Rivestimentu di SiC grafite MOCVD Porta-wafer/suscettore
Tutti i nostri suscettori sò fatti di grafite isostatica d'alta resistenza. Prufittate di l'alta purezza di e nostre grafite - sviluppate apposta per prucessi difficili cum'è l'epitassia, a crescita di cristalli, l'impiantu ionicu è l'incisione à plasma, è ancu per a pruduzzione di chip LED.
Caratteristiche di i nostri prudutti:
1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura finu à 1700 ℃.
2. Alta purità è uniformità termica
3. Eccellente resistenza à a currusione: acidi, alcali, sali è reagenti organici.
4. Alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
5. Vita di serviziu più longa è più durevule
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu | |
| 性质 / Pruprietà | 典型数值 / Valore Tipicu |
| 晶体结构 / Struttura Cristallina | Fase β di a FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 维氏硬度(500g di carica) |
| 晶粒大小 / Grana | 2~10μm |
| 纯度 / Purità chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza à a flessione | 415 MPa RT à 4 punti |
| 杨氏模量 Modulu di Young | Curvatura 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalCunduttività | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatazione Termica (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
VET Energy hè u veru fabricatore di prudutti persunalizati in grafite è carburo di siliciu cù diversi rivestimenti cum'è u rivestimentu SiC, u rivestimentu TaC, u rivestimentu di carbone vetroso, u rivestimentu di carbone piroliticu, ecc., pò furnisce diverse parti persunalizate per l'industria di semiconduttori è fotovoltaica.
A nostra squadra tecnica vene da e migliori istituzioni di ricerca domestiche, pò furnisce suluzioni di materiale più prufessiunali per voi.
Sviluppemu continuamente prucessi avanzati per furnisce materiali più avanzati, è avemu elaboratu una tecnulugia brevettata esclusiva, chì pò fà chì u ligame trà u rivestimentu è u substratu sia più strettu è menu propensu à u distaccu.
Vi benvenuti à visità a nostra fabbrica, parlemu più in dettagliu!
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