Nouvelles

processus BCD
par admin le 24-09-18
Qu'est-ce que le procédé BCD ? Le procédé BCD est une technologie intégrée monopuce, introduite par ST en 1986. Cette technologie permet de fabriquer des composants bipolaires, CMOS et DMOS sur une même puce. Son aspect réduit considérablement la surface de la puce. On peut dire que le procédé BCD exploite pleinement…
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BJT, CMOS, DMOS et autres technologies de traitement des semi-conducteurs
par admin le 24-09-10
Bienvenue sur notre site web pour des informations et des conseils sur nos produits. Notre site web : https://www.vet-china.com/. Alors que les procédés de fabrication des semi-conducteurs continuent de progresser, une célèbre affirmation, appelée « loi de Moore », circule dans l'industrie. Elle a été…
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Procédé de gravure par flux de motifs de semi-conducteurs
par admin le 24-09-10
Les premières gravures humides ont favorisé le développement de procédés de nettoyage ou de calcination. Aujourd'hui, la gravure sèche au plasma est devenue le procédé de gravure le plus répandu. Le plasma est composé d'électrons, de cations et de radicaux. L'énergie appliquée au plasma provoque la fusion des électrons les plus externes…
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Recherche sur le four épitaxial SiC de 8 pouces et le procédé homoépitaxial-Ⅱ
par admin le 24-09-04
2 Résultats expérimentaux et discussion 2.1 Épaisseur et uniformité de la couche épitaxiale L'épaisseur de la couche épitaxiale, la concentration de dopage et l'uniformité sont l'un des indicateurs clés pour juger de la qualité des plaquettes épitaxiales. Une épaisseur, un dopage et une uniformité contrôlables avec précision sont des facteurs clés pour juger de la qualité des plaquettes épitaxiales.
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Recherche sur le four épitaxial SiC de 8 pouces et le procédé homoépitaxial-Ⅰ
par admin le 24-09-04
L'industrie du SiC est actuellement en pleine transformation, passant de 150 mm (6 pouces) à 200 mm (8 pouces). Afin de répondre à la demande urgente de plaquettes homoépitaxiales SiC de grande taille et de haute qualité, des plaquettes homoépitaxiales 4H-SiC de 150 mm et 200 mm ont été préparées avec succès sur...
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Optimisation de la structure des pores du carbone poreux -Ⅱ
par admin le 24-08-27
Bienvenue sur notre site web pour des informations et des conseils sur nos produits. Notre site web : https://www.vet-china.com/ Méthode d'activation physico-chimique. L'activation physico-chimique consiste à préparer des matériaux poreux en combinant les deux principes actifs ci-dessus.
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Optimisation de la structure des pores du carbone poreux-Ⅰ
par admin le 24-08-27
Bienvenue sur notre site web pour des informations et des conseils sur nos produits. Notre site web : https://www.vet-china.com/ Cet article analyse le marché actuel du charbon actif, analyse en profondeur les matières premières du charbon actif et présente la structure des pores.
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Flux de processus des semi-conducteurs-Ⅱ
par admin le 24-08-23
Bienvenue sur notre site web pour des informations et des conseils sur nos produits. Notre site web : https://www.vet-china.com/ Gravure du poly et du SiO2 : L'excès de poly et de SiO2 est ensuite éliminé par gravure. On utilise alors une gravure directionnelle. Lors de la classification…
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Flux de processus des semi-conducteurs
par admin le 24-08-23
Vous pouvez le comprendre même sans avoir étudié la physique ou les mathématiques, mais il est un peu trop simple et adapté aux débutants. Si vous souhaitez en savoir plus sur le CMOS, lisez ce numéro, car ce n'est qu'après avoir compris le déroulement du processus (c'est-à-dire…
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