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  • Was ist eine Siliziumkarbidbeschichtung?

    Was ist eine Siliziumkarbidbeschichtung?

    Siliziumkarbidbeschichtung, allgemein bekannt als SiC-Beschichtung, bezeichnet das Aufbringen einer Siliziumkarbidschicht auf Oberflächen durch Verfahren wie chemische Gasphasenabscheidung (CVD), physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) oder thermisches Spritzen. Diese Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung verbessert die Oberfläche...
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  • Sechs Vorteile von druckgesintertem Siliziumkarbid und die Anwendung von Siliziumkarbidkeramik

    Sechs Vorteile von druckgesintertem Siliziumkarbid und die Anwendung von Siliziumkarbidkeramik

    Bei atmosphärischem Druck gesintertes Siliziumkarbid wird nicht mehr nur als Schleifmittel, sondern vielmehr als neues Material eingesetzt und findet breite Anwendung in Hightech-Produkten, beispielsweise in Keramik aus Siliziumkarbid. Was sind also die sechs Vorteile des Sinterns von Siliziumkarbid bei atmosphärischem Druck und die...
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  • Siliziumnitrid – Strukturkeramik mit der besten Gesamtleistung

    Siliziumnitrid – Strukturkeramik mit der besten Gesamtleistung

    Spezialkeramik bezeichnet eine Keramikklasse mit besonderen mechanischen, physikalischen oder chemischen Eigenschaften. Die verwendeten Rohstoffe und die erforderliche Produktionstechnologie unterscheiden sich erheblich von gewöhnlicher Keramik und deren Entwicklung. Je nach Eigenschaften und Verwendung kann Spezialkeramik ...
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  • Einfluss des Sinterns auf die Eigenschaften von Zirkonoxidkeramiken

    Einfluss des Sinterns auf die Eigenschaften von Zirkonoxidkeramiken

    Zirkonium ist ein keramisches Material mit hoher Festigkeit, hoher Härte, guter Verschleißfestigkeit, Säure- und Laugenbeständigkeit, hoher Temperaturbeständigkeit und weiteren hervorragenden Eigenschaften. Neben seiner breiten Anwendung im industriellen Bereich entwickelt sich die Zahnersatzindustrie rasant ...
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  • Halbleiterbauteile – SiC-beschichtete Graphitbasis

    Halbleiterbauteile – SiC-beschichtete Graphitbasis

    SiC-beschichtete Graphitträger werden häufig zur Unterstützung und Erwärmung von Einkristallsubstraten in Anlagen zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) verwendet. Die thermische Stabilität, die thermische Gleichmäßigkeit und andere Leistungsparameter von SiC-beschichteten Graphitträgern spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität der epitaktischen Beschichtung.
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  • Warum Silizium als Halbleiterchip?

    Warum Silizium als Halbleiterchip?

    Ein Halbleiter ist ein Material, dessen elektrische Leitfähigkeit bei Raumtemperatur zwischen der eines Leiters und der eines Isolators liegt. Wie Kupferdraht im Alltag ist auch Aluminiumdraht ein Leiter und Gummi ein Isolator. Aus Sicht der Leitfähigkeit: Halbleiter bezeichnet einen leitfähigen...
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  • Einfluss des Sinterns auf die Eigenschaften von Zirkonoxidkeramiken

    Einfluss des Sinterns auf die Eigenschaften von Zirkonoxidkeramiken

    Einfluss des Sinterns auf die Eigenschaften von Zirkonoxidkeramiken. Zirkoniumdioxid zeichnet sich als Keramikwerkstoff durch hohe Festigkeit, hohe Härte, gute Verschleißfestigkeit, Säure- und Laugenbeständigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit und weitere hervorragende Eigenschaften aus. Neben seiner breiten Anwendung im industriellen Bereich ...
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  • Halbleiterbauteile – SiC-beschichtete Graphitbasis

    Halbleiterbauteile – SiC-beschichtete Graphitbasis

    SiC-beschichtete Graphitträger werden häufig zur Unterstützung und Erwärmung von Einkristallsubstraten in Anlagen zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) verwendet. Die thermische Stabilität, die thermische Gleichmäßigkeit und andere Leistungsparameter von SiC-beschichteten Graphitträgern spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität der epitaktischen Beschichtung.
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  • Durchbruch bei sic-Wachstums-Schlüsselkernmaterial

    Durchbruch bei sic-Wachstums-Schlüsselkernmaterial

    Wenn Siliziumkarbidkristalle wachsen, ist die „Umgebung“ der Wachstumsschnittstelle zwischen der axialen Mitte des Kristalls und der Kante unterschiedlich, sodass die Kristallspannung an der Kante zunimmt und die Kristallkante aufgrund der Inf... leicht „umfassende Defekte“ erzeugt.
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