समाचार

अर्धचालक प्रक्रिया फोटोलिथोग्राफी की पूर्ण प्रक्रिया
admin द्वारा 24-07-16 को लिखा गया
प्रत्येक अर्धचालक उत्पाद के निर्माण के लिए सैकड़ों प्रक्रियाओं की आवश्यकता होती है। हम पूरी विनिर्माण प्रक्रिया को आठ चरणों में विभाजित करते हैं: वेफर प्रसंस्करण-ऑक्सीकरण-फोटोलिथोग्राफी-नक़्क़ाशी-पतली फिल्म जमाव-एपिटैक्सियल विकास-प्रसार-आयन प्रत्यारोपण। आपकी मदद करने के लिए...
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4 बिलियन! एसके हाइनिक्स ने पर्ड्यू रिसर्च पार्क में सेमीकंडक्टर एडवांस्ड पैकेजिंग निवेश की घोषणा की
admin द्वारा 24-07-09 को
वेस्ट लाफायेट, इंडियाना - एसके हाइनिक्स इंक. ने पर्ड्यू रिसर्च पार्क में आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस उत्पादों के लिए एक उन्नत पैकेजिंग विनिर्माण और आरएंडडी सुविधा बनाने के लिए लगभग 4 बिलियन डॉलर का निवेश करने की योजना की घोषणा की। वेस्ट लाफायेट में अमेरिकी सेमीकंडक्टर आपूर्ति श्रृंखला में एक महत्वपूर्ण कड़ी स्थापित करना...
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लेज़र प्रौद्योगिकी सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी के परिवर्तन का नेतृत्व करती है
admin द्वारा 24-07-08 को
1. सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी का अवलोकन वर्तमान सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रसंस्करण चरणों में शामिल हैं: बाहरी सर्कल को पीसना, स्लाइसिंग, चम्फरिंग, पीसना, पॉलिश करना, सफाई करना, आदि। स्लाइसिंग अर्धचालक सब्सट्रेट प्रसंस्करण में एक महत्वपूर्ण कदम है ...
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मुख्यधारा थर्मल क्षेत्र सामग्री: सी/सी मिश्रित सामग्री
admin द्वारा 24-07-01 को लिखा गया
कार्बन-कार्बन कंपोजिट कार्बन फाइबर कंपोजिट का एक प्रकार है, जिसमें कार्बन फाइबर सुदृढीकरण सामग्री के रूप में और जमा कार्बन मैट्रिक्स सामग्री के रूप में होता है। C/C कंपोजिट का मैट्रिक्स कार्बन है। चूँकि यह लगभग पूरी तरह से मौलिक कार्बन से बना होता है, इसलिए इसमें उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध होता है...
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SiC क्रिस्टल विकास के लिए तीन प्रमुख तकनीकें
admin द्वारा 24-07-01 को लिखा गया
जैसा कि चित्र 3 में दिखाया गया है, SiC सिंगल क्रिस्टल को उच्च गुणवत्ता और दक्षता प्रदान करने के लिए तीन प्रमुख तकनीकें हैं: लिक्विड फेज़ एपिटेक्सी (LPE), फिजिकल वेपर ट्रांसपोर्ट (PVT), और हाई-टेम्परेचर केमिकल वेपर डिपोजिशन (HTCVD)। PVT SiC सिन के उत्पादन के लिए एक अच्छी तरह से स्थापित प्रक्रिया है...
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तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक GaN और संबंधित एपिटैक्सियल प्रौद्योगिकी का संक्षिप्त परिचय
admin द्वारा 24-06-28 को
1. तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक पहली पीढ़ी की अर्धचालक तकनीक Si और Ge जैसे अर्धचालक पदार्थों के आधार पर विकसित की गई थी। यह ट्रांजिस्टर और एकीकृत सर्किट प्रौद्योगिकी के विकास के लिए भौतिक आधार है। पहली पीढ़ी के अर्धचालक पदार्थों ने...
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23.5 बिलियन, सूज़ौ का सुपर यूनिकॉर्न आईपीओ करने जा रहा है
admin द्वारा 24-06-28 को
9 साल की उद्यमिता के बाद, इनोसाइंस ने कुल वित्तपोषण में 6 बिलियन युआन से अधिक जुटाए हैं, और इसका मूल्यांकन 23.5 बिलियन युआन तक पहुंच गया है। निवेशकों की सूची दर्जनों कंपनियों जितनी लंबी है: फुकुन वेंचर कैपिटल, डोंगफैंग स्टेट-ओन्ड एसेट्स, सूज़ौ झानयी, वुजियान...
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टैंटालम कार्बाइड लेपित उत्पाद सामग्रियों के संक्षारण प्रतिरोध को कैसे बढ़ाते हैं?
admin द्वारा 24-06-25 को पोस्ट किया गया
टैंटलम कार्बाइड कोटिंग एक आम तौर पर इस्तेमाल की जाने वाली सतह उपचार तकनीक है जो सामग्रियों के संक्षारण प्रतिरोध में काफी सुधार कर सकती है। टैंटलम कार्बाइड कोटिंग को विभिन्न तैयारी विधियों, जैसे रासायनिक वाष्प जमाव, भौतिक...
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तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक GaN और संबंधित एपिटैक्सियल प्रौद्योगिकी का परिचय
admin द्वारा 24-06-25 को पोस्ट किया गया
1. तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक पहली पीढ़ी की अर्धचालक तकनीक Si और Ge जैसे अर्धचालक पदार्थों के आधार पर विकसित की गई थी। यह ट्रांजिस्टर और एकीकृत सर्किट प्रौद्योगिकी के विकास के लिए भौतिक आधार है। पहली पीढ़ी के अर्धचालक पदार्थों ने पहली पीढ़ी के अर्धचालक पदार्थों की नींव रखी...
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4 बिलियन! एसके हाइनिक्स ने पर्ड्यू रिसर्च पार्क में सेमीकंडक्टर एडवांस्ड पैकेजिंग निवेश की घोषणा की

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