwọn èròjà àìmọ́ tí a fi ń ṣàyẹ̀wò (Fe, Ni, Cu, V) nínú graphite ìbílẹ̀ máa ń yọ jáde nígbà tí a bá ń fa kirisita fún ìgbà pípẹ́, wọ́n á kó lọ tààrà sí sílíkónì tí ó yọ́, èyí sì máa ń fa ìbàjẹ́ tó lágbára fún àwọn tí kò ní agbára tó láti gbé e káàkiri.

Ojutu Imọ-ẹrọ: Isostatic Graphite ti a ti wẹ patapata & Idaabobo CVD SiC

Láti borí àwọn ìṣòro ìmọ̀ ẹ̀rọ wọ̀nyí, VeTek Semiconductor gbé ìgbésẹ̀ àtúnṣe ohun èlò tó péye kalẹ̀ káàkiri gbogbo àkójọpọ̀ pápá ooru 32-inch, tó ní í ṣe pẹ̀lú graphite isostatic tó ga-density tí a fi sí ìwẹ̀nùmọ́ halogen tó ga-temperature àti àwọn ìbòrí CVD Silicon Carbide (SiC) tó ń dáàbò bò.

1. Ìmọ́tótó Halogen Jíjìn (Àkóónú Eérú ≤ 2-5 ppm)

Grafiti ile-iṣẹ deede ni akoonu eeru pupọ ti o wa laarin 50 ppm ati 200 ppm. Ni 1,450°C labẹ afẹfẹ, awọn eroja wọnyi yoo yi pada. Ilana mimọ gaasi Halogen giga wa ti o ni agbara yi awọn idoti irin pada si awọn agbo-ogun halogen ti o yipada (chlorides/fluorides) ni awọn iwọn otutu ti o ju 2,400°C lọ.

• Idanwo Glow Discharge Mass Spectrometry (GDMS)ṣe ìdánilójú pé gbogbo àwọn ohun ìdọ̀tí irin (Fe, Cr, Ni, Cu, V) ti dínkù sí lábẹ́ 0.5 ppm, èyí tí ó mú kí iye eeru gbogbogbòò jẹ́ ≤ 2 ppm.
• Àbájáde:Ó mú kí ìdàgbàsókè gáàsì irin tó wà ní ìsàlẹ̀ kúrò, ó sì ń dáàbò bo adágún silikoni tó yọ́ kúrò nínú ìbàjẹ́ láàárín wákàtí 120+ ti àwọn ìyípo fífà tí ń bá a lọ.

2. Ìṣètò Graphite Isostatic tó ga-gíga fún Ìdúróṣinṣin Ooru

Àwọn èròjà bíi graphite heater, crucible susceptor, àti barrel insulation ni a fi ẹ̀rọ ṣe láti inú isostatic graphite isostatic-density (1.85 g/cm³), fine-grain (tóbi ọkà <10 μm). Ìtẹ̀sí Isostatic ń ṣe ìdánilójú pé ìfàsẹ́yìn ooru isotropic (CTE) kan náà ni ó ń dènà wahala ooru tí a ń ṣe ní agbègbè, yíyípo, àti ìfọ́ ẹ̀rọ lábẹ́ àwọn ìyípo ooru tí a ń ṣe leralera.

3. Àbò CVD Silicon Carbide (SiC)

A fi ìpele 50–80 μm ti Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) bo awọn eroja pataki ti a fi si silikoni ati awọn gaasi purifing corrosion.

• Ìdènà ìbàjẹ́:Ó ń dènà ìṣiṣẹ́ kẹ́míkà tààrà láàárín ìgbóná sílíkọ́nì oníyípadà (SiO) àti ohun èlò graphite (SiO + 2C → SiC + CO), ó sì ń mú ìfọ́ ojú ilẹ̀ àti ìṣẹ̀dá eruku erogba kúrò.
• Pípéye Jẹ́ẹ́mẹ́tíríkì:Ó ń ṣe àkóso àwòrán ojú ooru tó péye lórí àwọn àkókò iṣẹ́ tó gùn ju 30% lọ.

Dáta Ìṣiṣẹ́ Tí A Wíwọ̀n & Ìfìdí Ìdánwò Pápá

A ṣe ìdánwò oko afiwera oṣu mẹfa ni gbogbo awọn ile ina CZ 32-inch 50 ni ile-iṣẹ iṣelọpọ wafer silikoni TOPCon tier-1. Ni isalẹ ni ami iṣẹ ṣiṣe ti o nfi awọn eroja graphite boṣewa ṣe afiwera si ojutu aaye ooru mimọ ti VeTek Semiconductor:

Àwọn Ìbéèrè Tí A Ń Béèrè Lóòrèkóòrè (FAQ)

Ìparí àti Ìgbìmọ̀ Ìmọ̀-ẹ̀rọ

Àtúnṣe sí àwọn èròjà isostatic graphite tí a ti wẹ̀ mọ́ gidigidi pẹ̀lú ààbò CVD SiC ń pèsè ọ̀nà tí ó tààrà, tí a lè wọ̀n láti yanjú ìṣòro ìdàgbàsókè àti àìmọ́ nínú ìdàgbàsókè silikoni monocrystalline N-type 32-inch. Pẹ̀lú ìdàgbàsókè 18% nínú èso prime àti ìgbésí ayé ooru gbígbóná 30%, àwọn olùṣe àgbékalẹ̀ wafer oorun lè ṣe àṣeyọrí ROI tí ó pọ̀.