Kundenspezifischer Graphitheizer für Halbleiter-Siliziumwafer, SiC-Beschichtung

Maßgeschneiderter Graphitheizer für Halbleiter-Siliziumwafer, SiC-Beschichtung. Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Technische Spezifikation	Berufsbildung-M3
Schüttdichte (g/cm3)	≥1,85
Aschegehalt (PPM)	≤500
Shore-Härte	≥45
Spezifischer Widerstand (μ.Ω.m)	≤12
Biegefestigkeit (Mpa)	≥40
Druckfestigkeit (Mpa)	≥70
Max. Korngröße (μm)	≤43
Wärmeausdehnungskoeffizient mm/°C	≤4,4*10-6

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Produktdetail

Produkt Tags

MaßgeschneidertGraphitheizung für Halbleiter-Silizium-Wafer

Technische Spezifikation	Berufsbildung-M3
Schüttdichte (g/cm3)	≥1,85
Aschegehalt (PPM)	≤500
Shore-Härte	≥45
Spezifischer Widerstand (μ.Ω.m)	≤12
Biegefestigkeit (Mpa)	≥40
Druckfestigkeit (Mpa)	≥70
Max. Korngröße (μm)	≤43
Wärmeausdehnungskoeffizient mm/°C	≤4,4*10-6

Maßgeschneiderter Graphitheizer für Halbleiter-Silizium-Wafer

Maßgeschneiderter Graphitheizer für Halbleiter-Silizium-Wafer

Maßgeschneiderter Graphitheizer für Halbleiter-Silizium-Wafer

Maßgeschneiderter Graphitheizer für Halbleiter-Silizium-Wafer

Maßgeschneiderter Graphitheizer für Halbleiter-Silizium-Wafer

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