कृत्रिम उच्च घनत्व स्व-स्नेहनशील ग्रेफाइट छड़ें, एसआईसी लेपित ग्रेफाइट छड़

संक्षिप्त वर्णन:


उत्पाद विवरण

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हम अक्सर ग्राहक-केंद्रित होते हैं, और हमारा अंतिम लक्ष्य न केवल सबसे प्रतिष्ठित, भरोसेमंद और ईमानदार प्रदाता बनना है, बल्कि सुपर लोएस्ट प्राइस चाइना 1200c प्लाज्मा एनहांस्ड केमिकल वेपर डिपोजिशन के लिए अपने ग्राहकों के भागीदार बनना भी है।पेकवीडीवैक्यूम फर्नेस, हम आपके लिए क्या कर सकते हैं, इस बारे में अधिक जानने के लिए, किसी भी समय हमसे संपर्क करें। हम आपके साथ अच्छे और दीर्घकालिक व्यावसायिक संबंध स्थापित करने के लिए तत्पर हैं।
हम अक्सर ग्राहक-केंद्रित होते हैं, और हमारा अंतिम लक्ष्य न केवल सबसे प्रतिष्ठित, भरोसेमंद और ईमानदार प्रदाता बनना है, बल्कि अपने ग्राहकों के लिए एक भागीदार बनना भी है।चीन प्लाज्मा संवर्धित रासायनिक वाष्प निक्षेपण, पेकवीडीहमारे अत्याधुनिक उपकरण, उत्कृष्ट गुणवत्ता प्रबंधन और अनुसंधान एवं विकास क्षमता के कारण हमारी कीमतें कम हैं। हमारी पेशकश की गई कीमत शायद सबसे कम न हो, लेकिन हम गारंटी देते हैं कि यह पूरी तरह से प्रतिस्पर्धी है! भविष्य में व्यापारिक संबंध और पारस्परिक सफलता के लिए हमसे तुरंत संपर्क करने के लिए आपका स्वागत है!

उत्पाद वर्णन

कार्बन / कार्बन मिश्रित पदार्थ(इसके बाद इस रूप में संदर्भित "सी/सी या सीएफसीकार्बन फाइबर और उसके उत्पादों (कार्बन फाइबर प्रीफॉर्म) द्वारा प्रबलित कार्बन आधारित एक प्रकार का मिश्रित पदार्थ है। इसमें कार्बन की जड़ता और कार्बन फाइबर की उच्च शक्ति दोनों गुण मौजूद हैं। इसमें अच्छे यांत्रिक गुण, ताप प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, घर्षण अवमंदन और ऊष्मीय एवं विद्युत चालकता की विशेषताएं हैं।

सीवीडी-एसआईसीकोटिंग में एकसमान संरचना, सघन सामग्री, उच्च तापमान प्रतिरोध, ऑक्सीकरण प्रतिरोध, उच्च शुद्धता, अम्ल और क्षार प्रतिरोध तथा कार्बनिक अभिकर्मक प्रतिरोध जैसी विशेषताएं होती हैं, साथ ही इसके भौतिक और रासायनिक गुण स्थिर होते हैं।

उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट पदार्थों की तुलना में, ग्रेफाइट 400 डिग्री सेल्सियस पर ऑक्सीकृत होना शुरू हो जाता है, जिससे ऑक्सीकरण के कारण पाउडर का नुकसान होता है, जिसके परिणामस्वरूप आसपास के उपकरणों और वैक्यूम कक्षों में पर्यावरणीय प्रदूषण होता है, और उच्च शुद्धता वाले वातावरण में अशुद्धियाँ बढ़ जाती हैं।

हालांकि, SiC कोटिंग 1600 डिग्री सेल्सियस पर भौतिक और रासायनिक स्थिरता बनाए रख सकती है, इसलिए इसका व्यापक रूप से आधुनिक उद्योग में, विशेष रूप से अर्धचालक उद्योग में उपयोग किया जाता है।

हमारी कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर सीवीडी विधि द्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाएं प्रदान करती है। इस प्रक्रिया में कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया करके उच्च शुद्धता वाले SiC अणु बनाती हैं। ये अणु लेपित सामग्रियों की सतह पर जमा होकर SiC सुरक्षात्मक परत का निर्माण करते हैं। निर्मित SiC ग्रेफाइट बेस से मजबूती से जुड़ जाता है, जिससे ग्रेफाइट बेस को विशेष गुण प्राप्त होते हैं। इस प्रकार, ग्रेफाइट की सतह सघन, छिद्ररहित, उच्च तापमान प्रतिरोधी, संक्षारण प्रतिरोधी और ऑक्सीकरण प्रतिरोधी बन जाती है।

 ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)

मुख्य विशेषताएं:

1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध:

1600 डिग्री सेल्सियस तक के उच्च तापमान पर भी इसकी ऑक्सीकरण प्रतिरोधक क्षमता बहुत अच्छी रहती है।

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण की स्थिति में रासायनिक वाष्प निक्षेपण द्वारा निर्मित।

3. क्षरण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।

4. संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोध।

 

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग्स की मुख्य विशिष्टताएँ:

SiC-CVD

घनत्व

(जी/सीसी)

3.21

आनमनी सार्मथ्य

(एमपीए)

470

थर्मल विस्तार

(10-6/के)

4

ऊष्मीय चालकता

(W/mK)

300

विस्तृत चित्र

ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)

कारखाना की जानकारी

111

कारखाने के उपकरण

222

गोदाम

333

प्रमाणपत्र

प्रमाणपत्र22

 


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