Si epitaksijalni dijelovi

CVD SiC obložene komponente za silicijsku epitaksiju (Si Epi)

Precizno konstruisani za sisteme epitaksijalnog taloženja silicija na pojedinačnim pločicama i u serijama, naši CVD SiC obloženi susceptori, satelitski diskovi i komponente termalnog polja pružaju izvanrednu termičku ujednačenost i nulto ispuštanje gasova. Sloj kubnog β-SiC premaza visoke gustine u potpunosti obuhvata visokočistu grafitu, sprečavajući reaktivno nagrizanje gasovima (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) i garantujući ultra niske nivoe metalnih nečistoća (< 5 ppm) tokom visokotemperaturne Si Epi obrade (1000°C - 1200°C).

Ujednačenost termalnog polja

Kontrolisana emisivnost osigurava preciznu konzistentnost debljine filma od ivice do centra pločice.

Otpornost na nagrizanje HCl-om

Pruža snažnu zaštitu od hemikalija za čišćenje komore na licu mjesta i termičkih šokova.

Kompatibilnost OEM sistema

Precizno CNC obrađeno da odgovara uobičajenim Epi alatima s jednom pločicom od 200 mm/300 mm (Applied Materials, ASM).

Tehnički parametar	Vrijednost specifikacije	Standardna / Metoda ispitivanja
Materijal za premazivanje	CVD β-SiC (kubna faza)	Kristalna struktura visoke gustoće
Materijal podloge	Ultra-čisti izostatički grafit	Gustoća: 1,82 - 1,88 g/cm³
Hemijska čistoća	Ukupne nečistoće < 5 ppm	GDMS testirano
Debljina premaza	80 μm - 150 μm	Ujednačenost ≤ ±5%