Künstliche selbstschmierende Graphitstäbe mit hoher Dichte, SiC-beschichtete Graphitstäbe

Kurze Beschreibung:


Produktdetail

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Produktbeschreibung

Kohlenstoff / Kohlenstoffverbundstoffe(nachfolgend bezeichnet als „C/C oder FCKW“) ist ein Verbundwerkstoff auf Kohlenstoffbasis, der durch Kohlenstofffasern und deren Produkte (Kohlenstofffaser-Vorformlinge) verstärkt wird. Er vereint die Trägheit von Kohlenstoff mit der hohen Festigkeit von Kohlenstofffasern. Er zeichnet sich durch gute mechanische Eigenschaften, Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeit aus.

CVD-SiCDie Beschichtung weist die Eigenschaften einer gleichmäßigen Struktur, eines kompakten Materials, einer hohen Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohen Reinheit, Säure- und Basenbeständigkeit und Beständigkeit gegen organische Reagenzien auf und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum zu einer Umweltverschmutzung der Peripheriegeräte und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Eine SiC-Beschichtung kann jedoch bei 1600 Grad ihre physikalische und chemische Stabilität bewahren. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig eingesetzt.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hohen Temperaturen zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden und verleiht dieser besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig, korrosions- und oxidationsbeständig.

 SiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Haupteigenschaften:

1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:

die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: Hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cm³)

3.21

Biegefestigkeit

(Mpa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

SiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Informationen zum Unternehmen

111

Fabrikausrüstungen

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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