Quentador de grafito personalizado para obleas de silicio semicondutoras, revestimento de SiC

Quentador de grafito personalizado para obleas de silicio semicondutoras, imaxe destacada de revestimento de SiC

Descrición curta:

Especificación técnica	VET-M3
Densidade aparente (g/cm3)	≥1,85
contido de cinzas (PPM)	≤500
Dureza Shore	≥45
Resistencia específica (μ.Ω.m)	≤12
Resistencia á flexión (Mpa)	≥40
Resistencia á compresión (Mpa)	≥70
Tamaño máximo de gran (μm)	≤43
Coeficiente de expansión térmica Mm/°C	≤4,4*10-6

Envíanos un correo electrónico Descargar como PDF

Detalle do produto

Etiquetas do produto

PersonalizadoQuentador de grafito para oblea de silicio semicondutora

Especificación técnica	VET-M3
Densidade aparente (g/cm3)	≥1,85
contido de cinzas (PPM)	≤500
Dureza Shore	≥45
Resistencia específica (μ.Ω.m)	≤12
Resistencia á flexión (Mpa)	≥40
Resistencia á compresión (Mpa)	≥70
Tamaño máximo de gran (μm)	≤43
Coeficiente de expansión térmica Mm/°C	≤4,4*10-6

Quentador de grafito personalizado para obleas de silicio semicondutoras

Quentador de grafito personalizado para obleas de silicio semicondutoras

Quentador de grafito personalizado para obleas de silicio semicondutoras

Quentador de grafito personalizado para obleas de silicio semicondutoras

Quentador de grafito personalizado para obleas de silicio semicondutoras

Anterior: Quentador de grafito personalizado para zona quente/campo térmico de grafito

Seguinte: Quentador de grafito Carburo de silicio (SiC) Revestimento de SiC Revestimento de SiC

PRODUTOS RELACIONADOS

Chat en liña de WhatsApp!